Устройство для обработки кристаллов

 

!

ОПИСАНЙЕ

ИЗ ОБРЕТЕИЙЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 300178 (21) 2574563/29-33 с присоединением заявки ¹â€” (51) М,,(„г

В 28 D 5/00 (23) Приоритет—

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 050480, Бюллетень ¹ 13 (53) 4К679, 86 (088. 8) Дата опуб.-икования описания 05,04.80 !

В.Г.Говорков, А,Е.Смирнов, Л.M.Çàòóëoâñêèé,Ë.Ï.Åãoðoâ, С.Е,Азолян и К.A. Костандян (72) Авторы изобретения

Институт кристаллографии им. A.Â.Øóáíèêoâà АН СССР (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение касается обработки кристаллов, а именно устройств для обработки кристаллов корунда.

Известно устройство для обработки кристаллов, включающее корпус и кювету с травящим реагентом (1).

Недостаток этого устройства заключается в том, что кристалл растворяется анизотропно, а это снижает точность обработки.. Наиболее близким техническим решением к изобретению иэ известных .является устройство для обработки кристаллов, включающее корпус и закрепленные на нем держатель кри-. сталла, кювету, геометрическая форма которой соответствует геоме-. трической форме иэделия, и систему подачи травящего реагента в зону обработки (2).

Недостаток указанного устройства заключается в различной интенсивности травления отдельных участков кристалла, обусловленной различной скоростью удаления травящего реагента из зоны обработки, что снижает качество и производительность обработки.

Целью и э о бретени я является по« вышение качества и производительности обработки кристаллов.

Поставленная цель достигается тем, что устройство для обработки кристаллов, включающее корпус и закрепленные на нем держатель кристалла, кювету, геометрическая форма которой соответствует геометрической форме иэделия, и систему подачи травящего реагента в зону обработки, снабжено системой регулируемых каналов для отвода травящего реагента из зоны обработки, причем кювета выполнена в виде полого цилиндрического многогранника, а держатель кристалла ориентирован относительно кюветы так, что ребра кристалла расположены против граней кюветы. Для обработки внутренних поверхностей полых изделий устройство может быть снабжено геометрически подобным

KIcвете стержнем, установленным соосно кювете так, что ребра стержня расположены против ребер кюветы.

Такое выполнение устройства обеспечивает равномерность обработки раэличнык участков кристалла и

725867 тем самым повышает качество и производительность изготовления иэделий.из корунда.

На фиг.1 изображено устройство для обработки кристаллов, продольное сечение; на фиг.2 — то же, поперечное сечение.

Устройство для обработки кристаллов содержит корпус 1 и закре-, пленную на нем кювету 2 в виде полого цилиндрического многогранника.

Соосно кювете 2 на корпусе 1 установлен стержень, геометрическая форма которого подобна геометрической форме кюветы 2.

Кюветы 2 .и стержень 3, выполйенные иэ графита, одинаково ориен ированы друг относительно друга.Держатель 4 кристалла установлен на кювете 2.

Держатель 4 и корпус 1 выполнены из молибдена.В кювете 2 выполнена система каналов 5, равномерно расположенных по высоте кюветы.. -:Вокруг кюветы 2 смонтированы подвижные экраны б, в которых выполнены сквозные отверстия 7.

Подвижные экраны б с отверстиями 7 и каналы 5,кюветы 2 образуют систему регулируемых канапов для отвода травящего реагента из зоны обработки.

Работает устройство следующим образом.

Кристалл 8 устанавливают в держателе 4, который ориентируют от носительно кюветы 2 так, чтобы ребра кристалла 8 бьли расположены против граней кюветы 2 (фиг. 2) .

Устройство помещйот в реакцион- ную камеру, снабженную системой подачи травящего реагента (не показано) .

В результате термохимического травления пройсходит растворение дефектного поверхностного слоя

"" кристалла.

Перемещая подвижные экраны б относительно кюветы 2, управляют интенсивностью травления путем полного или частичного перекрывания отверстий 7 и каналов 5.

Изменение скорости отвода травящего реагента иэ эоны обработки и ориентация кристалла 8. относительно кюветы 2 обеспечивают равномерность обработки различных участков кристалла 8.

Формула изобретения

1. Устройство для обработки кристаллов преимущественно корунда, включающее корпус и закрепленные на щеке держатель кристалла, кювету, геометрическая форма которой соответствует геометрической. форме изделия, и систему подачи травящего реагента в зону обработки, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышечия качества и производительности обработки, оно снабжено системой регулируемых каналов для отвода .травящего реагента из эоны обработки, причем кювета выполнена в виде полого.ци2$ линдрического многогранника, а держатель кристалла ориентирован относительно кюветы так, что ребра кристалла расположены против граней кюветы.

2. Устройство для обработки крйсталлов по ri.1 о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повы- шения качества обработки внутренних поверхностей полых изделий из кристаллов, оно снабжено геометрй чески подобным кювете стержнем, установленным соосно кювете так, что ребра стержня расположены против ребер кюветы.40

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9 358287, кл. С 03 С 25/06, 1971;

2. Авторское свидетельство СССР.

Р 286163, кл. С 03 С 23/00, 1969.

1725887

Составитель В.Холопов

Редактор И.Квачадзе Техред С.Мигай Корректор В.Синицкая

»

Заказ 571/12 Тираж 635 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Рауыская наб., д.4/5

Филиал IIIIII Патент, F Ужгород, ул.Проектная,4

Устройство для обработки кристаллов Устройство для обработки кристаллов Устройство для обработки кристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к механической обработке кристаллов, а именно к устройствам для огранки драгоценных камней, преимущественно алмазов
Изобретение относится к обработке алмазов, а именно к нанесению несмываемой линии на алмаз
Изобретение относится к обработке алмазов, а точнее к способу изготовления алмазных украшений с использованием метода нанесения несмываемых линий (гравировки) на алмазе

Изобретение относится к области технологии обработки поверхности геолого-минералогических аншлифов в лабораторной практике, а также к технологии шлифовки и огранки поделочного и ювелирного камня

Изобретение относится к разрезанию блоков из твердых материалов, в частности из полупроводников, стекла и керамики, на пластины путем воздействия свободно подаваемого абразива и бесконечного циркулирующего прочного несущего элемента

Изобретение относится к производству бриллиантов, а также может быть применено при распиливании драгоценных камней

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых подложек и предназначено для использования на операциях резки монокристаллов кремния на пластины в электронной промышленности

Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов, а именно к способам механической резки монокристаллов на пластины

Изобретение относится к способам обработки янтарного сырья преимущественно мелких фракций и получения янтарных изделий, а также различных композиций, в состав которых входит янтарь
Наверх