Патент ссср 354681

Авторы патента:

Иностранец Дитер Гарте

Германска Демократическа Республика

Иностранное нредпри тие Арбайтсштелле фюр Молекул рэлектроник

Германска Демократическа Республика

H01L21/3105 - последующая обработка

1 " г-,"

ОЙ ИСАЙИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

354681

Сова Советских

Социалистических

Республик

Зависимый от патента 1ч"

Заявлено 25Л11.1970 (№ 1418741/26-25) М. Кл. Н ОИ 71164

Приоритет 26.Ш.1969, 1ч ЮР 21g/138798, ГДР

Комитет по делам ивобретеннй и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 09.Х.1972. Бюллетень М 30

УДК 621.382.001.3 (088.8) Дата опубли кованпя описания 27.Х.1972

Автор изобретения

Иностранец

Дитер Гарте (Германская Демокра i ичсская Республика) Иностранное предприятие

«Арбайтсштелле фюр Молекулярэлектроник» (Германская Демократическая Республика) Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛОСКОСТНЫХ СТРУКТУР

Изобретение относится к электронной промы.шленности, в частности, к способу получения плоскостных структур на подложках из различных материалов.

Известны способы получения полупроводниковых и других структур, в которых применяют устройства с координатными столами и световым лучом. Обработка световым лучом фоторезиста на подложках производится с помощью одного или нескольких тубусов, Недостатком известных способов является невозможность обработки площади больше, «eм 50<50 мм- .

Цель изобретения вЂ” повышение производительности получения плоскостных структур.

Цель достигается тем, что по предлагаемому способу обработку проводят световым лучом по прямоугольным зонам, которые, перекрываясь, образуют рисунок требуемой конфигурации.

На чертеже схематически изображена полупроводниковая структура, обрабатываемая по предлагаемому способу.

Обработку производят многотубусиым устройством с координатным столом, причем каждый световой луч обрабатывает определенную зону, а совокупность этих зон составляет одложку со зна вительно большей площадью, чем можно обработать одним тубуС0М.

Управление перемещением координатного стола осуществляется электронно-вычисли5 тельной машиной. Подложку 1 устанавливают на координатном столе 2. На подложке необходимо получить тонкопленочную структуру, которая состоит из трех отдельных элементов о, 4, 5. Подложку разделяют линиями б, 7, 8

10 иа прямоугольные участки. Над подложкой располагают тубусы 9, 10, 11, 12, 13, 14 таким образом, что рабочая зона каждого тубуса содержит часть обрабатываемой структуры. Зона обработки 15 тубуса 12 ограничена линия15 ми 1б, 17, зона обработки 18 тубуса 9 ограни ена линиями 19, 17, зона обработки 20 тубуса 10 ограничена линиями 21, 19, 22 и т. д.

Обработка подложки заключается в том, что электронно-вычислительная машина раз20 деляет изготавливаемую структуру 8 на зоны обработки так, что все тубусы работают почти одновременно. При этом на структуре 8 возникают перекрывающиеся области (заштрихованы крест накрест).

Предмет изобретения

Способ изготовления плоскостных структур с похтощьк>, например, метода фотолитогра354681 которые, перекрываясь, образуют рисунок требуемой конфигурации.

22 11 1 2

15 1221 б 17 5 15

Составитель В. Гришин

Техред А. Камышникова

Редактор И, Орлова

Корректор Е. Сапунова

Заказ 3580(17 Изд. ¹ 1477 Тираж 406 Подписное

Ц11ИИПИ Комитета но делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская нзб., д. 4/5

Типография, нр. Сапунова, 2 фии, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, обработку производят световым лучом по прямоугольным зонам, 1б

Метод защиты поверхности кристаллов p-n-переходов на основе легкоплавкого стекла // 2370852

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий

Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений a3b5 и способ ее формирования // 2420828

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления полупроводниковых приборов на основе МДП-структур соединений А3В5

Способ получения линейных изображений // 447110

Способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления // 1099776

Способ изготовления структур мдп-интегральных микросхем // 1651697

Способ изготовления фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки // 2558599

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к способу изготовления фоточувствительных материалов и устройств. Способ изготовления фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки включает формирование на поверхности диэлектрической подложки слоя резистивной пасты, состоящей из оксида серебра Ag2O, палладия, мелкодисперсных частиц стекла и органической связки. Сформированный слой сушат и вжигают в воздушной атмосфере при температуре от 605 до 700°С. С поверхности полученной пленки удаляют стеклянный слой путем испарения мощным импульсным лазерным излучением с длиной волны, лежащей в области поглощения стекла. Предпочтительным является использование лазерного излучения с длиной волны, соответствующей максимуму поглощения стекла. Техническим результатом является расширение спектрального диапазона работы фоточувствительной серебро-палладиевой резистивной пленки. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 пр.

Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния // 2573672

Изобретение относится к новой водной полирующей композиции для полирования полупроводниковых подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния, а также необязательно содержащих пленки нитрида кремния. Указанная водная полирующая композиция содержит (A) по меньшей мере один тип абразивных частиц, (В) от 0,001 до 5,0 мас.% по меньшей мере одного растворимого в воде полимера, (С) по меньшей мере один анионный фосфатный диспергирующий агент. Абразивные частицы (А) содержат или состоят из диоксида церия, положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (C) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью. Компонент (B) по меньшей мере это один растворимый в воде полимер, выбран из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов. Изобретение относится и к способу полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств с применением указанной водной полирующей композиции. Полирующая композиция по изобретению обладает значительно улучшенной селективностью оксид/поликремний и обеспечивает получение полированных пластин, имеющих превосходную глобальную и локальную плоскостность. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 6 табл., 9 пр.

Способ изготовления мдп-структур на основе inas // 2611690

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при их изготовлении на основе МДП-структур на InAs. Подложку InAs подвергают предварительной обработке, включающей очистку поверхности ее от загрязнений и естественного окисла. После чего на подложке в вакуумной камере проводят формирование диэлектрического слоя посредством анодного окисления подложки - анодирование рабочей поверхности подложки в плазме. По завершении анодирования на диэлектрический слой напыляют слой металла. Предварительную обработку проводят при условиях, обеспечивающих полную очистку поверхности от загрязнений и естественного окисла с достижением стабильности и инертности рабочей поверхности в условиях отсутствия воздействия окислительной среды, плазмы. Анодирование осуществляют с использованием окислительной газовой среды с составом Ar:O2:CF4 в соотношении (80-х)% : 20% : x%, где х - количество CF4, равное от 5% до 20%. В качестве плазмы используют плазму таунсендовского разряда в нормальном и переходном режиме его горения. При этом подложку помещают на расстоянии от катода, выбираемом с учетом соблюдения условия стационарности газоразрядной плазмы. Давление окислительной газовой среды поддерживают обеспечивающим стабильное горение разряда с формированием в разрядном промежутке латерально однородного разряда. В результате обеспечивается снижение величины встроенного заряда до значений менее 5×1011 см-2, улучшается однородность по толщине и химическому составу диэлектрического слоя на большей площади исходной пластины. 12 з.п. ф-лы, 4 ил.

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией // 2613487

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для изготовления фокальных диодных фотоприемных матриц на подложках InSb. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией сначала проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава окисного слоя для обеспечения в дальнейшем полного удаления окислов. Модификацию состава окисного слоя осуществляют, подвергая подложку воздействию жидкой среды с рН менее двух. За счет этого растворяют в большей степени окислы индия и обогащают поверхность легколетучими окислами сурьмы. После модификации окисного слоя остаточный окисный слой удаляют в вакуумной камере установки молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием термообработки и подачи к поверхности подложки потока сурьмы. В результате обеспечивается соблюдение вакуумной гигиены при выращивании слоев структур, предотвращается возможность загрязнения поверхности подложек InSb, достигается снижение шероховатости, возникающей при подготовке поверхности подложек, обеспечивается требуемая гладкость. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Способ подготовки поверхности insb подложки для выращивания гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии // 2642879

Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава остаточного оксидного слоя. Модификацию состава остаточного оксидного слоя на поверхности подложки осуществляют с получением гидратированного аморфного оксидного слоя из оксидных соединений индия и сурьмы, характеризующегося нестехиометрическим составом - обогащенного гидратированными оксидными соединениями индия. При этом сначала проводят анодное окисление подложки с остаточным оксидным слоем в водосодержащей щелочной среде, а затем удаляют в водосодержащей кислотной среде полученный в ходе окисления оксидный слой. В финале проводят удаление подвергшегося модификации остаточного оксидного слоя в вакуумной камере установки молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием термообработки подложки. В результате обеспечивается снижение температуры, при которой происходит полное удаление оксидного слоя в ростовой камере молекулярно-лучевой эпитаксии, до величины менее 400°С. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.