Потенциальный зонд для измерения типа проводимости полупроводниковых материалов

 

№ 150176

Предлагаемый зонд может найти применение для контроля слитков полупроводников,,например германий, уо типу проводимости.

Ф

Предмет изобретения

Потенциальный зонд для измерения тяпа проводимости полупроводниковых материалов, отличающийся тем, что, с целью повы-! шения чувствительности измер ения к избыточной 1концентрации акцепторных примесей, он выполнен в виде конусообразного металлического, например латунного, стержня, снабженного полостью для жидкого газа.

Составитель описания М. А. Хесин

Рсдактор Н. Л. Корченко Текред А. А. Кудрявицкая Корректор Н. В. Щербакова

Г!одп, к печ. 26.1Х-62 г Формат бум. 70Х 108 /,а Объем 0,18 изд. л.

3аак. 9675 Тираж 1150 Цена 4 коп.

1!БТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер. д. 2/6.

Типография ЦБТ!!, Москва, Петровка, !4.

Потенциальный зонд для измерения типа проводимости полупроводниковых материалов Потенциальный зонд для измерения типа проводимости полупроводниковых материалов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх