Способ контроля характеристик полупроводниковых приборов

ОПИСАИЙЕ

ИЗОБРЕТЕННАЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1,"7Ü

ЫД 3I 112 Йй (63) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 170377 (2l) 24б3784/18-25 с присоединением заявки ¹ (23) йриоритет (43) Опубликовано 150978.Бюллетень ¹ 34 (45) Дата опубликования описании 310778 (51) М. КЛ.

С 01 Ц 31/2б

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (5З) УД б21.382 (088. 8) Т. И. Голынная, В. Л. Приходько, Д. В, Соболев и Л. A. Хоменко

Pl} Зайвитель (54 j СПОСОБ КОНТРОЛЯ XAPAKTEPHCTHK

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к области электронной техники, к технологии производства йолупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля стабильности характеристик полупроводников.

Известны способы контроля стабильности характеристик поверхности полупроводниковых приборов. K их числу относится способ определения поверхностной нестабильности полупроводниковых диодов и триодов по зависимости роста мерцающего шума при обратном напряжении (1 . Данный способ имеет недостаток, который заключается в том, что шумовое напряженке на исследуемом приборе зависит от многих факторов.

Известен способ измерения стабильности полупроводниковых приборов путем сравнения вольт-амперных характеристик до и после ропускания через прибор прямого тока 1,5 А в течение 1,5 ч. Критерием оценки стабильности является изменение величины напряжения пробоя (2).

Известный способ;обладает следующими недостатками: во-первых, пропускание через прибор большого тока приводит к его значительному разогре- З ву, во-вторых, измерение напряжения лавинного пробоя часто приводит к 1 тепловому пробою p †и — перехода испытуемого прибора; в-третьих ° работа диода в лавинном гробое приводит к увеличению концентрации поверхностных состояний, что сказывается на стабильности поверхности прибора, в-четвертых, значительное изменение контролируемоГо параметра. происходит эа продолжительный отрезок времени.

Наиболее близким к предлагаемому способу является способ контроля характеристик полупроводниковых приборов, заключающийся в измерении величины фото-ЭДС при освещении поверхности р - и -перехода $3) .

Однако, с помощью данного способа невозможно определить стабильность характеристик.

Целью изобретения является расширение;функциональных возможностей способа за счет обеспечения возможности определения стабильности характеристик полупроволникового прибора.

Цель достигается тем, что по предлагаемому способу стабильность определяют по разности двух значений фото-ЭДС при освещении перехода междУ замерами излучением мощностью, не ни624180

1Л у .р

=5,37+ ОЯ1 ц (О) П„„(О! где а Ц U+(wax)-Ю,„(0), AU„p )J„p(0) ll„p(rnid)

Зп (О) U (0))lJq (win), Uр(п )»

- началь ное конечное значени я напряжения пробоя и фото-ЭДС соответственно.

Таким образом, большему дрейфу напряжения пробоя соответствует больший дрейф фото-ЭЦС. КоэфФициент корреляции между этими величинами, как следует из уравнения регрессии, равен 0,91, что свидетельствует о наличии функциональной зависимости между ними.

Формула изобретения

Способ контроля характеристик полупроводниковых приборов, заключающийся в измерении величины Фото — ЭДС . при освещении поверхности Р - и -перехода, отличающийся тем, что, с целью расширения Функциональных возможностей способа за счет обеспечений возможности определения стабильности полупроводниковых приборов, стабильность орред ляют по разности двух значений Фото-ЭДС, нри освещении перехода между замерами излучением мощностью, не менее чем в 10 раз превышающей мощность облучения при измерениях.

Источники информации, принятие во внимание при экспертизе:

1. Патент ГДР Р 52479, кл. 21 8. 36/10, 1967.

2. Патент Японии Ь 6979, кл. 95 (5), 1966.

3. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника.

Ташкент ФАН, 1972, с. 308-337, Аронов Д. A.

10 2 4 д д Ю 2 4 6 8 JP же чем в 10 раз превыаающей мсхцность облучения при измерениях.

Способ осуществляется следующим образом.

После изготовления p ..- -Н -переходов на пластине полупроводника измеряется величина фото-ЭдС при освещенности E 1 поверхности прибора, затем освещенность поверхности вбли.зи р -И -перехода увеличивают до зна чений Е = (10+15}. Е1 на время, которое одного порядка со временем релаксации заряда на поверхностных состояниях. После этого проводится повторное измерение Фото-ЭДС при освещенности Е 1 поверхности прибора. Величина изменения исследуемого параметра свидетельствует о ста бильности характеристик прибора.

Пример. Проводилась отбра+ ковка 6< -мезадиодов )> - К - К типа с величиной удельного сопротив- 20 ленив 6 -области 65 Ом см. р -rl.переход получен диффузией бора в высокоомную К -oyzacTs. Ширина .области 5 мкм, глубина залегания

- И -перехода 2,34 мкм. После изго-р8 товления на пластине полупроводника меза-структур били проведены измерения начального значения напряжения пробоя и фото-ЭДС при освещен, ности 5 10 лк. Затем освещенность

2 поверхности в течение 10. мин для всех приборов составляла 5 ° 10 лк . После чего вновь измерялись фото-Эдс при освещенности 5 ° 10 лк и напряжение пробоя диодов. 35

Ыа чертеже представлена корреляционная зависимость дрейфа напряжения пробоя и фото - ЭДС, измеренная у

30 приборов на пластине, и которая может быть описана уравнением ре- грессии вида.

ЦНИИПИ Заказ 5177/36

Тираж 1112 Подписное

e)

Филиал ППП Патент г.ужгород,ул.Проектная,4