Раствор для удаления защитного слоя фоторезиста
ОДИГД,НИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
G 03 G 11/24
Государствеииый комитет
СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.7.02б (088.8) Опубликовано 0505,80. Бюллетень ¹ 17
Дата опубликования описания 050580 (72) Авторы изобретения
Б.Е.Раснецова, М.A.Öàðåâà и Ш.Л.Кегелес (71) Заявитель (54) РАСТВОР ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ЗАЩИТНОГО СЛОЯ
ФОТОРЕЗИСТА
Иэобретвние относится к растве-. рам для удаления защитного слоя фоторезиста, используемым в фотолитографических процессах при производстве интегральных схем, выводных рамок для них, фотошаблонов, печатных плат и других аналогичных изделий.
Известен раствор для удаления защитного слоя фоторезиста, включающий азотную кислоту, органическую добавку — соединение в виде сульфоновой ароматической кислоты или ароматического углеводорода, или его смеси с хлорированным углеводородом и воду (1) . 15
Недостатком известного раствора является то, что ои не обеспечивает полноты удаления негативного фоторезиста на основе водорастворимых полимеров, очувствление диаэосоединениями, является агрессивным и разрушает металлические подложки, а также то, что в процессе удаления фотореэиста требуется нагревание.
Цель изобретения — создание раствора для удаления защитного слоя фоторезиста, обеспечивающего полноту удаления и улучи?ение технологии процесса снятия негативного фоторезиста. 30
Сущность изобретения заключается в том, что известный раствор для удаления защитного слоя фотореэиста содержит в качестве органической добавки тиомочевину и феноксол при следующем соотношении компонентов, вес.%:
Азотная кислота ((с1=1,34) 30-40
Тиомочевина 1-5
Феноксол 0,1-0 5
Вода Остальное
ОСобенностью предлагаемого решения является совокупность воздействия вышеприведенных компонентов раствора на слой фоторезиста, наиесенный на металл, диэлектрик или полупроводник.
Основной компонент раствора — разбавленная азотная кислота — вызывает отслаивание пленки фотореэиста от подложки. Но при этом происходит разрушение подложки, а фотореэист удаляется не полностью.
При добавлении в разбавленную кислоту тиомочевины разрушения подложки не наблюдается, но на поверхности ее все же остаются островки неудаленной пленки фотореэиста. И только при добавлении к смеси азотной
732788
Таблица обработки
Полнота удаления фотореэиста
30 прим разр
Известный раствор остатки фоторезиста
Тиомоченина 1
0,1
Феноксол
2, Азотная к-та (й- 1,167) 100
3 20
Тиомочевина кислоты с мочевиной феноксола достигается желаемый результат: фотореэист удаляется полностью, при этом поверхность подпожки остается чистой и неразрушенной ° При добавлении феноксола к азотной кислоте без тиомочевины поверхность подложки разрушается, а фотореэист удаляется неполностью.
Феноксол представляет собой смесь полиоксиэтиленгликоленых эфирон иэооксифенола. Условная структурная формула
1 сн (сн) с о(сн сно)н и = 10 (в среднем), Условная молекулярная масса (по международным атомным массам 1969г)
646. Удаление фоторезиста в указанном растворе происходит за 3-5 мин.
Цель изобретения — быстрое и полное, без разрушения подложки, удаление фоторезиста на основе поливинилового спирта, требующего высокой температуры задубливания (300-300 C) достигается добавлением к раствору ,азотной кислоты органической добавки, состоящей из смеси тиомочевины и феноксола. Как показали исследования, использование данной сложной добавки позволяет также снизить концентрацию азотной кислоты и уменьшить агрессинность раствора что облегчает работу с ним и создает возможность механизации процесса.
Предлагаемый раствор для удаления фоторезис"a готовится путем растворения I. иомочевины н воде, доПредлагаемые составы: г
l. Азотная к-та (d — 1,167) 100 банления феноксола и затем азотной ,кислоты при перемешивании ° После приготовления раствор необходимо выдержать не менее 0,5 ч при комнатной температуре. Рабочая температура раствора 18-20 С.
Ниже приведены примеры использонания предлагаемого раствора для удаления фотореэиста, на основе ПВС, эадубленного при высоких температурах, с различных подложек, вес.%:
Пример 1.
Азотная кислоту (d — 1, 34 г/см ) 30
Тиомочевин а 1 в
Феноксол 0,1
Вода Остальное.
Подложка — никелевая заготовка, температура эадубливания — 300 С, о время полного удаления фотореэиста
20 5 мин.
Пример2.
Азотная кислотэа (д — 1,34 г/см ) 35
Тиомоченина 3
Феноксол 0,3
Вода Остальное
Подложка из сплава 47 НД, температура эадублинания 250 С.
ПримерЗ.
Азотна я ки слота (1 — 1, 34 г/см ) 40
Тиомочевина 5
Феноксол 0,3 .
Вода Остальное
Подложка — ковар, температура эадублинания — 200 С, время полного удаления фоторезиста — 2 мин, Результаты сравнительных испытаний приведены в таблице.
5 — — не раэр. удалены полностью
4 не прим. не раэр. удален полностью
732788
Продолжение табл.
Феноксол
0,3
3. Азотная к-та (d — 1,167) 100
Тиомочевина 5
Феноксол 0,5
1 I 1 I
Формула изобретения
Составитель В.Матросов
Техред A.Ùåïàíñêàÿ
Коректор Ю.Макаренко
Редактор Н.Горват
Подписное
Заказ 1551/9 Тираж 526
ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035 Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП Патент, г ° Ужгород, ул. Проектная, 4
Как видно иэ таблицы, растворы по описанному в заявке решению быстро и полно снимают защитный рельеф из негативного фоторезиста, на основе поливинилового спирта, очувствленного диаэосмолой эадублено
1 ного при 200 С и выше. При этом не требуется механическогО воздействия и не происходит разрушения подложки. Рекомендуемые растворы не опасны при работе и могут быть использованы не только при ручной, но и при машинной обработке иэделий, изготавливаемых с помощью фотолитографии. 35
Практическ ое ис поль зов ание предлагаемого раствора поз воля ет из готовить выводные рамки для интегральных схем иэ ковара, никеля, меди печатные платы с фоторезистом на основе поливинилового спирта, эадубленным при высоких температурах (200 С и выше) . При этом обеспечивается быстрое и полное удаление фотореэиста с.подложки без ее разрушения и высокая чистота обрабатываемой поверхности. Применение данного раствора в производстве позволяет (при использовании соответствующих фотореэистов) повысить производительность процесса фотолитографическо 1 обработки на операции снятие фотореэиста в 10 раз и увепичить выход годных изделий на 5-10%.
Раствор для удаления защитного слоя фотореэиста, включающий азотную кислоту, органическую добавку и воду, отличающийся тем, что, с целью обеспечения полноты удаления и улучшения технологии процесса снятия негативного фотореэиста на основе водорастворимых полимеров, очувствленных дичэосоединениями, он содержит в качестве органической добавки тиомочевину и феноксол при следующем соотношении компонентов, вес.Ъ:
Азотная кислота (d — 1, 34) 30-40
Тиомочевина 1-5
Фен оксол О, 1-0,5
Вода Остальное
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Патент. Франции 92021696, кл. G 03 F 7/00, опублик. 1970 (прототип).
