Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства

М ае,Г .

ОП И

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (») 515152

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено07.03. 74(21) 2004205/24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 25 05 7GÁþëëåòåíü № 19 (45) Дата опубликования описания 02.09.76 (51) М. Кл G. 11C 5/12

Государственный квинтет

Совета Мнннстрав СССР аа делам нзабретеннй н аткрытнй (53) УДК 681 327 G (088.8) (72) Авторы изобретения

Ю. В. Остапенко, В. В. Бушин, 3. В. Литвишко и Т, К. Сарапулова

Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской CCP (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ NATPMLIbI ДЛЯ

ЗАПОМИНА ЮШЕГО У СТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно, к технологии изб о овле ния интегральных магнитопленочных матриц запоминающих устройств.

Известен способ изготовления матрицы 5 запоминающего устройства, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик методом фот литографии, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего 10 газа, металлизации изолированных адресных и разрядных шин и покрытия их магнитным материалом.

Однако применяемый при изготовлении матрицы электрофоретический способ изоля- И ции шин не дает возможности получить изоляционный слой многослойным или достаточно большой толщины.

Цель изобретения — повышение надежности матрицы запоминающего устройства. 20

Достигается это тем, что перед металлизацией адресных и разрядных шин на открытые участки этих шин наносят диэлектрик методом окунания матрицы в спиртовкой раствор отвердителя, затем высушивают раство- 25 ритель и наносят на слой отвердителя смесь из высокодисперсных порошков связующего и неплавкого изоляционного наполнителя, затем оплавляют при температуре выше плавления связующего и полимеризуют полученный слой изоляции при оптимальной температу ре.

Пример. На металлизированном с двух сторон лажане методом фотолитографии изготавливают с одной стороны адресные шины, а с другой — разрядные. Лавсановую основу, расположенную между шинами, оплавляют в потоке нагретого газа с температурой 300-350 С, в результате чего образуются отверстия между шинами. Открытые участки шин покрывают слоем диэлектрика путем обработки в спиртовом растворе (1-3%) отвердителя, например полиэтиленполиамина, затем высушивают спирт, наносят на слой отвердителя смеси высокодисперсных порошков связующего, например эпоксидной смолы З-41, и неплавкого изоляционного нап олнителя, например окиси магния, Затем оплавляют при температуре выше плавчения связующего и полиме51515г

Составитель д

И. Позняковская

1 едактор E.1 ончар

Заказ 6497 Изд. И Я

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4

Тираж 723 Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектнаи 4 ризуют полученный слой изоляции при оптимальной температуре, например 150-170оС.

Все операции производят многократно для достижения требуемой толщины изоляции (40-50 мкм). 5

Формула изобретения

Способ изготовления матрицы для запоминаюшего устройства, заключающийся в 10 нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик методом фотолитографии, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком г орячег о газа, металлизации из олир ованных адресных и разрядных шин и покрытия их магнитным материалом, о т л и ч а юш и и с я тем, что, с целью повышения надежности матрицы, перед металлизацией адресных и разрядных шин на открытые участки этих шин наносят диэлектрик методом окунания матрицы в спиртовой раствор отвердителя, затем высушивают растворитель и наносят на слой отвердителя смесь из высокодисперсных порошков связуюшего и неплавкого изоляционного наполнителя, затем оплавляют при температуре выше плавления связуюшего и полимеризуют пс лученный слой изоляции при оптимальной температуре.