Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков
Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.
Похожие патенты:
Фотошаблон // 508974
Эталонный фотошаблон // 508973
Способ выращивания пленок // 466816
Реактор для эпитаксиального наращивания // 339245
Способ получения р - «-переходов // 196177
Способ изготовления омического контактного слоя и полупроводниковое устройство ii-vi групп // 2151457
Изобретение относится к области технической физики
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов, точнее к способам эпитаксиального наращивания, а именно получения слоя полупроводника III-нитрида (GaN, A1N, InN) на чужеродной подложке путем газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений (МОС), и может найти применение при создании полупроводниковых лазеров, светодиодов, ультрафиолетовых фотоприемников, высокотемпературных диодов, транзисторов и т
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем
Способ формирования диоксида кремния // 2191848
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем
Изобретение относится к области электронного материаловедения
Способ создания нанотрубок // 2238239
Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах
Изобретение относится к технологии эпитаксиального выращивания тонких пленок из газовой фазы
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия
