Способ перекристаллизации сульфида цинка
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВЙДЙТВЛЬСТВУ (11), 446302
Соеоа Советских l
Социалистических
Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено Т4.0I. 72 (21Г737697/2386 (51) t4 Кл.
В 0I j I7/04 с присоединением заявкиГасударственный накнтет
Сааатв Инннатрав .СССР аа делам нзабретеннй. н аткрытнй (32) ПриоритетОпубликованЫ. I0 у 74 Бюллетень № 38 (45);Дата опуо.икования описаниХБ. 12. 74 (53) УДК
66,065,5:66I
8ьавбЦ088.8) (72) Авторы изобретения
Л.А.Самойлович, А.Д.Бабанский, В.С.Балицкий, Л.Н. Хетчикова и Л.В.Балицкая
Всесоюзный ордена Трудового Красного Знамени научноисследовательский институт синтеза минврального сырья (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ СХЕЬФИДА ЦИНКА
Изобрвтвние относится к области выращивания кристаллов синтвтичвских минвралов, напримвр кристаллов сфалврита, гидротврмальным мвтодом. 5
Известен способ получвния монокристаллов сульфида цинка модификации сфалврита гидротврмальным мвтодом из родного раствора:% ей, !о
ЯрЯ, Ь! СВ, М? а СО,Ф а . д8г 3 р АГд Р Оч раМ и УаоМпри 550-480 С и давлвнии до ХООО атм.
Основным нвдостатком известного способа являвтся нвобходимость при- » менвния относитвльно высоких парамвтров кристаллизации, что сильно осложняет эксплуатацию оборудования.
Цель изобрвтвния - снижение парамвтров пврвкристаллизации. Это достигается тем, что процвсс ведут в растворе кислоты 8 концвнтрацивй
0 Х-5 М при 250-350 С и давлвнии
50-300 атм..Првимущвстввнно процесс пвоволят в 6аствовв кислоты с кон „>
2 цвнтрацивй 1-2 М йри 260-280"С и давлвнии 240 260 атм
При осущвствлвний првдлагавмого способа снижавтся температура иерекристаллизации, что значительно упрощавт аксплуатацию автоклавного оборудования.
П р и и е р. В автоклавв, футврова ном фторопластом и раздвлвннои диафрагмой на зоны растворения и кристаллизации, обычным гидротврмальным способом твмпвратурного пврвпада производят пврвкристаллизациюЕ Ы. В качвствв шихты в нижнвй зонв автоклава помвщают природный лроблвный сфалврит или химрвактив сернистый цинк марки "хч или и ф рoв" s zommecme IO
Х5 г на ХОО мл водного раствора соляной кислоты концвнтраци» I p (3,5 ввс.Я} Твмпвратура кристаллизации 270 С твмпвратура в зонв растворен я 2)0 С. За 5 суток укаванная шихта олностьв пврвкристал лизовывавтся с образованивм в вврхСоставитель В«ПОПОЛИТОВ редан горН Корчвнко текред H«Сенина корректор P Киселева
:!вкаэ 3 Изд. гй 95
Тираж fy$f
Подпнсыое
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытый
Москва, 1l3035, Раушская ыаб„4
Предприятие «Патент», Москве, Г-69, Бережковская ивб., 24
446302 ней зоне аваоклавв кристаллов ЬЫ в и и и o s тем, ча6, с целью снирезмером до 2 мм. кения параметров перекрис аллиэации, процесс ведув в рас воре кислоты о
lIPEQlET ИЗОБРЕТЕНИЯ концентрацией 0 ?-5 И при 250-350оС б и лавлеаии -Я0 а м.
I. Способ перекристаллиеации 2. Способ mo п.I, о т л g ч а сульфида цинка мод икации сфалери-, ю 4 ж и o a тем, 4о процесс вета s гидротермальных условиях с тем- дут преимуществейно в рас вопе gscпературным перепадам в водном раса-;; п .лоты д концентрацией I-2 и фи воре соляной кислоты, î a a и ч а - 260-2Ю С и давлении 240-260 атм.
