Инжекционный запоминающий элемент

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву—

Союз Советскик

Социалистических

Республик

< 480051 (51)М. Кл.2 (22) Заявлено 200278 (21) 2581256/18-24 с присоединением заявки №(23) Приоритет

6 11 С 17/00

6 11 С 11/34

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 15.08.79. Бюллетень ¹ 30

Дата опубликования описания 180879 (53) УДК 681. 327.67 (088.8) (72) Авторы изобретения

В.Н. Мурашев и Л.М. Коломийцев (71) Заявитель (54) ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при создании интегральных оперативных запоминающих устройств, сохраняющнх информацию при отключении питания.

Известны инжекционные запоминаю- > щие элементы, содержащие полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой расположена:первая область второго типа проводимости, в первой области расположены первая и вторая области первого типа проводимости, во второй из кото-. рых расположена вторая область вто- 15 рого типа проводимости, и проводящий электрод fl).

Недостатком известных инжекционных запоминающих элементов является разрушение информации при отключении питания.

Целью изобретения является расширение области применения элемента:.":-. за счет сохранения информации при отключении питания.

Это достигается тем, что в предлагаемый инжекционный,запоминающий элемент введен слой диэлектрика, расположенный на поверхности второй области первого типа проводимости и частично на поверхностях первой и второй, областей второго типа проводимости, на котором расположен проводящий электрод, соединенный с первой .областью второго. типа проводимости; кроме того, с целью увеличения быстродействия элемента, соединение проводящего электрода с первой областью второго типа проводимости выполнено в виде диода Шоттки.

На чертеже показан пример структуры инжекционного запоминающего элемента.

Инжекционный запоминающий элемент состоит иэ запоминающего транзистора (п-р-п-типа), эмиттером которого является вторая область 1 второго типа (n-типа), базой-вторая область 2 первого типа проводимости, коллектором — первая область

3 второго типа проводимости, и .инжекционного транзистора (р-п-р-типа), эмиттером которого является первая область 4 первого типа проводимости, базой — первая область 3 второго типа проводимости, коллектором — вторая область 2 первого тина проводимостиу слоя диэлектрика 5 и токопроводящего электрода 6. Инжекционный запоминающий элемент изолируется от г

680051 l0

Формула изобретения

20

30

35 г.

Источники информации, . принятые во внимание при экспертизе

1. Ж. Электроника, пер. с англ., 1976, Р 17, с ° 40.

Сост авитель IO. Ушаков

Редактор Н. Каменская Техред g. Андрейко Корректор В. Бутяга

Тираж 6 81 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 4802j48

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 других аналогичных элементов окислом

7 и расположен в подложке 8. (Следует отметить, что наличие окисных областей 7 является несущественным приз— наком) .

Запись, хранение и ситывание операгивной информации в предлагаемый инжекционный элемент осуществляется по известной методике. При этом, емкость, образованная дополнительным элементом — электродом 6, слоем диэлектрики 5 и областью 3, включена параллельн о (з апомин ающей ) емкости базо-коллекторного перехода запоминающего транзистора и, следовательно, увеличивает эффективное значение хранимого сигнала. Запоминающий элемент имеет либо заряженное состояние запоминающей емкости (состояние лог. 0 ), либо разряженное (лог. 1 ).

Для фиксации оперативной информации, находящейся в запоминающем элементе, последний облучается в активном режиме, в результате чего в слое диэлектрика 5 под электродом

6 происходит накопление заряда в случае, если емкость (электрод 6 область 3) з аряжен а (состояние лог. 0 ), и наоборот, накопление заряда в слое диэлектрика не происходит, если вышеуказ анная емкость не заряжена (состояние лог. Г ) .

Накопление заряда в слое диэлектрика 5 (положительного) приводит к существенному изменению порога сраба-» тывания МДП-транзистора, образованного электропроводящим электродом 6 (затвор), диэлектриком 5, областью

1 (исток), областью 4 (сток), и областью 3 (подзатворная область) .

Считывание зафиксированной информации осуществляется приложением отрицательного напряжения на управляющий затвор 6 (относительно потенциала областей 3, 4), которое по величине больше (меньше) порога срабатывания МДП-транзистора, облучавшегося в состоянии лог. 0, и меньше (больше) порога МДП-транзистора, облучавшегося в состоянии лог. 1 .

Стирание зафиксированной (постоянной) информации осуществляется повторным облучением запоминающего элемента при нулевом напряжении на запоминающем конденсаторе (лог. Г ) в результате чего заряд, наведенный в диэлектрике, рассасывается.

1. Инжекционный запоминающий элемент, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенной в ней первой областью второго типа проводимости, в которой размещены первая область первого типа проводимости и вторая область первого типа проводимости, в которой размещены вторая область второго типа проводимости, и проводящий электрод, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью расширения области применения элемента за счет сохранения информации при отключении питания, он содержит слой диэлектрика, расположенный на поверхности второй области первого типа проводимости и частично на поверхностях первой и второй областей второго типа проводимости, на котором расположен проводящий электрод, соединенный с первой областью второго типа проводимости.

2. Элемент по п. 1, отличающийся тем, что, с целью увеличе;ния быстродействия элемента, соединение проводящего электрода с первой областью второго типа проводимости выполнено в виде диода Шоттки.