Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия

 

1. Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия, включающий легирование исходного материала, изготовление подложек, облучение ионами и создание инверсионного слоя последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью упрочнения имплантированного слоя, облучение проводят при температурах подложек от 0,6 T_пл до 0,95 T_пл дозами от 6 10¹⁴ до 6 10¹⁷ см^-2 и греющими плотностями ионного тока от 10 до 50 мкА/см².

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентраций электронов в упрочненном слое до 8 10¹⁹ см^-3, антимонид индия легируют германием, облучают ионами аргона и проводят лазерный отжиг плотностью мощности от 6 до 56 квт/см² при длительности импульса от 6 10^-3 до 0,8 10^-3 с.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что антимонид индия легируют германием, облучают ионами аргона и проводят лазерный отжиг с плотностью мощности от 4 до 300 мвт/см² при длительности импульса от 5 10^-8 до 0,3 10^-8 с.

4. Способ по п.1, 2 и 3, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентрации электронов в упрочненном слое от 1,1 10²⁰ до 2,5 10²¹ см^-3, подложку облучают ионами теллура.

5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью управления глубиной n-слоя в структурах n⁺-n-p от 10 до 500 мкм, антимонид индия легируют германием до получения концентрации дырок от 1 10¹² до 5 10¹³ см^-3, а облучение осуществляют ионами теллура в течение времени от 20 до 2 10³ с.