Устройство формирования наноструктур на подложке

Полезная модель относится к области электроники, а более конкретно к устройствам формирования наноструктур на подложке. В основу полезной модели положена техническая задача - уменьшить тепловой дрейф атомов и молекул при формировании наноструктур на подложке. Поставленная техническая задача решается тем, устройство формирования наноструктур на подложке, содержащее многозондовый пьезопривод, установленный на неподвижном основании, зонд, подложку, установленную на неподвижном подложкодержателе, согласно предложенной полезной модели, снабжено связанными с нерабочей поверхностью подложки средством для предварительного нагрева подложки и средством для охлаждения подложки. Средство для предварительного нагрева подложки выполнено в виде источника импульсного нагрева. Средство для охлаждения подложки выполнено в виде узла подачи жидкого азота на нерабочую поверхность подложки. Технический результат, обеспечиваемый всей совокупностью существенных признаков, заключается в уменьшении теплового дрейфа атомов и молекул при формировании наноструктур на подложке.

Полезная модель относится к области электроники, а более конкретно к устройствам формирования наноструктур на подложке.

Известно устройство формирования наноструктур на подложке, содержащее многозондовый пьезопривод, установленный на неподвижном основании, подложку, электрически связанную с зондом, установленную на неподвижном подложкодержателе.

[Патент РФ на ПМ №30033 МПК 7 H01L 41/00, Б.И. №16 от 10.06.2003 (аналог)].

Недостатком аналога является наличие теплового дрейфа атомов и молекул при формировании наноструктур на подложке.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является устройство формирования наноструктур на подложке, содержащее многозондовый пьезопривод, установленный на неподвижном основании, подложку, электрически связанную с зондами, установленную на неподвижном подложкодержателе.

[Патент РФ на ПМ №41933 МПК 7 Н02N 2/00 Б.И. №31 от 10.06.2004 (прототип)].

Недостатком прототипа так же является наличие теплового дрейфа атомов и молекул при формировании наноструктур на подложке.

В основу полезной модели положена техническая задача - уменьшить тепловой дрейф атомов и молекул при формировании наноструктур на подлолжке.

Поставленная техническая задача решается тем, устройство формирования наноструктур на подложке, содержащее многозондовый пьезопривод, установленный на неподвижном основании, зонд, подложку,

установленную на неподвижном подложкодержателе, согласно предложенной полезной модели, снабжено связанными с нерабочей поверхностью подложки средством для предварительного нагрева подложки и средством для охлаждения подложки. Средство для предварительного нагрева подложки выполнено в виде источника импульсного нагрева. Средство для охлаждения подложки выполнено в виде узла подачи жидкого азота на нерабочую поверхность подложки.

Технический результат, обеспечиваемый всей совокупностью существенных признаков, заключается в уменьшении теплового дрейфа атомов и молекул при формировании наноструктур на подложке.

Сущность полезной модели поясняется фиг.1, где показано устройство формирования наноструктур на подложке.

Устройство формирования наноструктур на подложке (фиг.1) содержит многозондовый пьезопривод 1, установленный на неподвижном основании 2, подложку 3, электрически связанную с зондом 4, установленную на неподвижном подложкодержателе 5. В устройство снабжено средством 6 для охлаждения подложки и средством 7 для нагрева подложки, связанные с нерабочей поверхностью 8 подложки 3, причем средство 6 для охлаждения подложки выполнено в виде узла подачи 9 жидкого азота, а средство 7 для нагрева подложки выполнено в виде источника импульсного нагрева 10, например, лазерного излучения 11.

Устройство формирования наноструктур работает следующим образом.

При формировании наноструктур на подложке 3 посредством зондов 4, установленных на пьезоприводе 1 возникает нежелательный тепловой дрейф атомов и осажденных молекул. Для уменьшения этого явления необходимо охлаждать подложку средством 6 для охлаждения подложки, выполненным в виде узла подач и жидкого азота 9, которая предварительно была нагрета источником импульсного нагрева 10. Предварительный локальный нагрев подложки необходим для снижения рабочего напряжения между зондом 4 и подложкой.

Применение предлагаемого устройства формирования наноструктур на подложке позволяет уменьшить тепловой дрейф атомов и молекул при формировании наноструктур на подложке.

1. Устройство формирования наноструктур на подложке, содержащее многозондовый пьезопривод, установленный на неподвижном основании, зонд, подложку, установленную на неподвижном подложкодержателе, отличающееся тем, что устройство снабжено связанными с нерабочей поверхностью подложки средством для предварительного нагрева подложки и средством для охлаждения подложки.

2. Устройство формирования наноструктур на подложке по п.1, отличающееся тем, что средство для предварительного нагрева подложки выполнено в виде источника импульсного нагрева.

3. Устройство формирования наноструктур на подложке по п.1, отличающееся тем, что средство для охлаждения подложки выполнено в виде узла подачи жидкого азота на нерабочую поверхность подложки.