Способ получения монокристаллов

О П И С А Н И Е <>486779

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (6I) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 28.06.73 (21) 1951586/23-26 с присоединением заявки— (23) Приоритет—

Опубликовано 05.10.75. Бюллетень ¹ 37

Дата опубликования описания 23.12.75 (51) М. Кл. В 011 17 06

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 548.55 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. К. Яновский и В. И. Воронкова (71) Заявитель Московский ордена Ленина и ордена Трудового Красного

Знамени государственный университет им. M. В. Ломоносова

Я МОНОКРИСТАЛЛОВ (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИ

Предмет изобретения

15

Изобретение относится к способам получения монокристаллов вольфрамата висмута состава BiaWOo.

Известны способы получения монокристаллов из раствора-расплава с использованием легкопла вкой смеси на основе пятиокиси ванадия, при температуре ниже температуры фазового перехода в выращиваемом кристалле. Недостатком известных способов является невозможность получения сегнетоэлектрических кристаллов В)з%0в.

С ;ccîо, согласно изобретению, устраняет указанный недостаток благодаря тому, что исходную шихту, включающую 30 — 40 мол. %

В1зОз, 30 — 40 мол. % WOa, 40 — 20 мол. %

ЧзОз, нагревают до температуры 800—

930 С, выдерживают при этой температуре и охлаждают со скоростью 1 — 5 град/мик.

Пример. Смесь, состоящую из 20

35 мол. % В1зОз, 35 мол % %0з и 30 мол %

ЧзОв, нагревают .в платиновом тигле объемом 50 нл до полного расплавления при

850 С, выдерживают при этой температуре

2 час до полной гомогенизации расплава и затем охлаждают до 700 С со скоростью

1 град/час. Выросшие пластпнчатые монокристаллы вольфрамата висмута размером до 20 мм отмывают от растворителя кипячением в разбавленном водном растворе щелочи.

Способ получения монокристаллов пз раствора-расплава с использованием легкоплавкой смеси на основе пятиокиси ванадия при температуре ниже температуры фазового перехода в выращиваемом кристалле, отличающийся тем, что, с целью получения сегнетоэлектрическпх кристаллов BiaWOo, исходную шихту, включающую 30 — 40 мол. 1о

В1;Оз, 30 — 40 мол. о/о ЖОз, 40 — 20 мол. %

ЧзОз, нагревают до температуры 800 — 930=С, выдерживают прп этой температуре и охлаждают со скоростью 1 — 5 град/мин.