Способ получения пленок твердых материалов

Авторы патента:

H01L21/31 - с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (для получения электродных слоев H01L 21/28, герметизирующих слоев H01L 21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев

Способ получения пленок твердых материалов путем распыления материала мишени ионами инертного газа с последующим осаждением на подложку в высоком вакууме триодной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества наносимых пленок, на подложку подают потенциал термокатода, к мишени прикладывают напряжение 500 - 1000 В относительно подложки, а плазму формируют в области под подложкой, при расстоянии между подложкой и мишенью 0,5 - 1 см.

Способ получения линейных изображений // 447110

Способ получения структуры диэлектрик—кремний // 428484

Способ окисления кремния // 427426

Позитивный фоторезист // 421548

Способ получения защитного диэлектрического покрытия на поверхности германия // 384162

Способ окисления кремния с p-n-переходом // 376029

Патент 354681 // 354681

Патент 329501 // 329501

Способ создания защитной пленки // 316372

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ формирования фотолитографического рисунка в пленке двуокиси кремния на рельефной поверхности кремниевой пластины // 2111576

Способ получения пленки диоксида кремния на подложке // 2116686

Способ химического осаждения тонких пленок диоксида кремния // 2119692

Способ изготовления структур кремний - пленка диоксида кремния // 2128382

Способ получения борсодержащих пленок // 2129321

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов

Способ получения покрытий из фоторезиста // 2136077

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Способ получения покрытия из фоторезиста и устройство для его осуществления // 2158987

Способ получения нитридной пленки на поверхности полупроводниковых соединений а3в5 // 2168237

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводниковых соединений A3B5 и приборов на их основе, а также для подготовки поверхности этих полупроводниковых соединений для последующего эпитаксиального выращивания на ней нитрида галлия GaN

Способ получения борофосфорсиликатных пленок // 2173912

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов