Способ алюминирования электронно-лучевых трубок
<п>983811
Союз Советских
Социапистииесиик
Респубнии
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ к лвтовскомю саидапльствю (61) Дояолнителъное к авт. свил-ву (>>3®. K>.
Н 013 S/20 (22) Заявлено 30.03.81 (21) 3266431/18-21 с присоединением заявки М
1Ьоударотвсиньй комитет (23) Приоритет
СССР
Опубликовано 23.12.82. Б.летень ра 47 ко аелоя изобретеияй и открытий (53) УДК666. .29(088.8) Дата опубликования описания 23.12.82
В. В. Имшенепкий и Б. С.
"с, "° - .t (72) Авторы изобретения г;
° (71) Заявитель (54) СПОСОБ АЛЮМИНИРОВАНИЯ
ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВЫХ ТРУБОК
Изобретение относится к производству электроннолучевых трубок (ЭЛТ), а именно к способам повышения отражательной способности алюминиевой пленки экранных покрытий ЭЛТ. ! 5
Известны способы алюминированйя экранов ЭЛТ, включающие обработку лю. минофорного покрытия кристаллообразутэщими вешествамн, которые создают в пленке алюминия при ее напылении мик роотверстия. При выжигании органической пленки микроотверстия облегчают выход продуктов ее деструкпии. Это позвоттяет наносить на люминофорное покрытие более толстые и гладкие органические
" » способность пленки алюминия и устраня» ет при этом ее вспучивание при въакигании органнч :ской пленки (1) . га
ОднакО эти спосОбы дополни тельных операций нанесения кристаллооб разуюших веществ. Кроме того, остатки
2 этих веществ загрязняют люминофор, что снижает яркость свечения жрана ЭЛТ.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому эффекту является способ алюминирования" экранов ЭЛТ, включающий напыление пленки алюмйния и создание микроотверстий в пленке. В известном способе поверхность органической пленки обрабатий вается раствором шавелевокислого.аммония При высутиивании эта coBb выделив Р ся в виде Игольчатых кристалловр прока» лывают алюминиевую плеттку во время ее напыления. Кристаллы соли частично испарятвтся вйесте .с продуктами десцтук нии органической планки через образован у . (j
Однако известный способ также трераствора соли и его сушки. Остатки yasложения соли загрязняют люминофор, что понижает его светоотдачу.
3 OSM
Целью изобретения является увеличение яркости свечения экранов ЭЛТ.
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу алюминирования
ЭЛТ, включающему напыление пленки алюминия и создание микроотверстий в пленке, отверстия в пленке алуаьашия . создают путем ее обработки искровым высокочастотным разрядом„
Регулируя ток, напряжение и время tO воздействия разряда добиваются получения микроотверстий необходимой плотности и равномерного их распределения по поверхности экрана.
Пример . Алюминиевую пленку обрабатывают после ее напыления искро вым высокочастотным разрядом, возни« каюшим между пленкой и наконечником с метелкообразной насадкой, подключенным к высокочастотному генератору с выход- 2О ным напряжением 30 кВ и частотой генерации 100 кГц. Путем последовательного перемещения наконечник а, находящегося на расстоянии 3-4 см от поверхности экрана, обрабатывается вся поверхность 2s алюминиевой пленки в течение 20 с при токе разряда 100 мкА. При этом плотность микроотверстий составляет 15 " 104
20 10 см при среднем диаметре от11 4 верстий 1 мкм. Коэффициент отражения пленки алюминия после выжигания органической пленки составляет 80%.
Примене ние искрового высокочастотной го электрического разряда для создания микроотверстий в алюминиевой пленке устраняет необходимость применения кристаллообразующих веществ, снижающих светоотдачу люминофоров и приводит к повышению яркости свечения экранов
ЭЛТ, Формула изобретения
Способ алюминирования . электроннолучевых трубок, включающий напыление пленки алюминия и создание микроотверстий в пленке, отличающийся тем, что, с целью увеличения яркости свечения экранов электроннолучевых трубок, отверстия в пленке алюминия создают искровым высокочастотным разрядом.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Патент ФРГ 34 2450834, кл. Н 01 2 9/20, 1978.
2. Патент США М 3821009, кл. 117-33,5, 1877 (прототип).
Составитель В. Александров
Редактор А. Шандор Техред N. Надь Корректор б. Билак
Заказ 9938/64 Тираж 761 . Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4

