Одновибратор

О П И С А Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Со|аз Советских

Социалистически?с

Рвсоублик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕйвСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 18.05.73 (21) 1919171 26-21 (51) М. 1:„7. Н 03k 3, 284 с присоединением заявки— (32) Приоритет—

Опубликовано 05.06.75. Бюллетень . и 21

Зата опубликования описания 29:";9.75

Государстввккый комитет

Совета Мииистроа СССР оо делам кзаоретеиий и t?TKpbl7HM (53) УД1 621.373.52 (088.8) (72) . дв тор изобретения

А. В. Васильев (71) Заявитель (54) ОД НОВ И Б РЛТО Р

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использова??о в качестве формирователя временных интервалов.

Известен одновибратор на биполярном и полевом транзисторах с дополнительной симметрией с коллекторно-базовыми связями, причем времязадающий конденсатор одной из обкладок соединен с затвором полевого транзис-.ора, сдновибратор содержит источник питания. Однако известный одновибратор обладает большой температурной погрешностью, низкой стабильностью формируемых импульсов и узким диапазоном регулирования длительности импульсов в сторону больших времен. 15

Цель изобретения — уменьшение температурной погрешности, повышение стабильности формируемых импульсов, а также расшире»ие диапазона регулирования длительности импульсов в сторону больших времен.

В предлагаемом одновибраторе затвор полевого транзистора дополнительно соединен через встречно включенные диоды с общей и;:-???ой источника питания, причем точка сое- 25 динения указанных диодов через два последовательно вк 7юченных резистора соединена с истоком полевого транзистора, а точка соединения последовательно включенных резисторог. соединена с источникох| смещения.

На чертеже приведена пр????ц??п??алы????? электрическая схема одповибратора.

Описываемый одновнбратор содержит биполярный транзистор 1 и полевой транзистор

2; времязадающий конденсатор 8 одной пз обкладок соединен с затвором полевого транзистора 2, который соединен через встречно включенные диоды 1 и 5 с общей шиной ttcточника питания. Точка соед||нення диодов 4 и 5 через последовательно включенные резисторы б и 7 соединена с истоком полевого транзистора 2, а точка соединения резисторов б и 7 соединена с нсточш|ком смещения (на схе»e .-|оказана клемма 8).

В схеме одновибратора имеются также резисторы 9, 10 11, 12 и 18, диоды 14 и 15, конденсатор 1б, вход 17 одновнбратора, выход 18.

Работает одновпбратор следующим образом. До прихода положительного импульса на вход 17 транзисторы 1 и 2 заперты, а конденсатор 8 полностью разряжен, диод 5 открьгг током смещения от источника, подключенного к клем»е 8.

Входной положительньш импульс открывает транзистор 1. Отрицательный перепад, образующийся на коллекторе транзистора 1, через делитель на резисторах 12 и 18 и конденсатор 8 откроет транзистор 2 и закроет диод 4. На выходе 18 прп этом формируется короткий отрицательный фронт импульса.

473284

Транзистор 1 иясыщяется, и 1<ондеисятор 3

ПсIЧИИЯСТ ЗЯРЯжЯТЬС?1, В течеиие всего времени заряда коидеисяторя 3 ия затворе Tpa(!31!crop I 2 и иа аноде диода 4 поддерживается отрицятсльиое няпряжснис, и диод окязывястся запертым.

Вследствие этого при формировяиии вершииы

ИЬ(Г(? ЛЬСсl 3BPII(IIh! El TOK Может ГIРОТЕКЯТЬ только через врсмязядшощий резистор 11.

Ток затвора полевого трянз(гсторя 2 и обратт.(ь(й To!< Kpc(III i(caot o f t(o. (a 4 oKязы вя(отся

II(- .)!!ЗМСРЮ(J;((я IhDIII И ИС CK(13hi„;i!OТC5! И с(! ifiIp B МЕтрсl. (1)0 ) М .) С СМ ОГО И .((!(Лтв я, Во время заряда кондеисяторя 3 ияпряжсиие, пропÎрциîllaëû!oå зарядl!oìó току конденсатора 3, прикладывается к затвору тряизисторя 2 и удсрживяет транзисторы 1 и

2 в открытом состоянии.

В процессе заряда коидеисяторя 3 !Япря?кеиие На зятворе тря н3истОря 2 уi?hiaacT экспоиенцияльпому закону, и при досп ?Kel(I»I уровня отсечки схемя перейдет в исходпос состояние, транзисторы 1 и 2 закрываются.

В эTo время ня коллcKTop транз:1 Topя 1 форм;!рустся срез выходного импульса.

Одия 113 Обклядок коидсitcaTopa 3 вястся соедипепиой через резистор 13 с общей

Ill(I(!of(IICTO (II f1 KB ПИТЯ И ИЯ, Я gP? Гс(Я ООКЛ B;i, кя — присоединенной к затвору тряизисторя

2 и к аноду диода 4. При этом транзистор 2 еще больше запирается, а диод 4 открывается, и конденсатор 3 быстро рязряжяется через открытые диоды 4 и 5 и резистор 13.

Сопротивлепие открытых диодов 4 и 5 много меиьше сопротивления резистора 10, и время восстановления определяется только резистором 13 и копдепсаторо 1 3. Оио окязывяется почти !Ia три порядка .:с !ьшс. чем

ДЛИТСЛЫIОСТЬ фОР (II!PA С1(ОГО ИМ((л((bCB TBK

KHK. pP3IIcTop 11 может ohITh и(.с«0,!ьк!(х

5 гaov., я резистор 13 — несколь I .i. -..(лкм.

Для компепсяци(1 тсмперятуриых изм(- (сний Itai!pil?K(.I!If>I отсечки, при котором происходит возврат схемы в исходное состояиие, при fellelta цепочкя из резистора 12 и диодя

14. КомпсHcEIpу(ощее действ (е этой I :, пи осноBHIIo иа темперятур(юй зависимости обрятlioго тока гермянисвого диода 14.

Предмет изооретеиия

Одновибрятор пя биполяр:юм и полевом тря изистор ях с дополиитсльиой ct! м мет13:(сй с коллскторио-базовыми связями, пр!(чем врез!язядяющий ко((дсисатор одиой из обклядок соеyfIIICII с затвором голевогo тря изисторя, СОДСР?КЯЩИй ИСтОЧИИК (IEITBII(lf(. Отпис(аЮи!ийся тем, что, с целью умеиьшсиия те.,:перятурной погрешиости, повышеги(я стяоилы(ости формируемых импульсов. я также рясш:рения дияпязоиа регулироваиия дли-слы(ости импульсов в сторону больших време, з !Твор полевого транзистора дополиителы(о соединен через встреч:!о включс!!!!hie дио lh! с обшей шиной источника питания, причем Toчкя Осдинеиия уKBBBI(((hix диодов через двя пос.(сдовательно включ IIHhlx рез:(сторя сосдинепя с истоком полевого транзистора, я точка сосдизь 1 сипя последовательно вклиочеииых резисторов соединена с источником смещения.

473284 оп

l l l «ф ив

Составитель Ю. Еркин

Редактор Л. Жаворонкова Техред А. Камышникова

Корректор В. Гутман

Тип. Харьк, фил. пред. «Патент»

Заказ 831/1249 Изд. М 802

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и

Москва, Ж-35, Раушская

Тираж 902 Подписное

Совета Министров СССР открытий наб., д. 4/5