Способ определения кристаллографической ориентации кристаллов со структурой сфалерита

ОПИСАНИЕ

И О РЕ ЕНИ " 642798

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскни

Соцнапнстнческни

Республик (6l) дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 110777 (21) 2506469/18-25 с присоединением заявки № (51) М. Кл.

Н 01 (21/66

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет

/ (5З) УДК 621.382 (088. 8) Опубликовано 150179- Б)оллетень №

Дата опубликования описания 1501,79 (72) Авторы изобретения

В.F.. Кревс, М.B. Пашковский, И.М. Спитк и И.Л. Чеджемова

JIbBoBcKHA ордена Ленина государственный нверсйтет им. Ивана Франко (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ

ОРИЕНТАЦИИ КРИСТАЛЛОВ CO СТРУКТУРОР

СФАЛЕРИТА

Изобретение относится к полупроводниковому материаловедению и может быть использовано в кристаллографии, в частности, для определения кристаллографической ориентации непрозрачных кристаллов.

Известен способ определения кристаллографической ориентации непрозрачных кристаллов по отклонению симметричности фигур травления, наблюдаемых в отраженном свете (1) .

Недостатком известного способа является то, что он требует значительной затраты времени и применения сложной аппаратуры.

Известен также способ определения кристаллографической ориентации кристаллов со структурой сфалерита, ос:нованный на механической деформации поверхности кристалла с последующим наблюдением фигур удара на просвет (2).

Однако этот способ приемлем только для определения кристаллографической ориентации прозрачных кристаллов, так как наблюдение фигур Удара производят в объеме прозрачного кристалла в проходящем свете (2) .

Целью изобретения является определение кристаллографической ориентации непрозрачных кристаллов.

Цель достигается тем, что ориентацию определяют по системе полос сдвига, соответствующих линиям пересечения плоскостей типа (Н1) с исследуемой плоскостью, путем наблюдения под микроскопом микротвердомера поверхности кристалла в отраженном свете.

Способ основан на использовании постоянства систем скольжения в кристаллах, которые для материалов со структурой сфалерита (Но Те, Hg 5е, ZnTQ и др) являются плоскостями типа (Н! )

Примеры конкретного использования предлагаемого способа.

Пример 1. Поверхность(Н() монокристалла НоТе, выраженного из газовой фазы, импульсно индентируют алмазной пирамидой микротвердомера типа IINT-3. с нагрузкой 5 r. Ha исследуемой поверхности системы полос сдвига образуют равносторонний треугольник, каждая иэ сторон которого дает кристаллическое направление типа (110) .

Пример 2. Плоскость скола (110) монокристалла Hg Se, выращенного методом Бриджмена, индентируют аналогично примеру 1, после чего на;

642798

Составитель В. Зайцев

Техред Н.Андрейчук Корректор Т. Вашкович

Редактор И. Шубина

Заказ 7772/51 Тираж 9И, Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. ужгород, ул. Проектная, 4 излучаемой поверхности системы полос сдвига образуют равнобедренный треугольник c yraq orctg Н /2 и Я- 2arctgE2I2 и /системы/направлены вдоль направления (110) — основание равнобедренного треугольника и (111) — боковые стороны треугольника, Пример. 3. Поверхность (100) монокристалла Hg Se, механически и химически полированную индентируют аналогично примеру 1, после чего на поверхности полосы сдвига образуют между собой угол 90 о и каждая указы- 10 вает направление jll0).

Данный способ является экспрессметодом и может быть применим для любых кристаллов, если на их поверхности проявляются полосы сдвига при импульсном индентировании.

Формула изобретения

Способ определения кристаллографической ориентации кристаллов со структурой сфалерита, основанный на механической деформации поверхности кристалла с последующим наблюдением фигур удара на просвет, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью определення кристаллографической ориентации непрозрачных кристаллов, ориентацию определяют по системе полос сдвига, соответствующих линиям пересечения плоскостей типа(И!) с исследуемой плоскостью, путем наблюдения под микроскопом микротвердомера поверхности кристалла в отраженном свете.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1 ° Бочкин 0 ° И. Механическая обработка полупроводниковых материалов, М., Высшая школа, 1977.

2.Р В е Ю,Е.$.Greiner,а С.EEEiz "Эту.Eocat)on in РЕшИсоИ indented Germaniurn " Acta, met 8, бо,1957