Устройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов
Ж 151400
Класс Н 01/ 21g, 11оа
Н 01 l; 21 Я 135о
СССР
1
1 т 1!
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
=: К АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Подписная zpyrum JN 97 ДЯ - фб ф gp/ $
В. С. Соболев и П. Ф. Калинин
УСТРОЙСТВО ДЛЯ БЕСКОНТАКТНЫХ ИЗМЕРЕНИЙ УДЕЛЬНОГО
СОПРОТИВЛЕНИЯ МАЛОГАБАРИТНЫХ КРИСТАЛЛОВ
НИЗКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Заявлено 29 января 1962 r. за № 761719/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 21 за 1962 г.
Известны устройства для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных, кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов, работающие на принципе наведения в образце вихревых токов, содержащие генератор высокочастотных колебаний и нндук гор, который размещается вблизи плоской части измеряемого образца.
Для того, чтобы размеры образца не оказывали влияния на результаты измерений, необходимо, чтобы диаметр индуктора был в несколько рзз меньше размеров образца, что трудно выполнить применительно к малогабаритным образцам кристаллов.
Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что позволяет снизить влияние размеров образца на результаты измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов. Это достигается тем, что между индуктором и образцом помещена проводящая диафра;ма, локализующая магнитное поле в пространстве, прилегающем к отверстию диафрагмы.
На чертеже изображен эскиз описываемого устройства.
Между измеряемым образцом l кристалла и индуктором 2 помещена диафрагма 8, выполненная из хорошо лроводящего материала и имеющая отверстие, соосное с индуктором 2. Применение такой диафрагмы локализует поле в небольшой области пространства, непосредственно примыкающего к отверстию диафрагмы 8. Размеры плоской части образца должны быть несколько {на 15 — 20%) больше диаметра отверстия диафрагмы, в этом случае области образца, расположенные вне отверстия диафрагмы 8, не,вносят реакцию в индуктор 2, и, следовательно, колебания размеров образцов не сказываются на результатах измерений № 151400
Таким образом, применение диафрагмы позволяет увеличить диаметр катушки-индуктора и сделать ее размеры вполне соизмеримымп с размерами измеряемого кристалла.
Предмет изобретения
Устройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов, работающее на принципе наведения з образце вихревых токов, содержащее генератор высокочастотных колебаний и индуктор, который размещается вблизи плоской части измеряемого образца, о т л и ч а ющеес я тем, что, с целью снижения влияния размеров образца на рсзультаты измерений удельного сопротивления, между индуктором и образцом помещена проводящая диафрагма, локализующая поле в облас. ти пространства, прилегающего к отверстию диафрагмы.
Редактvp Н. С. Кутафина Техред T. П. Курилко Корректор Г. Куцривцева
Г1оди. к rre«. 10.Х 62 т. Формат бум 70Х 108 /, Объем 0,18 изд. л.
Заи. 10496 Тираж 1150 Цена 4 коп.
ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.
Типографии НБТН, Москва, Петровка, 14.
![Устройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/365/3654694-s.jpg)
![Устройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/365/3654695-s.jpg)