Долговременный запоминающий элемент

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

«»680054 (63) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 2002,78(21) 2581255/18-24 с присоединением заявки ¹(23) Приоритет— (51)М. Кл.2 (, "11 С 17/00

G 11 С ll/34

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 150879 бюллетень № 30

Дата опубликования описания 180879 (53) УДК б81.327.28 (088.8) (72) Авторы изобретения

В.A. Вавилов, Л.М. КОломийцев, В.К. Гаврилов, Ю.Г. Миллер, Ю.И. Щетинин и В.Н . Мурашев (71) Заявитель (54) ДОЛГОВРЕМЕННЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при создании интегральных перепрограммируемых запоминающих устройств ЭВМ.

Известны запоминающие элементы (1-3), содержащие МДП-прибор с изме-, няемям порогом включения и управляющие транзисторы. Однако известные элементы не обеспечивают надежное программирование состоящего из них запоминающего устройства, так как используют малоустойчивые физические эффекты, имеют сложную структуру диэлектрика МДП-прибора и количество шин, превышающее два.

Наиболее близким по технической сущности к данному изобретению является долговременный запоминающий элемент, содержащий МДП-прибор с 2О лавинной инжекцией и плавающим затвором, биполярный транзистор, разряцную и числовые шины (4). Однако использование в этой ячейке МДПприбора с лавинной инжекцией и плавающим затвором требует значительных величин управляющих напряжений, в результате чего существует значй. тельная вероятность выхода из строя

МДП-прибора вследствие пробоя окисла; кроме того, наличие плавающего затвора делает МДП-прибор менее технологичным, чем МДП-транзистор, программируемый с помощью облучения.

Целью изобретения является упрощение запоминающего элемента.

Поставленная цель достигается тем, что в долговременный запоминающий элемент, содержащий биполярный транзистор, коллектор которого соединен с затвором МДП-транзистора, а эмиттер — с разрядной шиной, и числовые шины записи и считывания, введен диод, анод которого подключен к числовой шине считывания, катод — к истоку МДП-транзистора, сток которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, база которого подключена к числовой шине записи.

На фиг. 1 показана схема запоминающего элемента; на фиг. 2 — структура запоминающего элемента, который содержит программируемый с помощью ионизирующего излучения МДП-транзистор 1, биполярный транзистор 2, диод

3, разрядную шину 4, числовые шину записи 5 и шину считывания б °

Запись оперативной информации в запоминающий элемент происходит следующим образом: на шину записи б

680054

5 Формула изобретения

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

Фйу.;

Составитель Ю. Ушаков

Редактор Н. Каменская Техреду.андрейко Корректор В. Бут яга

Тираж 681 Подписное цНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Заказ 4802/48

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, Ул. Проектная, 4 подается положительный сигнал, в ре. зультате чего через коллекторный переход биполярного транзистора 2 заряжаются емкости затвор-подложка

МДП-транзистора и он открывается (записана лог. 1 ) . Затем, подачей тока в базу биполярного транзистора 2 по шине записи 6 при нулевом потенциале на выбранных разрядных шинах 4 осуществляется нейтрализация заряда на затворе МДП-транзистора (записан Лог.0 ), Считывание оперативной, информации осуществляется подачей сигнала на шину считывания 5 через развязывающий диод 3 и открытый МДП-транзистор .

Запоминание постоянной информации осуществляется путем облучения элемЕнта в котором сохраняется оперативная информация, в распределенном поле ионизирующего излучения.

В процессе облучения оперативная информация фиксируется . После окончания.облучения и отключения питайия информация сохраняется в виде встроенных каналов в МДП-транзисторах ячеек, в которых была записана Лог ° 1 .

Стирание постоянной информации производится путем повторного облучения без подачи питания. После того как постоянная информация стерта, может быть записана новая информация °

Экономический эффект изобретения состоит в повышении надежности программирования и технологичности запоминающей ячейки.

Долговременный запоминающий элемент, содержащий биполярный транзистор, коллектор которого соединен с

)() затвором МДП-транзистора, а эмиттер— с разрядной шиной, и числовые шины записи и считывания, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения элемента, в него введен диод, анод которого подключен к числовой шине считывания, а катод — к истоку

МДП-транзистора, сток которого соединен с эмиттером биполярного тран° зистора, база которого подключена к числовой He BanHcH °

1. Заявка Японии Р 44-44586, кл. 97/7/С 13, 1973.

2, Заявка Великобритании 91310471 кл. С 4 С, 1973 °

3 ° Заявка Великобритании 91390034 кл. H 3 Т, 1975.

4. Заявка Франции 9 2252627, кл. G 11 С 11/40, 1975.