Резистивная композиция


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

Г

), . г ф ф(Ю. Б.Миналгене, В. Б. Симанавичене и К. В. Са аускас

"ь",:",; „",„„13 (72) Авторы нзобретеяив ihip 4 i, i г ., )с (7l ) Заявитель (54) РЕЗИ СТИВНАЯ КОИПОЗИЦИЯ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например в микроэлектронике для изготовления резистивных элементов толстопленочных гибридных интеграль-.

5 ных микросхем.

Из вест на рези сти вная композиция, содержащая токопроводящую фазу на основе оксида рутения, металлический рут ений и сви нцово силикатное стекло(! 5.

Недостатки известной резистивной композиции состоят в узком диапазоне рабочих температур и удельного сопроти вления. 3S

Наиболее близким к изобретению по техническим решениям является резистивная композиция, включающая токопроводящую фазу"из смеси оксидов меди, висмута и рутения, добавку 10 металла и свинцовосиликатное стек î Г2).

Недостатки известной реэистивной композиции заключаются в узком ди2 апазоне рабочих температур и удельного сопротивления.

Цель изобретения - расширение диапазона рабочих температур и удельного сопротивления в низкоомной области с одновременным повышением временной и температурной стабильности сопротивления.

Поставленная цель достигается тем, что резисти вная композиция, включающая токопроводящую фазу из смеси оксидов меди, висмута и рутения, добавку металла и свинцовосиликатное стекло, в качестве добавки металла рутений при следующем количественном соотношении компонентов,, вес.3

Смесь оксидов меди, висмута и рутения 49,9-74,42

Рутений 0,2-6,98

Свинцовосили катное стекло 18, 6-49, 9

При этом токопроводащал Фаза со-. держит оксиды меди, висмута и руте3 960966 4 ния s следующем количественном соот" на керамические подложки с последуношении компонентов, вес.3: ющим отжимом в конвейерной печи при

Оксид меди,, (Cu 0) 5,49 l850о

Оксид висмута (Bi>0$ 53 67 Составы резистивной композиции и

Оксид рутения (Ru0 ) 40,84 характеристики толстопленочных рерези сти аную композйци ю при готов- зи ст оров ° и з готовлен ных на ее осноляют путем смешивания предваритель- se, приведены в таблице. но измельченных смеси оксидов меди, висмута и рутения, металлического ру- Изобретение позволяет расширить тения и свинцовосиликатного стекла 1О диапазон рабочих температур и див виде смеси оксидов, вес,3: A1@0y апазон удельного сопротивления тол9,6; S10 16,5; РЬО 66,7; К О 0,2; стопленочных резисторов и низкоомМа 0 5,0; Нп0 6,0 Затем получен- ной области, повысить временную и ную смесь тщательно диспертровали температурную стабильность из сопров органическом связующем на основе 1$ тивления и увеличить надежность элекланолина. Полученную композицию на- тронной аппаратуры, работающей в жестносили методом траффаретной печати ю х климатических условиях.

1 о о !

Е о х л

М

Э

Е

Э а о с

»О

C) о

»О

° » о

»О

1»»

Ф о

m >х

X Э

I- !Е о m

1 »

° » о

00 О

° ь о м

% о а с

z !с

Ol Ф

IX >X

I- Э о с а m .со. о Ф о с ссэ о о х о л с

1 »

° .

Ю о

1,Л

A о

- Ф

«ф о

1 I 1

X Q.Y

ЭЛZ ь- ь-

Щ о а)с

CD e Ó м

CO о

lA

0Ъ о

CD

+ 0

Э о

Q. a

Э а

I- Л

Х 1tg а

l5 Э с

u zu м

Ю о

1 ъ о

+ о ао

CV 1Ч

+ +

-:з.

Ю

»

CD

+ м

Ю о

LA

CO о

t ai

Ф о

CD о0 о

- C4 ! +!

1о а с о о оэо

r ф

Э CQ

z > х

Э Е со о

1 х

Э х о с

Е о

Y о

Э

m о

11

00 -Ф

О.>

° О О М

СЧ

-з.

1 с

С! . О

Ю

ОО0 CFl 01

QQ е a !ч

° Ф CTl а -т о

Э

X х

l5

% .Cl

Ol

>Е о о) >х о х

X

Iv

Ф

Э

» а

»

Ф

»II

» о со

X

X о с

z о

1 m oC>

Ф Э а u z э о х

Сзоэ

Е аСО >CD

Э Л Эо

1- 1- 1- >,Л л э

1-и чае ео z ао Э

Эо77

С1Ч Э о

Э 3 о

l- аеа

O д Р

v o оаео $ 1ХС0=Г Л

x cL o

m 1- с Фм! х X

X Э 1 о с-и

Ф ecDO

Фсо о

Ф а-ооО

О Э I счсчсч с !» г

960966:

Ф 1- >Z сна И

x o

o z a х о е z о 1- cg >X

Э Э o I". .z о o3 XI-.

I- Е Э Э

° ф

z о о.о

Э Э

1о о

>у 1

X а

Э

>z а

X CII

Х (5 с

g >X

O 1-Х

z э э

m X 1»

3z

Е r а

m 1- >z с а Й

3 у х х о е о 1- с

1- >z

Э ЭО 1-Z

zx ээ

o um xI960966

49 9-74,42

0,2-6,98 форМула изобретения

1. Резистивная композиция, вклю.чающая токопроводящую фазу из смеси оксидов меди, висмута и рутения, добавку металла и свинцовосиликатное стекло, о т л и ч à ю щ а я с я тем, что, с целью расширения диапазонов рабочих температур и удельного сопротивления в низкоомной области с одновременным повышением временной и температурной стабильности сопро тивления, она содержит в качестве добавки металла рутений при следующем количественном соотношении компонентов, весА:

Смесь оксидов меди, висмута и рутения

Рутений

С винцовосиликатное стекло 18,6-"9,9

2. Композиция по и. 1 о т л и ч а ю щ à я с я тем, что токопроводящая фаза содержит оксиды меди, висмута и рутения в следующем количественнбм соотношении, вес,3:

0ксид меди "(Со О), 5,49

Оксид висмута (B1 0 ) 53,67

to Оксид рутения (кцО ) 40,84

Источники информации, принятые в6 внимание при экспертизе

1. Патент США И 3833407, кл. Н 01 С 7/00, 1974 °

2. Патент США И 3950597>, кл. Н 01 С 7/ОО, 1976 (прототип).

Заказ 7301/ 7 Тираж 7 1 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Х-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,, Составитель 6. Герасичкин

Редактор Г.Ус Техред Е.Харитончик Корректор Н,Король

Резистивная композиция Резистивная композиция Резистивная композиция Резистивная композиция 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх