Устройство для получения углеродных пленок
Полезная модель относится к области нанотехнологии, а более конкретно к устройствам для получения углеродных пленок. В основу полезной модели положена техническая задача, состоящая в том, чтобы снизить толщину, при реализации получаемых углеродных пленок на наноуровне. Поставленная техническая задача решается тем, устройство для получения углеродных пленок, содержащее подложку, выполненную из полупроводникового материала, молекулярный источник, согласно предложенной полезной модели, снабжено системой подачи инертного газа и изолирующей криопанелью, при этом система подачи инертного газа установлена между молекулярным источником и подложкой и связана с криопанелью. Применение предложенного устройства для получения углеродных пленок позволяет получать углеродные пленки наноразмерной толщины.
Полезная модель относится к области нанотехнологии, а более конкретно к устройствам для получения углеродных пленок.
Известно устройство для получения углеродных пленок содержащее молекулярный источник, установленный с возможностью воздействия на подложку, выполненную из полупроводникового материала [Технология приборов и изделий микроэлектроники. В 10 кн. Кн. 7. Элионная обработка. Учеб. Пособие для ПТУ. О.С.Моряков. - М.: Высшая школа, 1990. - 34 с.: ил. (аналог)].
Недостатком аналога является большая толщина углеродных пленок при реализации на нанотехнологическом уровне.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является устройство для получения углеродных пленок содержащее молекулярный источник, установленный с возможностью воздействия на подложку, выполненную из полупроводникового материала [Технология приборов и изделий микроэлектроники. В 10 кн. Кн. 7. Элионная обработка. Учеб. Пособие для ПТУ. О.С. Моряков. - М.: Высшая школа, 1990. - 34 с.: ил. (Прототип)].
Недостатком прототипа также является большая толщина углеродных пленок при реализации на нанотехнологическом уровне.
В основу полезной модели положена техническая задача, состоящая в том, чтобы снизить толщину, при реализации получаемых углеродных пленок на наноуровне.
Поставленная техническая задача решается тем, устройство для получения углеродных пленок, содержащее подложку, выполненную из полупроводникового материала, молекулярный источник, согласно
предложенной полезной модели, снабжено системой подачи инертного газа и изолирующей криопанелью, при этом система подачи инертного газа установлена между молекулярным источником и подложкой и связана с криопанелью.
Введение в устройство для получения углеродных пленок молекулярного источника и подложки, а также введение установленной системы подачи инертного газа, выполненной, например, в виде тепловой трубы, связанной с криопанелью, обеспечивает возможность снизить толщину, при реализации получаемых углеродных пленок на наноуровне.
Сущность полезной модели поясняется фиг.1, где показано устройство для получения углеродных пленок.
Устройство для получения углеродных пленок, содержит молекулярный источник 1, установленный с возможностью воздействия на подложку 2, выполненую из полупроводникового материала, между молекулярным источником 1 и подложкой установлена система подачи инертного газа 3, выполненная, например, в виде тепловой трубы 4, связанной с криопанелью 5.
Устройство для получения углеродных пленок работает следующим образом (фиг.1).
При подаче напряжения на молекулярный источник 1, инертный газ, поданный системой подачи 3, ионизируется и осаждается на подложке 2, выполненной из полупроводникового материала, в виде пленки наноразмерной толщины. Процесс осаждения в устройстве изолирован от воздействия внешней среды криопанелью 5, а рабочая среда создается с помощью системы подачи 3, выполненной, например, в виде тепловой трубы 4.
Применение предложенного устройства для получения углеродных пленок позволяет получать углеродные пленки наноразмерной толщины.
Устройство для получения углеродных пленок, содержащее подложку, выполненную из полупроводникового материала, молекулярный источник, отличающееся тем, что устройство снабжено системой подачи инертного газа и изолирующей криопанелью, при этом система подачи инертного газа установлена между молекулярным источником и подложкой и связана с криопанелью.
