Способ определения толщины эмитирующего слоя и длин свободного пробега втоичных электронов
ОПИСАНИЕ (и)49I882
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Соеа Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 21.02.73 (21) 1886782/26-25 с присоединением заявки № (51) М. Кл. G Oln 23,22
Совета Министров СССР ла делам изобретений н открытий (53) УДК 537.534(088.8) Опубликовано 15.11.75. Бюллетень № 42
Дата опублпковштпя описания 22.03.76 (72) Автор изобретения (71) Заявитель
В. М. Сотников
Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно-физический институт (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ
ЭМИТТИРУЮЩЕГО СЛОЯ
И ДЛИН СВОБОДНОГО ПРОБЕГА
ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ
Государственный комитет (23) Приоритет
Изобретение относится к эмиссионной электронике и может быть использовано прои изучении вторично-эмиссионных процессов и исследо вании явлений на поверхности твердого тела.
Известен способ определения толщины эмиттирующего слоя и длин свободного пробега вторичных электронов заключается в измерении коэффициентов эмиссии и регистрации энергетических спектров вторичных электронов, эмитлируемых из свеженапыленных пленок разной толщины, нанесенных в вакууме на подложку из материала с отличающимися эмиссионными характеристиками. При этом необходимо использовать пленки толщиной от нескольких ангстрем до нескольких сот ангстрем. Получение и контроль свойств таких тонких покрытий — сложная комплексная задача, требующая исследования большого количества образцов, приготовленных в идентичных условиях.
Целью изобретения является расширение номенклатуры исследуемых MBTI pHBJIDB в условиях более полного и точного контроля их характеристик.
Это достигается тем, что по предлагаемому способу регистрацию вторичных электронов проводят с использованием образцов с разной величиной неровностей рельефа и по изменению интенсивности потоков вторичных электронов в зависимости от размера неровностей судят об искомой величине.
На фиг. 1 показан рельеф поверхности мишени и проиллюстрирован относительный вклад разных ее участков в эмиссию.
На фиг. 2 — зависимость отношения интенсивностей потоков вторичных электронов в разных направлениях по отношению к мишени от высоты неровностей.
Иа фпг. 1 стрелками обозначены траектории электронов, движущихся после выхода из материала под углом 8 к нормали М. Для направлений, составляющих с нормалью угол
15 О, превышающий некоторое значение Ос, часть поверхности оказывается загороженной неровностями рельефа. Из-за преломления электронов на границе материала эмиссия с закрытых участков оказывается в значптель20 ной мере подавленной. Интенсивность потока электронов с открытых участков в направлении О зависит от соотношения между глубиной выхода вторичных частиц и высотой выступов. Вследствие перераспределения по25 токов электронов пз внутренних слоев и из объема выступов Ilo мере увеличения, например, их высоты h от малых значений к величинам, превышающим глубину выхода, изменяется форма угловых распределений вторпч30 ных электронов.
491882 б7иг /! (/4
Фиг.2
Редактор И. Шубина
Корректор Н. Стельмах
Заказ 373/3 Изд. № 2100 Тираж 902 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретешш и открытий
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 с, 1
Составитель В. Башкатов
Техред Е. Митрофанова
