Способ выращивания монокристаллов бестигельной зонной плавкой

п11 4735)4

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06,05.72 (21) 1781694!23-26 с присоединением заявки № (51) М. Кл, В 011 17, 1О

Государственный комитет (23) Приоритет

Совета Министров СССР

fl0 делам изобретений и открытий

Опубликовано 14.06.75. Бюллетень ¹ 22

Дата опубликования описания 10.10.75 (53) УДК 669.046-172:

: 621.315.58 (088.8) (72) Авторы изобретения Ф. Д. Самелюк, К. Н. Неймарк, В. Ф. Клешко и М, И. Осовский (71) Заявитель

1 (54) СПОСОБ ВЪ|РАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

БЕСТИГЕЛЬНОЙ 3ОННОА ПЛАВКОЙ

Предмет изобретения

Изобретение относится к металлургии полупроводников; оно может оыть также использовано при получении монокристаллов других элементов и соединений.

Известен способ выращивания монокристаллов бестигельной зонной плавкой на затравке с поперечным сечением, меньшим сечения перекристаллизуемого образца, с вращением образца вокруг оси для обеспечения хороших условий проплавления, Нагрев затравки осуществляют электромагнитным полем вытянутой осесимметричной формы. Для создания необходимого электромагнитного поля используют индукционную систему из двух индукторов, которые в процессе плавки перемещают один относительно другого в горизонтальной плоскости. Однако процесс плавки с использованием такой системы сложен в конструктивном оформлении.

Целью изобретения является значительное упрощение конструктивного оформления процесса. Это достигается тем, что нагрев осуществляют индуктором с овальным витком, поперечный размер которого меньше диаметра образца, или двухвитковым индуктором, продольная ось внутреннего витка которого совпадает с поперечной осью внешнего, а продольный размер внешнего витка больше диаметра образца.

Например, при выращивании монокристаллов кремния диаметром более 50 мм используют двухвитковый индуктор с длиной поперечной оси внутреннего витка 30 мм и длиной

5 продольной оси — продольным размером внешнего витка 95 мм. При этом на затравке с поперечным сечением 3+3 мм выращивают кристаллы диаметром до 92 мм.

1. Способ выращивания монокристаллов бестигельной зонной плавкой на затравке с

15 поперечными размерами, меньшими диаметра перекристаллпзуемого образца, с нагревом затравки электромагнитным полем вытянутой осесимметричной формы и вращением образца вокруг оси, отличающийся тем, что, 20 с целью упрощения конструктивного оформления процесса, нагрев осуществляют пндуктором с овальным витком, поперечный размер которого меньше диаметра образца.

2. Способ по и. 1, о тл и ч а ю щ н и с я тем, 25 что нагрев осуществляют плоским двухвптковым индуктором, продольная ось внутреннего витка которого совпадает с поперечной осью внешнего, а продольный размер внешнего витка больше диаметра образца.