Изобретение относится к электронике и может быть использовано для генерации изображения электронным лучом, а также при наблюдении за диэлектрическими объектами с помощью электронного микроскопа.

В современном электронике широко применяются электроннолучевые системы для записи электронным лучом. Накопление заряда в объекте вызывает отклонение электронного луча от осм. Поэтому во всех случаях, когда к качеству изображения предъявляются высо. кие требования, применение электронного луча связано с обеспечением стока зарядов с поверхности облучаемого объекта.

Известен способ электроннолучевого наблюдения диэлектриков, в котором стабилизация потенциала поверхности осуществляют с помощью тонких пленок полупроводника или металла (1).

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ электроннолучевого экспонирования диэлектрических объектов, включающий операшпо нанесения

2 проводящего слоя на диэлектрический объект (2).

Однако при использовании этих способов образец подвергают денствию повышенной температуры, которую выдерживают не все материалы, а при напылении металлической пленкм объект локально прожигается часпщамм металла. Это повышает дефектность изображении. Кроме того, такие способы требуют дорогостоящего напылительного оборудования и усложняют технологический процесс создания фотошаблонов с диэлектрическими маскирующими покрытиями электронным лучом.

Цель изобретения вЂ” упрощение технологического процесса и обеспечение сохранности объекта.

Укаэанная цель достигается тем, что в качестве проводящего слоя используют органические полупров одники.

Слой наносят.на воздухе при комнатной температуре с помощью центрифуги или методом окунания. Толщина слоя составляет

1-2 мкм.

Составитель В. Гаврюшин

Техред А. Бабинец Корректор Г Назарова

Редактор М. Стрельникова

Тираж 795 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Заказ 10634/66

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 803044

Конкретный органический полупроводник (полимер) выбирают нз условий, прн которых нанесенный слой сообщает диэлектрическому объекту поверхностную проводимость на уровне 10 сим/см, а растворитель полимера не растворяет вещество объекта. После сушки объект на несколько часов помещают в рабочую камеру электроннолучевой установки, проводящую экспонирование его электронным лучом и обеспечивающую прижим проводящего слоя к токосьемному контакту. Заряды, принесенные в объект электронным лучом, стекают по нанесенному на него полупроводнику на металлический контакт, что обеспечивает электронейтральность обрабатываемой структуры, Пример. В качестве органического полупроводника используется поли-N-винилимидазол, который растворяется в этнловом спирте и концентрации 1-20%. Раствор с помощью центрифуги наносится на готовый фотошаблон на основе хрома или окиси железа.

Толщина покрытия 1 мкм.

После сушки при комнатной температуре в течение 1 ч поверхностный слой имеет проводимость порядка 10 а сим/см. Затем фотошаблон помещается в камеру электронного микроскопа, в котором контролируются линейные размеры и дефектность изображения на фотошаблоне.

Предлагаемый способ сохраняет топологический контраст диэлектрического объекта при наблюдении за ним с помощью электронного микроскопа, дает возможность экспонировать диэлектрические объекты в электроннолучевых установках для микрообработки при генерации изображения на фотошаблонах и улрощает технологический процесс создания фотошаблонов, так как нанесение слоя органического полупроводника не требует высоких температур и вакуумного оборудования.

Формула изобретения

Способ электроннолучевого экспонирования диэлектрических объектов, включающий операцию нанесения проводящего слоя на диэлектрический объект, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощения технологического процесса и обеспечения сохранности объекта, в качестве проводящего слоя используют органические полупроводники.

Иста кики информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Шульман А. Р. и Фридрихов С. А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.,"Наука,"1977, с. 391.

2. Заявка Великобритании N 1340403, кл. Н 01 J 37/02, опублик. 1973 (прототип).

Способ электронно-лучевого экспони-рования диэлектрических обектов

Похожие патенты:

Патент 378996 // 378996

Патент 277962 // 277962

Устройство для травления органических объектов // 260026

Патент 155572 // 155572

Универсальный дуговой источник вуф-фотонов и химически активных частиц // 2324255

Изобретение относится к источникам ВУФ-фотонов и химически активных частиц, предназначенным для поверхностной обработки ВУФ-излучением, а также для плазмохимического травления и наращивания материалов на подложках с большой общей обрабатываемой площадью

Электронно-лучевое испарительное устройство // 980560

Ионно-оптическая система для ионной обработки // 1428100

Способ юстировки рентгеновского микроанализатора // 1697139

Изобретение относится к области технической физики, конкретнее к средствам настройки и контроля работы рентгеновских микроанализаторов