Способ определения параметров полупроводниковых триодов в схеме с общим эмиттером в режиме переключения

 

Класс 21а4, 71

42m, 14

¹ 128062

ВГЩЯ,, и

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

О. С. Потураев

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРИОДОВ В СХЕМЕ С ОБ(ЦИМ

ЭМИТТЕРОМ В РЕЖИМЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

Заявлено 21 июля 1959 г, за № 634483/26 в Комитет ио делам изобретений и открв1тлй при Совете Министров СССР

Опубликовано в гБюллетене изобретений» ¹ 9 =:а 1960 г.

Применяемые способы проверки >i oTopa>

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что по одной кривой на экране осциллографа одновременно получают следующие характеристики триода: характер зависимости коэффицкента усиления по току в схеме с заземленным эмиттером от тока базы во всем диапазоне их возможных изменений; величину максимального значения коэффициента усиления по заданной рабочей частоте; наличие н характер временных нарушений в переходе коллектор — база.

Способ позволяет произвести отбраковку триодоз для схем с необходимым запасо м надежности.

На чертеже изображена блок-схема устройства для определения параметров триодов .по предлагаемому способу.

Высокочастотные еинусоидальные колебания oòгенератор". (1 СС)

1 подаются на усилитель 2, усиливаются в нем и через большое сопротивление 3 или 4 с постоянной амплитудой тока поступают на вход испытуемого триода 5. Усиленные триодом EbIcoêo÷àñòoòíûå колебания через вы"окочастотный фильтр б поступают на дополнительный усилитель

7, а затем на вход усилителя осциллографа 8. Дроссель 9 включен для того, чтобы нс пропустить высокочастотные колебания в другие цепи, а дроссель 10 — для увеличения нагрузки на выходе триода. Высокочастотный фильтр пропускает только синусоидальные колебания и позволяет не «забить» большим более низкочастотным сигналом следующие за ним усилители при больших изменениях напряжения на коллекторе триода во время его переключения. — 2

No 1280б2

Предмет изобретения

Способ определения параметров полупроводниковых триодов в схеме с общим эмиттером в режиме переключения, заключающийся в анализе зависимости дифференциального коэффициента усиления по току (5) от времени при переключении триода из открытого состояния в закрытое, с использованием усиленного триодом высокочастотного сигнала, поданного в цепь базы через большое сопротивление, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью упрощенйя процесса отбраковки и увеличения надежности этой операции, испытуемый триод, предварительно установленный в исследуемой схеме с общим эмиттером в заданный режим насыщения, переключают в закрытое состояние подачей ступенчатого напряжения в базу триода и наблюдают на экране осциллографа зависимость дифференциального коэффициента усиления триода по току на заданной частоте от времени с момента начала его переключения, оценивают ход кривой коэффициента усиления от величины тока базы в определенном масштабе и определяют наличие и характер временных нарушений в коллекторном переходе.

Переключение триод;. из открытого состояния в закрытое осуществляется тумблером 11 путем переброса триггера 12. Одновременно с началом переключения триода происходит за пуск мультивибратора И для подсьета луча осциллографа и, таким образом, осуществляет,"я получение кривой на экране осциллографа.

Так как па вход триода поступает высокочастотный сигнал постоянной величины по току, то на коллекторе триода получается выходной

dl„ сигнал, пропорциональный коэффициенту усиления триода р =16 в этой схеме. КаАиб1 овка р производится перекЛючением тумблера 14 для подачи высокочастотных колебаний в коллектор триода, на осцил1 лографе получается масштабная метка, соответствующая р=1, с которой и возможно осуществлять сраьненйе реальпоГо р триода.

Способ определения параметров полупроводниковых триодов в схеме с общим эмиттером в режиме переключения Способ определения параметров полупроводниковых триодов в схеме с общим эмиттером в режиме переключения Способ определения параметров полупроводниковых триодов в схеме с общим эмиттером в режиме переключения 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх