Детектор ядерного излучения
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (II) 445366
Союз Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02.06.72 (21) 1793101!26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет
Опубликовано 05.03.76. Бюллетень № 9
Дата опубликования описания 30.04.70 (51) Ч. Кл. - G 01Т 1 24
II 011 31,00
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 539.107.455 (088,8) (72) Автор изобретения
В. В. Ткачев (71) Заявитель
Институт космических исследований АН СССР (54) ДЕТЕКТОР ЯДЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к области полупроводникового приооростроения и может быть использовано при разработке и изготовлении полупроводниковых детекторов ядерного излучения.
Детекторы ядерного излучения, имеющие структуру металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-детекторы) с геометрически точным чувствительным слоем, могут быть использованы в приборах для регистрации и точных количественных измерений характеристик ядерного излучения. Для этих целей применяют повер: постно-барьерные полупроводниковые детекторы (n — р — детекторы) .
Поверхностно-барьерные детекторы изготовля«от обычно из кристалла кремния электронного типа проводимости, на поверхности которого в результате технологической обработки образуется слой дырочного типа проводимости, или инверсный слой. На поверхность этого слоя напыляют в вакууме золотой электрод, а на обратную сторону кристалла— омический контакт. На полученный детектор, являющийся по существу полупроводниковым диодом, подают через сопротивление запирающее напряжение, в результате чего в кристалле полупроводника возникает слой, обедненный основными носителями и являющийся чувствительной обло".-.>«о детектора.
Для точных количественны. . измерений характеристик ядерного излучения необходимы детекторы, в которых толщины D обедненных слоев то:шо определены. Особенно это важно
5 для «ToHI Ilx» проходных детекторов, т. е детекторов с обедне«шымп слоями. составляющими ед;шипы — десятки микрон. Определенные типы ядерных излучений могуг проходить такие детекторы насквозь и терять только
1О часть своей энер«чш в обед «енном слое. Доля выделенной в детекторе энергии определяется как типом частицы ядерного излучения, ее энергией, так и толщиной обедненного слоя.
Ниже этой границы внешнее приложенное
15 электрическое поле не проникаеT в полупроводник, т. е. оно равно нулин
Для уменьшения влияния диффузионной компоненты стремятся сделать минимальной толщины d полупроводника между омическим
2о контактом и ооедненной областью, d« D.
Сделать d=0 не мдается, так как если обедненный слой достигает омического контакта, то резко возрастают шумы детектора. Связано это с технологическим несовершенством
25 омических контактов, в результате чего последпие инжектируIQT неосновные носители в обедненную область. На практике величина d составляет обычно единицы микрон. В то жс время для некоторых задач экспсрименталь445366
Фиг.2
Риг 1 ного корпуса с помощью золотых проволочек
7. Золотые проволочки приваривают к металлическому электроду 3 и выводам 6 методом термокомпрессии. На обратную сторону кремниевой пластины нанесен омический контакт, который припаивается к корпусу 8. От корпуса имеется вывод 9. В крышке 10 корпуса имеется отверстие 11, через которое частицы ядерного излучения попадают в детектор.
Предлагаемый МДП-детектор ядерного излу:,ения имеет низкий уровень собственных .пумов, технологичен в изготовлении, обладает хорошей надежностью, имеет высокое временное разрешение.
Формула изобретения
Детектор ядерного излучения на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, полупроводнико10 вый элемент выполнен с градиентом концентрации носителей, максимум которой находится у поверхности с диэлектрическим слоем
445366 s
2 н
Составитель И. Трофимова
Корректор Е Рожкова
Текрсд А. Камышникова
Редактор И. Орлова
Типография, ир. Сапунова, 2
Заказ 1225/4 Изд Л"е 275 Тираж 690 11олиисное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ио делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4!5