Способ измерения параметров остаточного заряжения плоских диэлектриков
Способ измерения поверхностной плотности реального (полного) заряда и его среднего положения, а также поверхностных плотностей эффективных зарядов плоских диэлектрических материалов, основанный на индуцировании тока в цепи измерительного вибрационного конденсатора, между обкладками которого находится исследуемый диэлектрик. Плоский диэлектрик помещают в зазор измерительного вибрационного конденсатора, измеряют положение образца в зазоре конденсатора и измеряют ток конденсатора для различных положений образца. Измерительный конденсатор содержит вспомогательный вибрационный конденсатор, электрический сигнал которого используется в качестве синхронизирующего при сопоставлении токов измерительного конденсатора при различных положениях образца в зазоре конденсатора. Техническим результатом является возможность обнаружения изменения начальной фазы колебаний тока измерительного конденсатора и исключение возможной ошибки в определении параметров остаточного заряжения плоских диэлектриков. 3 ил.
Изобретение относится к электротехническим измерениям, предназначено для измерения поверхностной плотности реального (полного) заряда и его среднего положения, а также поверхностных плотностей эффективных зарядов плоских диэлектриков и может быть использовано при диагностике остаточного заряжения различных диэлектрических материалов (электретов).Способ основан на индуцировании тока в цепи измерительного вибрационного конденсатора, между обкладками которого находится заряженный диэлектрик. Применение динамического конденсатора для измерения заряда в плоских диэлектриках известно, например, при компенсационных измерениях, когда внешним компенсационным напряжением достигается нулевой ток в цепи динамического конденсатора. Существенным ограничением компенсационных способов является необходимость применения больших компенсационных напряжений, величина которых при больших плотностях заряда в диэлектриках может достигать нескольких киловольт, что приводит к разрушению исследуемого электретного состояния [1] и делает эти способы недостаточно корректными и технологичными.Наиболее близкими по технической сущности к предлагаемому способу являются патенты RU №1471152 [2], №1688199 [3], №1769157 [4]. В [2] рассмотрен способ измерения заряда в плоских диэлектриках, который позволяет существенно уменьшить величину напряжения на измерительном вибрационном конденсаторе по сравнению с компенсационными способами. В [3] и [4] описаны способы определения среднего положения заряда в плоских диэлектриках вообще при нулевом напряжении на измерительном вибрационном конденсаторе. Отличительная особенность, объединяющая эти способы, в том, что сравнивают величины токов вибрационного конденсатора для различных положений исследуемого образца в зазоре измерительного конденсатора.Недостаток этих способов в том, что при изменении положения образца не учитывается возможность изменения начальной фазы колебаний тока вибрационного конденсатора на противоположную. Т.к. по измеряемой величине тока невозможно определить изменение его начальной фазы, которая зависит не только от величины и полярности заряда диэлектрика, но и от вида его распределения в диэлектрике, это может приводить к ошибкам в определении величины и полярности заряда диэлектрика, а также его среднего положения.Задача, решаемая данным изобретением, - повышение точности измерений. Поставленная задача достигается тем, что в известном способе измерения параметров остаточного заряжения плоских диэлектриков, заключающемся в помещении плоского диэлектрика в зазор измерительного вибрационного конденсатора, изменении положения образца в зазоре конденсатора и измерении тока конденсатора для различных положений образца, согласно изобретению подают постоянное напряжение на вспомогательный вибрационный конденсатор, вибрационный электрод которого механически жестко связан с вибрационным электродом измерительного конденсатора, сравнивают начальные фазы токов в цепях обоих конденсаторов, и, если колебания токов измерительного конденсатора для двух различных положений образца противофазны, то при определении параметров остаточного заряжения токи для двух различных положений образца берут с разными знаками.На фиг.1 представлена схема, реализующая предлагаемый способ. На фиг.2 и фиг.3 показаны временные зависимости токов вспомогательного и измерительного конденсаторов.Предлагаемый способ может быть реализован на следующем устройстве. Устройство состоит из измерительного конденсатора, образованного неподвижным 1 и вибрационным 2 электродами, вспомогательного конденсатора, образованного неподвижным 3 и вибрационным 4 электродами, регулируемого двухполярного источника 5 постоянного напряжения, вольтметра 6, источника 7 постоянного напряжения, вибратора 8, усилителей 9 и 10 переменного тока, осциллографа 11.При измерениях исследуемый плоский диэлектрик 12 толщиной L и диэлектрической проницаемостью























r реального заряда плоского диэлектрика.
Пусть при нулевом напряжении U1=0 в цепи измерительного конденсатора, в зазоре которого на расстоянии l1=1 мм от неподвижного электрода находится диэлектрик, идет ток Im1. Переместим образец на расстояние l2=1,1 мм, т.е. величина перемещения










Формула изобретения
Способ измерения параметров остаточного заряжения плоских диэлектриков, заключающийся в том, что помещают плоский диэлектрик в зазор измерительного вибрационного конденсатора, изменяют положение образца в зазоре конденсатора и измеряют ток конденсатора для различных положений образца, отличающийся тем, что подают постоянное напряжение на вспомогательный вибрационный конденсатор, вибрационный электрод которого механически жестко связан с вибрационным электродом измерительного конденсатора, сравнивают начальные фазы токов в цепях обоих конденсаторов и, если колебания токов измерительного конденсатора для двух различных положений образца противофазны, то при определении параметров остаточного заряжения токи для двух различных положений образца берут с разными знаками.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3