Устройство для создания высокого давления

 

1. Устройство для создания высокого давления, содержащее две соосно установленные матрицы с центральными углублениями на обращенных друг к другу торцах, имеющими сферические поверхности, вставки, имеющие форму усеченных конусов, соосно установленные в углублениях, образец, установленный между торцами вставок, кольцо с боковой поверхностью, образованной пересекающимися поверхностями, установленное концентрично с образцом, и прокладками из электроизоляционного материала, отделяющие поверхность кольца от поверхности углублений, отличающееся тем, что, с целью повышения давления и увеличения надежности работы устройства, радиус сферических поверхностей кольца составляет 1,05 - 1,30 радиуса сферической поверхности углубления матриц, наружный диаметр кольца равен 0,96 - 1,00 диаметра углубления матрицы.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью увеличения прочности, кольцо состоит из обоймы и размещенного в ней с натягом вкладыша из материала, имеющего модуль упругости выше, чем материал обоймы.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к способам получения сверхтвердых материалов в аппаратах высокого давления и температуры и может найти применение в машиностроении в качестве конструкционного материала и абразивно-режущего инструмента
Изобретение относится к области получения сверхтвердых материалов в аппаратах высокого давления и температуры и может найти применение в машиностроении в качестве конструкционного материала и абразивно-режущего инструмента

Изобретение относится к взрывному синтезу алмазов и может быть использовано для синтеза алмаза непосредственно в процессе детонации углеродсодержащего взрывчатого вещества с отрицательным кислородным балансом (BB) и дальнейшего разлета продуктов взрыва

Изобретение относится к технике для производства сверхтвердых материалов (СТМ), например алмазов, путем синтеза

Изобретение относится к технологическим приемам получения искусственных кристаллов алмаза из углеродсодержащего сырья, при высокой температуре и в атмосфере сжатого газа, относительно низкого давления
Изобретение относится к изготовлению промышленных алмазов, а точнее к способам изготовления поликристаллических алмазных слоев для электронной промышленности, точной механики, микротехнологии
Изобретение относится к области изготовления сверхтвердых материалов из углеродной массы

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов алмаза для алмазного инструмента

Изобретение относится к области неорганической химии, в частности к способам получения графитоподобного нитрида бора (ГНБ) в режиме самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), который может быть использован в области получения керамических материалов, как исходный продукт для синтеза плотных сверхтвердых модификаций нитрида бора, в химической и абразивной промышленности
Наверх