Полупроводниковый ключ

ОПИСАНИ

ИЗОБРЕТЕН И

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (63) Дополнительное к авт. саид-ву(22) Заявлено 0 10677 (21) 2491539/18-2 с присоединением заявки ¹Государственный комитет

СССР по дедам изобретений и открытий (23) ПриоритетОпубликовано 050579.Бюллетень №

Дата опубликованию описания 05057 (72) Автор изобретения

E.Ñ.ßêoâëåâ (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЛЮЧ

Устройство относится к области радиотехники, импульсной и вычислительной техники, и может быть использовано в дискретных фазовых устройствах и в системах многоканальной свя. зи для передачи высокочастотных синусоидальных и импульсных сигналов в электрических цепях.

Известны полупроводниковые ключи, содержащие последовательно соединенные входной и выходной эмиттерные повторители на транзисторах, причем база транзистора выходного эмиттерного повторителя соединена с обшей шиной через управляющий транзистор (1). 5

К недостаткам подобных устройств относятся низкое входное сопротивление ключа в закрытом состоянии, ограниченное быстродействие, значительное потребление мощности и значительная 20 погрешность передачи сигнала.

Наиболее близким по технической сущности к предложенному является полупроводниковый ключ, содержащий управляющий и коммутирующие транзис/ торы и источник питания, причем база первого коммутирующего транзистора через разделительный конденсатор соединена с входной клеммой устройства; коллектор второго коммутирующего тран о зистора связан с шиной источника питания, а его эмиттер объединен с выходной клеммой устройства и через резистор подключен к общей шине; база второго коммутирующего транзистора соединена с коллектором управляющего транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена. к шине управляющего сигнала (2).

K недостаткам этого ключа относятся значительная погрешность передачи сигнала и низкое сопротивление в закрытом состоянии.

С целью уменьшения погрешности передачи и увеличения сопротивления ключа в закрытом состоянии в полупроводниковом ключе, содержащем управляю- щий. и коммутирующие транзисторы, источник питания, разделительный конден -сатор,резистор,коммутирующие транзисторы имеют йротивоположный тип проводимости, причем коллектор первого коммутирующего транзистора подключен к обшей шине, а эмиттер непосредственно связан с базой второго .коммутирующего транзистора, а через резистор - с шиной источника питания.

Электрическая схема предложенного полупроводникового ключа изображена на чертеже.

661799 (2

Составитель В.Нефедов

Редактор Т.Орловская Техред О.Андрейко Корректор O.Билак

Заказ 2512/65 :Тираж,1059 Подписное

ЦИИИПИ Государственного комитета СССР . по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.,д.4/5

Филиал ППП Патейт, г.ужгород, ул.Проектная,4

Ключ содержит коммутирующие транзисторы 1,2, управляющий транзистор 3, резисторы 4-6 делителя; токозадающие резисторы 7,8 коммутирующих транзисторов; разделительный конденсатор 9, шину 10 источника питания; входную 11 и выходную 12 клеммы, шину 13 управляющего сигнала.

Принцип дествия устройства состоит в следующем. При отсутствии на уп" равляющем входе, запрещенного сигнала управляющий транзистор 3 закрыт. Пос- 0 тупающие на вход схемы, через разделительный конденсатор 9 сигналы усиливаются по току транзисторами 1 и 2 и проходят на выход схемы. При поступлении на управляющий вход (ши- 15 ну 13) запрещающего сигнала управляющий транзистор 3 открывается, входит в насыщение и малым сопротивлением перехода коллектор-эмиттер шуйтирует эмиттерно-коллекторный переход тран- 20 зистора 1 и базо-эмиттерный переход транзистора 2. При этом транзисто- ры 1 и 2 запираются, так как база транзистора 1 оказывается под более высоким потенциалом, чем его эмиттер, а база транзистора 2 - под потенциа- . лом более низким, чем порог отпиранйя базо-эмиттерного перехода транзистора. В этом случае входной сигнал не "проходит на выход"ключа, и достигаются более значительное ослаблейие сигнала и высокое входное сойротивление ключа.

Формула изобретения

Полупроводниковый ключ, содержащий управлякщий и коммутирующие тран- 35 зисторы и источник питания, причем база первого коммутирующего транзистора через разделительный конденсатор соединена с входной клеммой устройства, коллектор второго коммутирующего транзистора связан с шиной источника питания, а его эмиттер объединен- с выходной клеммой устройства и через резистор подключен к общей шине, база второго коммутирующего транзистора соединена с коллектором управляющего транзистора, змиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к шине управляющего сигнала, о т л и.ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения погрешности передачи увеличения сопротивлеI ния ключа в закрытом состоянии, коммутирующие транзисторы имеют противоположный тип проводимости, причем коллектор первого коммутирующего транзистора подключен к общей шине, а эмиттер непосредственно связан с базой второго коммутирующего транзистора, а через резистор — с шиной источника питания.

Источники инФормации, принятые во внимание при экспертизе.

1. Авторское свидетельство СССР, Р 437221, МКИ . Н 03 К 17/60, 10.01.1972.

2. Авторское свидетельство СССР, Р 473299, ИКИ Н 03 К 17/04, 22.01,1974.