Способ измерения поверхностного заряда диэлектриков
Союз Советсини
Соцналнстичесиии
Республик
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К МтО СКОМ СВИДЕтЕЛЬСтВ ()885928 (6I.) Дополнительное и авт. свид-ву(22)Заявлено 04.07 ° 79 (21) 2788965/18-09 с присоелиненнеит заявки М (23) Приоритет(53)M. Кл.
G 01 R 29/12
)аеударстмииьй кеиитет
СССР ио делаи изееретеиий и открытий
Опубликовано 30.11.81. Бюллетень М 44 (53) УДК 621. 317 (088.8) Дата опубликования описания 30
Ю. П.Топоров, В.И. Анисимова, В.А. Клюев, Т. Н
Б. В. Дерягин и П. E. Михайлов
К 4 » ц (72) Авторы изобретения
Ордена Трудового Красного Знамени институт физической химии АН СССР
6ИЕ„" (71) Заявитель (4) СПОСОБ ИЗИЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ЗАРЯДА
ДИЗЛЕКТРИКОВ
Изобретение относится к радиоизмерительиой технике.
Известен способ измерения поверхностного заряда диэлектриков путем измерения параметров излучения с поверхности заряженного диэлектрика(1)
Однако известный способ не обеспечивает высокой точности измерения.
Цель изобретения - повышение точности.
Для достижения указанной цели в способе измерения поверхностного заряда диэлектриков путем измерения параметров излучения с поверхности заряженного диэлектрика диэлектрик
3$ помещают в вакуум и измеряют энергию электронов, эмитируемых поверхностью заряженного диэлектрика, по величине которой определяют плот нос т ь по верхностного заряда.
Способ измерения основан на том, что поверхности диэлектриков, несущие избыточный электрический заряд боль" ший, чем 10 CGSE/см (3 ° 10 ЯКл/см ), при нахождении их в вакууме выше
10 мм рт.ст . эмитируют поток электронов., При этом энергия U электронов, эмиттируемых заряженной поверхностью образца ограниченного размера, имеющего толщину h и диэлектрическую проницаемость Я,определяется формулой
eG
I о г- Ео
d h где б: плотность поверхностного электрического заряда;
Ест- 8,85 10 " Кл/Всм — электрическая постоянная; е - заряд электрона;
d - расстояние от поверхности заряженного диэлектрика до входной диафрагмы анализа.
Способ реализуется следующим образом.
Измерения проводятся а вакууме
10 -10 мм рт.ст. На некотором удалении от поверхности заряженного диб., !К
Составитель А. Кузнецов
Техред Т.Наточка Корректор Г. Решетник
Редактор Л. Горбунова
Заказ 10537/67 Тираж 735 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, 1-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4
3 885928
4 электрика помещают спектрометр элек - параметров излучения с поверхности ронов, например цилиндрический кон- заряженного диэлектрика, о т л иденсатор Вза-Рожанского. С помощью чающий ся тем, что, сцелью спектрометра определяют энергию О повышения точности, диэлектрик помеэлектронов, . эмитируемых. участком щают в вакуум и измеряют энергию поверхности заряженного диэлектрика, электронов, эмитируемых поверхностью находящимся перед входным отверстием заряженного диэлектрика, по величине спектрометра. По измеренной величине которой определяют плотность поверху и известным и Я и d определяют ностного заряда. плотность поверхностного заряда ° 30 .
Предлагаемый способ по сравнению Источники информации, с известным обеспечивает более высо- принятые во внимание при экспертизе кую точность измерения, Формула изобретения 1. Авторское свидетельство CCCP
Сйособ измерения поверхностного за- < N 248076, кл. G,01 R 29/12, 1968 ряда диэлектриков путем измерения (прототип),
