Управляемый мультивибратор

ИСАЙ

О П И Е

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

< т1 442566

С-..оз Советсииа

Социалисте" е иит

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 22.12.72 (21) 1864226/26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.09.74. Бюллетень № 33

Дата опубликования описания 16.04.75 (51) М. Кл. Н ОЗЙ 3!284

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий (53) УДК 621.372.52 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Л. Волчек, С. И. Гагарин, И. В. Макеев, И. А, Лейцихович и А. П. Шибулкин (71) Заявитель (54) УПРАВЛЯЕМЫЙ МУЛЬТИВИБРАТОР

Изобретение относится к импульсной технике. Мультивибратор может быть использован в качестве генератора прямоугольных импульсов.

Известен управляемый мультивибратор на двух транзисторах и-р-п типа с коллекторнобазовыми связями и двумя дополнительными управляющими транзисторами.

Цель изобретения — стабилизация регулировки скважности.

Для этого в предлагаемом мультивибраторе коллектор первого дополнительного транзистора р-п-р проводимости, база которого подключена к источнику управляющего напряжения, соединен с базой второго транзистора, эмиттер связан с общей точкой резистора, конденсатора и дросселя, причем резистор и конденсатор другими выводами подсоединены к источнику питания, а дроссель — к коллектору второго дополнительного транзистора п-р-п проводимости, включенного по схеме с общим эмиттером, коллектор которого соединен с источником питания через диод, подключенный в непроводящем состоянии к источнику питания, а база соединена с коллектором первого транзистора.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.

Мультивибратор содержит транзисторы 1, 2 п-р-п типа, кондснсаторы 3, 4, резисторы 5 — 7, управляющие транзисторы 8, 9. Коллектор транзистора 8 соединен с базой транзистора

2, база — с источником управляющего напряжения. База транзистора 9 соединена с коллектором транзистора 1. Эмиттер транзистора

8 подключен к точке соединения резистора 10, конденсатора 11 и дросселя 12. Коллектор транзистора 9 соединен с дросселем 12 и через диод !3 — с источником питающего напряжения. Источник управляющего напряжения подсоединяется к клеммам 14 и 15.

Работает устройство следующим образом.

Выходное напряжение мультивибратора

15 поступает на базу транзистора 9. В цепи коллектора этого транзистора протекает постоянная составляющая тока, обра1но пропорциопальная скважности выходных импульсов. г1апряжение, выделяемое на резисторе 10, 20 подается на эмиттер транзистора 8. При изменении скважности выходных импульсов ток перезаряда времязадающего конденсатора изменяется таким образом, чтобы свести отклонение скважности к минимуму, определяе25 мому коэффициентом усиления сигнала рассогласования. На клеммы !4 и. 15 подается напряжение, закон изменения которого совпадает с требуемым законом изменения скважности, что р к соответствующему из30 менению скважности мультивибратора.

Предмет изобретения

Составитель Ю. Еркин

Техред В. Рыбакова

Корректоры: Л. Корогод и А. Николаева

Редактор Б. Федотов

Заказ 92919 Изд. № 468 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-З5, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2

Управляемый мультивибратор на двух транзисторах и-р-п типа с коллекторно-базовыми связями и двумя дополнительными управляющими транзисторами, отл и ч а юшийся тем, что, с целью стабилизации регулировки скважности, коллектор первого дополнительного транзистора р-и-р проводимости, база которого подключена к источнику управляющего напряжения, соединен с базой! ! !

I ! ! ! ! ! !

L второго транзистора, эмиттер связан с точкой соединения рсзистора, конденсатора и дросселя, причем резистор и копденсаIop другими выводами подсоединены и источнику питания, 5 а gpocce 1r — 1 1 o 1 сКТор aTopo1 o ро11о 1ННтельного транзистора и-р-и проводимости, включенного по схеме с общим эмиттером, коллектор которого соединен с источником питания через диод, подключенный в непрово10 дящем состоянии к источнику питания, а база соединена с коллектором первого транзистора.