Способ электролитического осаждения пленок на основе магнитотвердых сплавов

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДИТИЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено26.01.73 (21) 1877321/26-21

Союз Советских

Социалистических

Республик (1 1) 496335

Й з 2

\,, (" ь" 4 а и (5!) М, Кл, С 23Ъ. 5/32 с присоединением заявки № (31) WPC 236/160540 (32) 2 7.О 1.7 2 (ЗЗ) ГДР (43) Опубликовано25.12.75, Бюллетень №47

Государстаонный ноетет

Соната Инннстроа СССР ао дамам нзобретоннй н открытнй (53) УДК

62 1. 3 57.7 6 (088. 8) (45) Дата опубликования описания 13,Г4..76 (72) Авторы Иностранцы изобретения Хансюрген Мюллер-Диттманн и Хельмут Енч (ГДР) Иностранное предприятие

"Академи дер Виссеншафтен Дер ДДР

ГДР (71) Заявитель

C (54) СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК

НА ОСНОВЕ МАГНИТОТВЕРДЫХ СПЛАВОВ

Изобретение относится к технологии на,несения покрытий, а именно к осаждению

l пленок на основе магнитотвердых сплавов, преимушественно кобальт — фосфор, кобальт.никель -фосфор °

Известен способ электролитического осаждения пленок на основе магнитотвердых сплавов, пренмушественно, кобальт— . фосфор, кобальт-никель — фосфор, иа элект

t ролита, содержашего хлориды или сульфа-, ты исходных металлов.

Однако получаемые известным способом магнитотвердые пленки обладают малой магнитной твердостью. Максимально достижимая коэрцитивная сила составляет примерно 8ОО Э.

Остаточная индукция относится к индукt ции насышения в лучшем случае как 0,6 1, С такими магнитными свойствами пленок трудно осушествить плотное накопление информации.

Целью изобретения является повышение плотности накопления информации пленками, И

Для этого s электролит вводят добавку тетраацетата динатрийдигидроэтилендиами\ на в количестве 2 — 30 г/л и процесс осаж- дения ведут при рН 2,5 — 6 с использованием импульсного тока прямоугольной формы с частотой 2-10 1ц, амплитуда которого изменяется от .отрицательйого до положительного значения со скважностью импульсов 2- 4 по уравнению = — р

Т-f где Т - время длительности периода, — время длительности катодного импульса, при действуюшей плотности катодного тока завной 0,5 — 7 A/-м

2 и плотности анодного тока определяемой из уравнения т н Г о| аа где -плот ность анодного тока, И вЂ” плотность катодного тока, зн — действуюшая плотность катодного тока.

Предложенный способ осушествляют следуюшим образом.

Тонкие магнитотвердые пленки получают электролитическим осаждением, преимушественно ча основе соединений кобаль496335

1та и фосфора или кобальта — никеля — фос-1 фора, на гибкую подложку, в частности на полиэфирную ленту. Для этого покрытую металлическим слоем несушую подложку помешают в злектролитическую ванну, содержашую электролит в виде раствора со-. лей металлов.

Подложка служит катодом, для чегс ее присоединяют металлическим слоем к отрицательному полюсу источника тока и протягивают через ванну с постоянной скоростью. B электролит добавляют от

2 до 30 r/n тетраацетвт динатрийгидроэтилендивмина и поддерживают известным образом значение рН в пределах от 2,5 до 6.

Для эпектролитического покрытия применяют импульсный ток прямоугольной формы частотой от 2 до 10 Гц, амплитуде которого изменяется от отрицательных к положительным . значениям, скважность ) импульсов,лежвшая в пределах от 2 до 4, описывается уравнением

ty

) и)

Т- t где Г - время длительности периода, / - время длительности катодного и мпульса при действуюшей плотности ка-

2 и

1тодного тока 1„,, равной О, 5 - 7 А /дм 1 и плотности анодного тока, определяемой иэ уравнения (A/ин 3, и)

И"

Т где -плотность анодного тока, sa — действуюшвя плотность катодного тока.

