Светочувствительный материал

О П И С А Н И Е < и 477 584

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советскик

Социалистических

Республик

К ПАТЕНТУ (61) Дополнительный к патенту (51) М. Кл. G 03g 5/08 (22) Заявлено 26.06.69 (21) 1344592/28-12 (31) 44442/68 (32) 27.06.68 (33) Япония

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам „„бр„н„„- Опубликовано 15.07.75. Бюллетень № 26 (53) УДК 772.93(088.8) и OTKDblTHH

Дата опубликования описания 26,11.75 (72) Автор изобретения

Иностранец

Сиро Уехара (Япония) Иностранная фирма

«Кацурагава Денки Кабусики Кайша» (Япония) (71) Заявитель (54) СВЕТОЧУВСТВИ 1 ЕЛЪНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к электрофотографическим светочувствительным материалам, Известны электрофотографические светочувствительные материалы, содержащие фотополупроводниковый слой, электролюминесцентный слой, первый и второй электроды для подачи электрического потенциала через электролюминесцентный слой и свечения последнего и экран, помещенный между фотополупроводниковым и электролюминесцентным слоями. Однако известные светочувствительные материалы не позволяют проявлять полученное изображение на свету.

Для возможности проявления изображения на свету в результате устойчивой внутренней поляризации светочувствительный материал дополнительно содержит прозрачный диэлектрический слой, расположенный на фотополупроводниковом слое, при этом все слои связаны между собой интегральной структурой.

В описываемом материале слои расположены в следующем порядке: прозрачный диэлектрический слой, фотополупроводниковый слой, первый электрод, экран, электролюминесцентный слой, второй электрод.

На чертеже схематически показан описываемый светочувствительный материал, разрез.

Светочувствительный материал состоит из прозрачного электрического слоя 1, фотополупроводникового слоя 2, первого прозрачного электрода 3, растрового экрана 4, электро5 люминесцентного слоя 5 и электрода 6, соединенных интегральной структурой.

Для изготовления светочувствительного материала смесь сернистого цинка, активирован10 ного медью и эпоксидной смолой, накладывают на прозрачный электрод 6, при этом образуется слой 5. Прозрачный тонкий слой золота в вакууме осаждается на слой 5 для образования прозрачного электрода 3 с экранной

15 структурой 4. Сплав селена с теллуром, содержащий 15% теллура, осажденного в вакууме на прозрачный электрод 3, образует фотополупроводниковый слой 2. Поликарбонатную смолу накладывают на слой 2, при

20 этом образуется прозрачный диэлектрический слой 1.

Скрытое электростатическое изображение на описываемом светочувствительном материале может быть получено следующим об25 разом, На поверхность диэлектрического слоя 1 наносят заряд 1000 В коренным разрядником.

В это же время поле переменного тока порядка 300 В прикладывают к электродам 3 и 6 зо для того, чтобы вызвать свечение электролю477584

Предмет изобретения

Составитель Э. Почтарь

Редактор Л. Тюрина Техред Л. Казачкова Корректор В. Брыксина

Заказ 2929/2 Изд. № 1756 Тираж 529 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 минесцентного слоя 2. Второй этап предусматривает приложение электрического поля к светочувствительному элементу при помощи коренного разряда, осаждающего положительный заряд на поверхность слоя с высокими изоляционными свойствами. В то же время световое изображение проецируется на фотополупроводниковый слой и через прозрачный слой 1, а напряжение переменного тока 300 В прикладывают к электродам 3 и 6.

Открытое изображение проявляется обычными методами.

Светочувствительный материал, содержащий фотополупроводниковый слой, прозрач5 ный электрод, экран, электролюминесцентнын слой и второй прозрачный электрод, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью обеспечения возможности проявления изображения на свету, материал дополнительно содержит про10 зрачный диэлектрический слой, расположенный на фотополупроводниковом слое, при этом все слои связаны между собой интегральной структурой.