Способ контроля стабильности параметров полупроводниковых приборов

 

№ 1514О5

Класс 21р, 20в

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1пдписна» группа,Л@ )7

Л. Я. Пищик и В, А. Осокин

РЕНТГЕНОВСКИЙ ДЕФЕКТОСКОП ЛЕНТ вЂ” РДЛ

:1аявлено 26 июля 1961 г. за Хо 739614/26-!О в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений»,% 21 за 1962 г.

Известны рентгеновские дефектоскопы. состоящие из рентгеновской трубки и пульта управления.

Отличительная особенность описываемого рентгеновского дефекто.iêoïà лент состоит в том, что он установлен на подвижном штативе, а рентгеновская трубка дефектоскопа синхронно перемещается с отражательным зеркалом, при этом фиксирование результатов контроля осуществляется визуально или фотографированием на пленку.

Рентгеновский дефектоскоп такой конструкции повышает надежность и скорость контроля лент.

На чертеже изоб ажен описываемый рентгеновский дефектоскоп, зид сбоку

На штативе 1 трубчатой конструкции посредством тележки 2 перемещается блок-трансформатор 8, имеющий (на чертеже не показано) главный трансформатор, малогабаритную рентгеновскую трубку, тпансформатор накала трубки и маслорасширитель.

Высоковольтная часть аппарата расположена в кожухе, заполненном трансформаторным маслом. Рентгеновские лучи выходят из блоктрансформатора через окно (на чертеже не показано), на которое надевается тубус.

Блок-трансформатор перемещается посредством тележки на направляющих штатива перпендикулярно перемещению контролируемой

1енты 4.

Штатив устанавливается на лыжах 5, опирающихся на роликовые опоры б конвейера, что позволяет перемещать дефектоскоп вдоль конвейера.

На штативе смонтирована рама 7, в которой устанавливаются просвечивающие экраны с защитным свинцовым стеклом и отражательным зеркалом Я, посредством которого ведется наблюдение. Параллельно

Способ контроля стабильности параметров полупроводниковых приборов Способ контроля стабильности параметров полупроводниковых приборов Способ контроля стабильности параметров полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх