Одновибратор

ОПИСАНИЕ

ИЗОЬЕЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и) 5235l4

Со аз Советских

Ссциолистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.02.71 (21) 1628718/09 с присоединением заявки № (23) Приоритет (51) М. Кл.2 H ОЗКЗ/284

Госуорствеиимй комитет

Сооств Министров СССР

II0 4ерВМ иообретеиий ОпУбликовано 30.07.76. Бюллетень № 28 (53) УДК 621.374.51 (088.8) и сткрмтий

Дата опубликования описания 12.08.76 (72) Автор изобретения

С. Б. Бархударян (71) Заявитель (54) ОД Н О В И Б РА ТО Р

Изобретение относится к области импульсной техники, Известны одновибраторы, выполненные на транзисторах с конденсатором в цепи коллекторно-базовой связи, содержащие во времязадающей цепи дополнительный резистор, зашунтированный ключевым транзистором.

Недостатком известного одновибр атор а является нестабильность длительности спада формируемого импульса вследствие дестабилизирующего влияния тока через базовоэмиттерный переход нормально открытого транзистора.

Целью изобретения является повышение стабильности длительности спада формируемого импульса.

Это достигается тем, что в одновибраторе ключевой транзистор имеет одинаковый тип проводимости с основными транзисторами и включен по схеме с общим коллектором, причем его база подключена к коллектору нормально закрытого транзистора, а эмиттер — через времязадающий резистор к базе нормально открытого транзистора.

На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого одновибратора.

Схема содержит транзисторы 1 и 2 и — р — и проводимости, соединенные между собой коллекторно-базовыми связями. Времязадающая цепь состоит из последовательно соединенных диода 3, конденсатора 4, резистора 5 и дополнительного резистора 6, зашунтированного ключевым транзистором 7 n — р — и проводимости. Катод диода 3 подключен к коллектору нормально закрытого транзистора 1, а анод — к зарядному резистору 8. Ключевой транзистор 7 своей базой через резистор 9 подключен к коллектору транзистора 1, эмиттером — через последовательно соединенные

10 резистор 5 и диод 10 — к базе нормально открытого транзистора 2, а коллектором — к источнику питания +Е. Резисторы 11 и 12 являются коллекторными сопротивлениями транзисторов 1 и 2, а резистор 13 включен в

15 обратную связь между коллектором транзистора 2 и базой транзистора 1.

Цепь запуска состоит из содержащей конденсатор 14 и резистор 15 дифференцирующей цепочки и диода 16.

20 В исходном состоянии, до поступления запускающего импульса на базу транзистора 1, транзистор 2 открыт до насыщения. В его базовой цепи протекает ток, определяемый напряжением питания +Е, величиной рези25 стора 5, диода 10 и резисторов 9 и 11. Бла.- даря малой величине падения напряжения на транзисторе 2 в режиме насыщения транзистор 1 удерживается в закрытом состоянии.

Запускающий импульс положительной по30 лярности через цепь запуска поступает на

523514

Формула изобретения

Запуск

Составитель В. Чичкин

Редактор Н. Суханова

Корректоры: А, Николаева и В. Дол

Техред T. Курилко

Заказ 1788/6 Изд. № 1531 Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, %-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 базу транзистора 1 и открывает его. Отрицательный перепад напряжения, сформированный в коллекторной цепи транзистора 1, закрывает ключевой транзистор 7, диод 10 и транзистор 2, а дополнительный резистор 6 входит в разрядную цепь времязадающей цепи.

Ток, протекающий через резисторы 12 и

13 и через базово-эмиттерный переход транзистора 1, удерживает его в насыщенном режиме после окончания запускающего импульса до момента открывания транзистора 2.

После открывания транзистора 2 начинает"я обратный перезаряд конденсатора, длительность которого определяется в основном резистором 8, и схема возвращается в исходное состояние.

Благодаря тому, что ключевой транзистор

7, включенный по схеме с общим коллектором, является токостабилизирующим двухполюсником, а базово-эмиттерный переход открытого транзистора 2 включен в цепь отрицательной обратной связи транзистора 7 последовательно с его эмиттерным резистором 5, обеспечивается исключение дестабилизирующего влияния тока через базово-эмиттерный переход транзистора 2 на время заряда времязадающего конденсатора, определяющего

5 время восстановления схемы и длительность спада формируемого импульса.

Одновибратор на транзисторах одного типа проводимости с конденсатором в цепи коллекторно-базовой связи, содержащий в цепи времязадающего резистора дополнительный резистор, зашунтированный ключевым тран15 зистором, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности длительности спада формируемого импульса, ключевой транзистор имеет одинаковый тип проводимости с основными транзисторами и включен

20 по схеме с общим коллектором, причем его база подключена к коллектору нормально закрытого транзистора, а эмиттер — через времязадающий резистор к базе нормально открытого транзистора.