Устройство для измерения концентрации носителей тока в полупроводниках
О П И С А-4 -И E
ИЗОБРЕТЕНИЯ-.
-(1))/ 619876
Союз Советскик
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.0276 (21) 2324652/18-25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 150878. Бюллетень № 30 (45) Лата опубликования описания060778 (51) М. Кл. 011(31/26
С, 01% 21/00
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК
621.382(088.8) (72) Авторы изобретения
E. К. Галанов, Г, Н. Лотихонов, О. М. Мешин и И. Д. Костров (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ
НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Изобретение относится к технике измерений свойств полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности, а также для научных исследований.
Известно устройство для контроля примесей в полупроводниковых материалах, основанное на эффекте Фарадея и содержащее оптический излучатель, исследуемый образец с электромагнитом, фотоприемник и индикатор «1)
Однако при помощи известного устройства невозМожно произвести контроль во всем объеме полупроводникового образца значительной толщины.
Известно устройство (2j для бесконтактного измерения концентрации носителей тока в полупроводниках, которое содержит источник оптического иэлучения, оптическую систему, измерительный электромагнит, анализатор, приемник оптического излучения, фазовый детектор, генератор и индикатор.
Исследуемый образец помещают внутри измерительного электромагнита, вследствие чего изменяется ориентация плоскости поляризации излучения, прошедшего через исследуемый образец.
Весконтактное устройство позволяет определить поворот плоскости поляризации с точностью 0,1 и, следовательФ но, измерить концентрацию носителей тока в ограниченных пределах (.10
l5
10 см в случае образца изб з А&) . К тому же измерения проводятся на образцах, имеющих большие размеры (2х2 мм), вследствие невозможности высокой локализации излучения, выходящего из оптического монохроматора.
10 Целью настоящего изобретения явля" ется повышение точности измерений.
Для достижения этой цели в предлагаемое устройство введен магнитооптический кристалл, расположенный на пу15 ти луча и помещенный в обмотку электромагнита, соединенную через фаэосдвигающую цепь с источником питания.
На чертеже представлена принципиальная схема устройства„ содержащего источник оптического излучения с блоком питания (ЛГ-23 лазер на СО т
Л.= 10,6 мкм), оптическую систему 2 (линзы из3а Г ), измерительный электромагнит 3 с исследуемым образцом (Н 3 кЭ), магнитооптический кристалл
4 (Drt> bc M=10 см ), помещенный в обмотку электромагнита 5 (Й ъ 0 -1003>, анализатор 6 (дифракциоиная решетка
1200 шейр/мм из HKC-25), приемник оп)тичеСкого излучения 7 (OAII-5), фазо
