Резистивный материал

 

О П И С А Н И Е 660968

ИЗОБРЕТЕН Ия

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союэ Советсиик

Социалистичесиии

Республик (51) Дополнительное к авт. санд-ву " (22) Заявлено 12. 02. 81 (21) 3249773/18-21 с присоединением заявки М (23) Приоритет(51)М. Кл.

Н 01 С 7/00

3Ьаударетвииыб камвтвт

СССР аа делен взабрвтенвй н атерытвй

Опубликовано 23.09.82. Бюллетень Фе 35

Дата опубликования описания 23.09 .82 (5о) УДК 621. 316. . 8 (088 ° 8) (72) Авторы изобретения

И. Я. Любкина и И. ф. Кононюк

Научно-исследовательский институт фи проблем белорусского государственног им.В.И.Ленина (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНйй ИАТЕРИАЛ

Изобретение относится к радйоэлеКтронике и может быть использовано для изготовления резисторов.

Известен резистивный керамический

5 материал на основе оксидов кадмия ниобия и вольфрама С11.

Недостатками резистивного материала являются узкий интервал удельного сопротивления 4,65-6,16 Ом-см 10 и высокий температурный коэффициент.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является реэистивный материал на основе оксидов бария и свинца (2 ).

t5

Недостатком известного резистивно. го материала является узкий диапазон сопротивления и высокий температурный коэффициент сопротивления.

Цель изобретения - получение ре- 20 эистивного материала с широким диапазоном удельного сопротивления и снижение температурного коэффициента сопротивления (ТКС ) резисторов на его основе в интервале температур от 20 до 500оC.

Поставленная цель достигается тем, что реэистивный материал, содержащий .оксиды бария и свинца, дополнительно содержит диоксид титана при следующих соотношениях компонентов, мол.Ф:

Оксид бария 47,8 — 4913

Оксид свинца 8,5 - 27,0

Диоксид титана 25,2 - 42,2

Для приготовления реэистивного материала используют порошки титана бария и мета-плюмбата бария, приготовленного из карбоната бария и оксида или диоксида свинца, взятых в молярном соотношении 1:1,2, путем обжига на воздухе или в кислороде при 850оС в течение 2-4 ч. Смесь порошков ВаТ10 ВаСО и PbO прессуют о и спекают при 850-870 С в течение

2-4 ч на воздухе.

Пример 1. Для приготовления объемного резистора на 2,4 .10 Ом к

3 !

1,6 г ВаСО добавляется 2, 32 г

3 960968 4

PbO и 9,58 r ВаТiO Смесь тщатель- 300 и 500 С и значения температурных но перемешивается и обжигается на коэффициентов сопоотивления для инвоздухе при 850-870 С в течение 2 ч. тервалов температур 20- 150, 150-300 и

Иэ полученной смеси под давлением 300-500 С. 4 т/см формуют цилиндр длиной 29 мм s Из таблицы видно, что путем измесечением 25 мм, который спекается нения компонентного состава можно на воздухе при 970 С в течение 3 ч получать резисторы с удельным сопропосле чего íà его торцы наносятся се- тивлением с 10 до 10 Ом см и малыми ребряные контакты путем вжигания значениями ТКС в температурном интерсеребряной пасты. 16 вале от 20 до 500 С.

Образцы других резисторов готовят- Применение резистивного материася аналогичным способом. ла позволяет повысить надежность

В таблице приведены значения удель" радиотехнических устройств и уменьыого сопротивления g при 20, 150, шить их размеры.

I

I

I

1

I

I (1

I

I

I

I

I

I

I !

I

I ! !

LA

tD

CD о

I О о л о

I ( м о

СО м о л о

1 о м о л (Г\ о о

«Й

Ф

С1

l л д,р о м

«:1

LCL 0

Cl

° л

Ю

+ О (D

Ю

М

М !

С4 о х .

«Ч

СО

«(1 о

CV

ОЪ

«л(С:1 х

«О

С( о х м

ОЪ

С (1 о х (1

С (CD

CD х О ((СО

О1

°

- 1 м

CV

LA

Ю л (CV

СО (л

-Ф О л

-а.

1 1

1 l

I о

1О

I О !

1 CD 1

1! I 1 о !

О 1

М I

I 1

1 1 (Ф

1 1 о! о

D I

1 О 1

1 М 1

I 1 1 о

I LA 1 (1 ° — 11

I (Э I

t o о

1 LA

1 л- I

1 1 I

1 О

I. СЧ 1 à — Т вЂ” 1

I l

1 1

1 1 и ! о о

I О 1

I ((Ъ 1

1 1 ((1 1

1 ( о

О I о

1 Ю I ! М 1

1 1 (» — Ч

0 1

1 I

1 I. с.>

О. о

1 LA 1 а!«1

1 1

1-4

1 1

1 1

1 1

1 D I

t o

I О 1

1 CV 1

1 1

1 !

1 1

l о Р I

° 1 1 с-( о

X 1 1- 1

Ф 1 о

Г 1

Ф 1 1 х о ( с

Е 1 1. о t ю

1 О

t 0 (Q 1 1

X 1 1 х (Q 1 1

3(! 1

O..(1

Ф 1. («((1 1 о

CJ 1 1

О 1 (((1

1 «О 1

I 1

Щ I

a. a (О (I! I

Ю ((960968 о

+ I

1 ((Ъ о

l х

-б I л

«!! (О

Ю l

« I х,— 1

:в

I (((I

О х

М I л (.(I

CCI 1

Ю 1 х

LA 1

1

1 (Ч 1

«Ч I

-Г 1

1 (1

t.!

lA 1

СО 1 ( 1

1

1 м

О1 1

1

l м

960968

Формула изобретения

Составитель Н. Кондратов Редактор Г.Ус ТехредЕ.ХаритончикКорректор Н.Король

Заказ 7301/67 Тираж 761 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР но делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, Резистивный материал, содержащий оксиды бария,и свинца, о. т л и ч ар шийся тем,,что,с целью расширения диапазона удельного сопротивления и снижения температурного . коэффициента сопротивления резисторов на его основе и области температур от 20 до 500ОС, он дополнительно содержит диоксид

8 титана при следующих соотношениях компонентов, мол.3:

Оксид бария 47,8-49,3

Оксид свинца 8,5-27,0

Диоксид титана 25,2-42,2

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР и 643979, кл. H 01 С 7/00, 1979.

<в 2. Патент Японии У 51-38915, кл. С 04 В 35/00, 1976 (прототип).