Состав для полирования полупроводниковых материалов
СОСТАВ ДЛЯ ПОЛИРОВАНИЯ 1ЮЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащий золь двуокиси кремния, о т л ич ающийс .я тем, что., с целью улучшения качества полированной поверхности арсенида галлия, фосфида галлия, германия и повышения проиэводи«гельност процесса полирования, он дополнительно содержит соль аммония , выбранную из группы; карбанат аммония, фторид аммония, хлорид аммония, окислитель, выбраню из группы: перекись водорода, калий желе30синеродистый, и поверхностноактивное вещество - метилметилдиэтиламмоний бензосульфонат и воду при следующем соотношении компонентов, мае.%: Золь двуокиси 4,3-78,0 кремния ,3 Срль аммония 8,4-16,0 Окислитель Поверхностно0 ,04-0,16 активное вещество Вода Остальное
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН (1% (111
ОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТ
К ABTOPCHQMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
fl0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3659875/23-05 (22) 22.07.83 (46) 15.06.85. Бюл. У 22 (72) А.А.Чуйко, В.М.Огенко, Т.Я.Киризий, Г.Я.Губа, Б.Г.Захаров, Г.Е.Либо и Т.В.Дмитриева (7f) Специальное конструкторскотехнологическое бюро Института физической химии АН УССР (53) 621.921(088.8) (56) Патент США Ф 3922393, кл. 427-215, опублик. 1975.
Патент Великобритании В 1096894, кл. В 3 11, опублик. 1967, (54)(57) СОСТАВ ДЛЯ ПОЛИРОВАНИЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащий золь двуокиси кремния, о т л ич а ю щ н и с я тем, что, с целью улучаемия качества полированной поверхности арсенида галлия, фосфида галлия,. германия и повыщения производигельности процесса полирования, он дополнительно содержит соль аммония, выбранную из группы: карбонат аммония, фторид аммония, хлорид аммония, окислитель, выбранный из группы: перекись водорода, калий железосинеродистый, и поверхностноактивное вещество - метилметилдиэтиламмоний бензосульфонат и воду при следующем соотнощении компонентов, мас.Х:
Золь двуокиси кремния 4,3-78,0
Срль аммония f ° 3-6,3
Окислитель 8,4-16,0
Поверхностноактивное вещество 0,04-0, 16
Вода Остальное
116152
Изобретение относится к составам для полирования полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковой технологии. .Цель изобретения — улучшение S качества полированной поверхности арсенида галлия, фосфида галлия,германия и повышение производительности процесса полировки.
Состав готовят следующим образом. 10
В серийный золь кремнекислоты, содержащий около 30 . твердого вещества, вводят при перемешивании алкамон
OC-2 в виде 0,01X-ro водного раствора. Затем добавляют водный раствор 1
3 соли аммония, перемешивают и после образования однородного тиксотропного геля прибавляют водный раствор окислителя, добавляют воЪу до 100Х. В качестве окислителя используют калий 2п железосинеродистый или перекись водорода, в качестве соли аммонияуглекислый, хлористый или фтористый аммоний.
Полученную композицию используют 25 для полирования образцов арсенида галлия,фосфида галлия, а также германия.
Производительность процесса полирования оценивают по съему материала в единицу времени, степень чистоты полируемой поверхности определяют путем измерения микронеровностей поверхности при помощи профилометрапрофилографа-252.
Пример 1. Готовили композицию состава, мас.X:
Золь двуокиси кремния (силиказоль) 4,3
Карбонат аммония 1,3
Калий железосинеродистый 8,4
Алкамон ОС-2 (метилметилдиэтиламмоний бензосульфонат) . 0,04
9 2
Вода 85,96
Композицию использовали для полировки поверхности образцов арсенида галлия. Скорость съема составляла
1,0-1,5 мкм/мин, микронеровности не привышали 0,5 мкм, что соответствует
14 классу точности.
Пример 2. Готовили композицию состава, мас, :
Силиказоль 78
Фторид аммония 6,3
Перекись водорода 12
Алкамон ОС-2 О, 16
Вода 3,24
Композицию испольэовали для полирования образцов германия с высокой степенью легирования. Скорость съема составляла 0,4-0,6 мкм/мин.
П р и.м е р 3. Готовили композицию состава, мас. :
Силиказоль 33
Хлорид аммония 4,0
Калий железосинеродистый 16
Алкамон ОС-2 0,067
Вода 4бю 933
Композицию использовали для полирования 6бразцов фосфида галлия. Скорость съема составляла 0,2-0,35 мкм/ мин.
Сравнительные данные nq производительности процесса полирования и степени чистоты обработанной поверхности представлены в таблице.
Как видно из таблицы, производительность процесса полирования, определяемая скоростью съема полируемого материала в единицу времени, по предлагаемому способу в 10 и более раз превьппает скорость съема аналогичных полупроводниковых материалов по известному способу. Достигаемый при этом класс точности обработанной поверхности в 3»4 ед. вьппе, чем при обработке по известному способу.
1161529
Известная композиция
Предлагаемая композиция по примерам
Показ атели
As- La
1.е Le Р
As -La
Скорость съема материала, мкм/мин
1 ! . :Класс точности исходной поверх, ности, усл.ед.
10
10
10
10!
14
Время обработки, мин!
20
10
10
"Съем материала настолько мал, что не определяется при помощи профилометра-профилографа-252.
Составитель И. Гинзбург
Техред Л.Мартяшова
Редактор Т. Колб
Корректор. А. Тяско
Заказ 3936/30 Тираж 630 Подписное
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Класс точности обработанной поверхности, усл.ед.
0,04-0,06 0,01-0,03 - 1,0-1 5 0,4-0,6 0,2-0,35
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
1!3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
![Состав для полирования полупроводниковых материалов](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/607/6075495-s.jpg)
![Состав для полирования полупроводниковых материалов](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/607/6075496-s.jpg)
![Состав для полирования полупроводниковых материалов](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/607/6075497-s.jpg)