Состав для полирования полупроводниковых материалов

 

СОСТАВ ДЛЯ ПОЛИРОВАНИЯ 1ЮЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащий золь двуокиси кремния, о т л ич ающийс .я тем, что., с целью улучшения качества полированной поверхности арсенида галлия, фосфида галлия, германия и повышения проиэводи«гельност процесса полирования, он дополнительно содержит соль аммония , выбранную из группы; карбанат аммония, фторид аммония, хлорид аммония, окислитель, выбраню из группы: перекись водорода, калий желе30синеродистый, и поверхностноактивное вещество - метилметилдиэтиламмоний бензосульфонат и воду при следующем соотношении компонентов, мае.%: Золь двуокиси 4,3-78,0 кремния ,3 Срль аммония 8,4-16,0 Окислитель Поверхностно0 ,04-0,16 активное вещество Вода Остальное

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (1% (111

ОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТ

К ABTOPCHQMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

fl0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3659875/23-05 (22) 22.07.83 (46) 15.06.85. Бюл. У 22 (72) А.А.Чуйко, В.М.Огенко, Т.Я.Киризий, Г.Я.Губа, Б.Г.Захаров, Г.Е.Либо и Т.В.Дмитриева (7f) Специальное конструкторскотехнологическое бюро Института физической химии АН УССР (53) 621.921(088.8) (56) Патент США Ф 3922393, кл. 427-215, опублик. 1975.

Патент Великобритании В 1096894, кл. В 3 11, опублик. 1967, (54)(57) СОСТАВ ДЛЯ ПОЛИРОВАНИЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащий золь двуокиси кремния, о т л ич а ю щ н и с я тем, что, с целью улучаемия качества полированной поверхности арсенида галлия, фосфида галлия,. германия и повыщения производигельности процесса полирования, он дополнительно содержит соль аммония, выбранную из группы: карбонат аммония, фторид аммония, хлорид аммония, окислитель, выбранный из группы: перекись водорода, калий железосинеродистый, и поверхностноактивное вещество - метилметилдиэтиламмоний бензосульфонат и воду при следующем соотнощении компонентов, мас.Х:

Золь двуокиси кремния 4,3-78,0

Срль аммония f ° 3-6,3

Окислитель 8,4-16,0

Поверхностноактивное вещество 0,04-0, 16

Вода Остальное

116152

Изобретение относится к составам для полирования полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковой технологии. .Цель изобретения — улучшение S качества полированной поверхности арсенида галлия, фосфида галлия,германия и повышение производительности процесса полировки.

Состав готовят следующим образом. 10

В серийный золь кремнекислоты, содержащий около 30 . твердого вещества, вводят при перемешивании алкамон

OC-2 в виде 0,01X-ro водного раствора. Затем добавляют водный раствор 1

3 соли аммония, перемешивают и после образования однородного тиксотропного геля прибавляют водный раствор окислителя, добавляют воЪу до 100Х. В качестве окислителя используют калий 2п железосинеродистый или перекись водорода, в качестве соли аммонияуглекислый, хлористый или фтористый аммоний.

Полученную композицию используют 25 для полирования образцов арсенида галлия,фосфида галлия, а также германия.

Производительность процесса полирования оценивают по съему материала в единицу времени, степень чистоты полируемой поверхности определяют путем измерения микронеровностей поверхности при помощи профилометрапрофилографа-252.

Пример 1. Готовили композицию состава, мас.X:

Золь двуокиси кремния (силиказоль) 4,3

Карбонат аммония 1,3

Калий железосинеродистый 8,4

Алкамон ОС-2 (метилметилдиэтиламмоний бензосульфонат) . 0,04

9 2

Вода 85,96

Композицию использовали для полировки поверхности образцов арсенида галлия. Скорость съема составляла

1,0-1,5 мкм/мин, микронеровности не привышали 0,5 мкм, что соответствует

14 классу точности.

Пример 2. Готовили композицию состава, мас, :

Силиказоль 78

Фторид аммония 6,3

Перекись водорода 12

Алкамон ОС-2 О, 16

Вода 3,24

Композицию испольэовали для полирования образцов германия с высокой степенью легирования. Скорость съема составляла 0,4-0,6 мкм/мин.

П р и.м е р 3. Готовили композицию состава, мас. :

Силиказоль 33

Хлорид аммония 4,0

Калий железосинеродистый 16

Алкамон ОС-2 0,067

Вода 4бю 933

Композицию использовали для полирования 6бразцов фосфида галлия. Скорость съема составляла 0,2-0,35 мкм/ мин.

Сравнительные данные nq производительности процесса полирования и степени чистоты обработанной поверхности представлены в таблице.

Как видно из таблицы, производительность процесса полирования, определяемая скоростью съема полируемого материала в единицу времени, по предлагаемому способу в 10 и более раз превьппает скорость съема аналогичных полупроводниковых материалов по известному способу. Достигаемый при этом класс точности обработанной поверхности в 3»4 ед. вьппе, чем при обработке по известному способу.

1161529

Известная композиция

Предлагаемая композиция по примерам

Показ атели

As- La

1.е Le Р

As -La

Скорость съема материала, мкм/мин

1 ! . :Класс точности исходной поверх, ности, усл.ед.

10

10

10

10!

14

Время обработки, мин!

20

10

10

"Съем материала настолько мал, что не определяется при помощи профилометра-профилографа-252.

Составитель И. Гинзбург

Техред Л.Мартяшова

Редактор Т. Колб

Корректор. А. Тяско

Заказ 3936/30 Тираж 630 Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Класс точности обработанной поверхности, усл.ед.

0,04-0,06 0,01-0,03 - 1,0-1 5 0,4-0,6 0,2-0,35

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1!3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5