Электрический пожарный датчик
-y;..*,- -;, " 1 1 И1 .,1. .о: т;::;i;D r1: «с т!1и ельные эл&,, > 1, ГР i! 3H!:! 01 hi )пР ъо-л:,1 .;1. °, -1ИС. 1 Qp
1,-.с-,; .:СтоH IHH т, .1анз1и=торы 2 к. . ; 1 вк 11!1 5 Ic: транэистора
;!О. 0 ;i; Ti Лт НЫй II0T(H
;;в, -1ь.й 1:* .11рнжонию источ э ок,- ..ы транзис:тора 3 тэ, пеоатуры В помещении, 1 .10;- : ь ы эо .".1а!. .1ые датЧики, сплаВ но; -::... Сита 1 пожарного и:,»= а1 —.-си при этом с, и,л..г,и1- ".уВстВи: РлънОГО
i.....,;,.Ние., v-.î сопротивлении —,;„I0v" т:-Л1:ИЫй ПОтЕНИИаЛ HB ,1:..- .-.а: В.". i1.-:д.1 ГВие псрераспре1 (1 . - м !ETL.p транэисто :...: .»ките.1.,нorc .1оте1щиала
ii HH-,1ВНE.-.1-, 1(QJГЛЕК
«."з;,. 10,;- 2 который, являТира>к р
И ад.,"й /2, г ",1
Заказ 533$
1111ИИ11И 1 осударстаеиаосо ко,;и ста „"оа та В";а.н.,-:а:-, по дс, «I "л ааоГ)ос ссний а оскар «ад
Москва. 03 ).„Ðä ùскаи да 4
Филиал ЦЦД,патент" . г,. Ужгород ул. Пог =;;"т,-1Гая, - 1 ясь током базы транзистора 3, приоткрывает его. Это вызывает увеличение базового и, соответственно, коллекторного то-". ков транзистора 2 и процесс повторяется.
Этот процесс развивается лавинообразно и транзисторы 2 и 3 полностью отпираются. Напряжение между эмиттером транзистсра 2 и эмиттером транзистора 3 становится практически равным нулю.
Таким образом, процесс отпирания схемы развивается быстрее, чем плавление сплава и разрыв чувствительного элемента
l, поэтому напряжение с извешателя сни-мается еше до того, как наступил разрыв чувствительного элемента, т. е. разрыв его происходит без напряжения на нем.
В результате устраняется возможность воз= никновения искры.
Изменение величины подстроечного резистора 4 изменяет величину базового то=ка транзисторов 2 и 3, что обеспечивает регулировку точки срабатывания пожаоного датчика, Форму"".àи=-обретения
Электрический пожарный датчик, соде; жаший термочувствительный элемент, под-ключенчый к цепи эмиттер-база транзит-..-,ора р=п-р, и подстроечный резистор, с т= л и ч а ю m и и с я тем, что, с целью повышения искробезопаснссти датчика, он снабжен дополнительным транзистором п-р--п, коллектор которого соединен с базой транзис-сора р-п-р и одним выводо л подстроечного резистора, а база соединена с коллектором транзистора р--и-п и др;.гим выводом подстроенно Q резистора, эмиттеры транзисторов соединены с Гпин=:мк литаниa датчика.