Импульсный ток способствует изменению состояния между катодным покрытием и переносом частиц к аноду, причем оседает тонкий кристаллический слой, создаюший условия для образования необI ходимых магнитных свойств. Изменение частоты, скввжности и действуюшей или катодной плотности тока оказывает влияние на освждающийся слой, изменением тонкого магнитотвердого слоя можно добиться максимального значения коэрцитивной силы, отношения оствточчой индукции или оптимального значения обоих парвметров.

К электролиту добавляют 10 г/л тетра- ацетага динатрийдигидроэтилендиамина и устанавливают зиечение рН для хлоридных вани чаще всего равным 3,5, а для сульФ фвтных ванн равным 5,5.

1 1

Целесообразно вести процесс при частоте ог 4 Гц, скважности импульсов не ниже 3, с действуошей плотностью тока не, ниже 1,5 А/дм . Целесообразно вести

5 процесс при температуре электролитической ванны от 15 до 30 С, оптимальная температура 22 C.

Сушество изобретения поясняется следуюшим примером.

Обмедненную с одной стороны полиэфирную пленку шириной около 6 мм помешают в электролитическую ванну. Присоединяясь к отрицательному полюсу источника тока, она служит катодом.

Электролит имеет следуюший состав:

100 г/л CogO . 7Н О чистая

50 г/л Я ЯО

30r/лйаН РО . Н О-2 2 2

25 г/л (NH4) GO

10 г/л тетраацетата динатрийдигидрво,. метилендиаминв и температуру 20 :. Значение рН устанавливают равным 5,5.

B качестве источника питания применяют прибор с электронной стабилизацией по току, выдаюший прямоугольные отрицательный и положительный импульсы. ИмпульсЗО ный ток имеет частоту 4 Гц и скввжчость с отношением 4: 1. Действуюшую плотность тока выбирают равной 1,5 А/дм2, а катод-. ную плотность равной 10,5 А/дм . По

2 уравнеппо (2) устанавливают плотность

35 анодного токв, равной 34,5 А/дм . После включения импульсного тока лента непрерывно со скоростью 23,4 смlмин протягивается че аз ванну. При этом нв обмедненную подложку осаждается слой соединения

40 кобальт- никель- фосфор толшиной 0,1 мкм.

Этот слой имеет коэрцитивную силу, равную 1530 Э, и отношение остаточной индукции, равное 0,76, При нанесении покрыъ

45 тия при помоши постоянного тока из тако1 ro жо электролита осаждается слой с коэрцитивной силой, равной 800 Э, при отношении остаточной индукции, рави м 0,6.

Формула изобретения

Способ электролитического осаждения пленок на основе магнитотвердых сплавов, преимушественно кобальт — фосфор, кобальт — никель — фосфор, из электролита, содержавшего хлориды и сульфаты исходных металлов, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью повышения плотности накопления информации пленка:.1и, в электролит вводят добавку тетраацетата пиим рийди496335

Составитель .Е.Ковалева

Редактор А.ЗиньковскийГезред амышникова корректор Т.Гревцова изл. N J$/g тнрви И6 по„пнсное

Заказ 2604

ИИИИПИ Г ос дарственного комитета Совета Министров СССР ио делам изобретений v. открытий

Москва, 113035, Раушская наб., 4 филиал П1Л1 Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 гидроэтилендиамина в количестве 2-30 г/л и процесс осаждения вед т при рН 2,56 с испольэованием импульсного тока прямоугольной формы с частотой 2 - 10 Ги, амплитуда которого изменяется от отрицательного до положительного значения со схважиостью импульсов 2- 4 по уравнению

У

Т-f где Т вЂ” время длительности периода, / - время длительности катодного импульса при действуюшей йлот- )

Г . ности катодно2го тока 4 вной

0,5-7 А/дм т и плотности анод ного тока, определяемой из уравнения б

"Еф 3, Т где l -плотность анодного тока, - плотность катодного тока,,S0

- действуюшая плотность катод« ного тока.