Способ формирования диоксида кремния
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем. Предлагаемый способ получения диоксида кремния включает формирование последнего при пониженном давлении с добавками хлорсодержащего вещества, улучшающего электрофизические параметры диоксида кремния. 2 с. и 4 з.п.ф-лы.
Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления интегральных схем сверхбольшой степени интеграции.
В настоящее время в производстве интегральных микросхем для получения маскирующих и подзатворных диоксидов кремния используются, в основном, два способа получения диоксида кремния. а) Термическое окисление кремния в сухом кислороде; в парах воды с хлорсодержащими веществами (Технология СБИС. Под редакцией С.М.Зи, книга 1. М.: Мир, 1986, с. 143-153). Недостатками данных способов получения диоксида кремния являются высокие температуры проведения процессов (не менее 1273oС) и использование растворов соляной кислоты или газообразного НСl. Использование соляной кислоты ограничивается наличием воды, существенно влияющей на кинетику окисления, а газообразный НСl обладает высокой коррозионной способностью. б) В сухом кислороде при пониженном давлении (J.Electrochem. Soc., v. 127, 8, p. 1787-1794). в) Осаждение диоксида кремния при пониженном давлении из кремнийсодержащих соединений (Технология СБИС. Под редакцией С.М.Зи, книга 1. М.: Мир, 1986, с. 127-129). Недостатком данных способов получения диоксида кремния является отсутствие хлорсодержащих веществ, улучшающих электрофизические свойства диоксидов кремния. Способ получения диоксида кремния при изготовлении интегральных микросхем выбирается исходя из требований, предъявляемых к диоксиду кремния. Так, например, для получения матричных маскирующих диоксидов кремния (толщиной более 0,3 мкм) проводят окисление в парах воды. Для маскирования поликремниевых проводящих шин, для вертикального разделения слоев n- и p-типов проводимости используется осаждение диоксида кремния при пониженном давлении. То есть, исходя из функционального назначения диоксида кремния в интегральной микросхеме выбирается тот или иной способ его получения. Общими требованиями, предъявляемыми к слоям маскирующего диоксида кремния, являются его минимальная пористость (менее 0,5 пор/см2), минимальная эффективная плотность поверхностного заряда на границе Si - SiO2 (не более 1,5е11 см-2), минимальная плотность подвижного заряда (менее 1e11 см-2). Для подзатворных диоксидов кремния эти требования должны быть еще более строгими. С другой стороны, для производства сверхбольших интегральных микросхем неоднородность толщины маскирующего диоксида кремния не должно превышать![](https://img.poleznayamodel.ru/chr/177.gif)
![](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/51/513047.gif)
![](https://img.poleznayamodel.ru/chr/177.gif)
![](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/51/513048.gif)
![](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/51/513049.gif)
![](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/51/513050.gif)
![](https://img.poleznayamodel.ru/chr/177.gif)
Формула изобретения
1. Способ получения диоксида кремния, включающий загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками, откачку реактора, подачу газореагентов, содержащих кремнийорганическое соединение, формирование диоксида кремния, прекращение подачи газореагентов, откачку реактора до предельного вакуума, подачу в реактор инертного газа до атмосферного давления, выгрузку полупроводниковых пластин из реактора, отличающийся тем, что дополнительно в реактор в качестве газореагентов подают кислород и хлорсодержащее вещество, представляющее собой либо трихлорэтилен, либо трихлорэтан, либо дихлорэтилен. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что газореагенты подают в реактор в следующей последовательности: кислород, хлорсодержащее вещество, кремнийорганическое соединение. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что прекращение подачи газореагентов в реактор осуществляют в следующей последовательности: хлорсодержащее вещество, кислород, кремнийорганическое соединение. 4. Способ получения диоксида кремния, включающий загрузку полупроводниковых пластин, выполненных из кремния, в реактор с горячими стенками, откачку реактора, подачу газореагентов, формирование диоксида кремния, прекращение подачи газореагентов, откачку реактора до предельного вакуума, подачу в реактор инертного газа до атмосферного давления, выгрузку полупроводниковых пластин из реактора, отличающийся тем, что в реактор в качестве газореагентов подают кислород и хлорсодержащее вещество, представляющее собой либо трихлорэтилен, либо трихлорэтан, либо дихлорэтилен. 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что газореагенты подают в реактор в следующей последовательности: кислород, хлорсодержащее вещество. 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что прекращение подачи газореагентов в реактор осуществляют в следующей последовательности: хлорсодержащее вещество, кислород.NF4A Восстановление действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение
Дата, с которой действие патента восстановлено: 27.02.2008
Извещение опубликовано: 27.02.2008 БИ: 06/2008
Похожие патенты:
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем
Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к режущим инструментам, применяемым при токарной обработке, фрезеровании, сверлении и др
Способ получения пленок двуокиси кремния // 2061095
Изобретение относится к химическому нанесению покрытий осаждением паров из металлоорганических соединений, в частности к получению пленок двуокиси кремния, используемых в микроэлектронике
Изобретение относится к области металлургии, в частности к режущим инструментам на основе спеченных твердых сплавов с покрытиями
Способ получения сверхпроводящих керамических покрытий типа купратов с перовскитной структурой // 1728307
Изобретение относится к получению сверхпроводящих керамических покрытий типа купратов с пероескитной структурой и может быть использовано в электротехнической промышленности
Состав для нанесения оксидохромовых покрытий // 1708921
Изобретение относится к газофазному получению оксидохромовых покры/ 2 ,тий термическим разложением на нагретой подложке смеси бисареновых соединений хрома и окислителя
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем
Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния
Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния и может быть использовано в современной оптоэлектронике и интегральной оптике для создания тонкопленочных солнечных элементов и транзисторных матриц большой площади для жидкокристаллических дисплеев
Изобретение относится к технологии нанесения пленок и может быть использовано для изготовления тонкоплепочных кремниевых солнечных элементов, фоточувствительных материалов для оптических сенсоров и тонкопленочных транзисторов большеразмерных дисплеев
Изобретение относится к способу и устройству для осаждения по меньшей мере частично кристаллического кремниевого слоя на подложку и может быть использовано в различных отраслях машиностроения
Изобретение относится к способу и установке для получения поликристаллического кремния и может найти применение при изготовлении солнечных элементов
Повышение производительности осаждения поликремния в реакторе химического осаждения из паровой фазы // 2442844
Изобретение относится к производству поликремния, а именно к реактору для химического осаждения поликремния из паровой фазы
Изобретение относится к технологии производства поликристаллического кремния