Способ определения скорости образования дефектов в полупроводниковых материалах под действием нейтронного излучения

Авторы патента:

КРАМЕР-АГЕЕВ Е.А.

ПАРХОМОВ А.Г.

G01T3 - Измерение нейтронного излучения (G01T 5/00 имеет преимущество)

111 440104

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик ф . (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 26.03.73 (21) 1897594/26-25 с присоединением заявки № (51) М. Кл. G Olt 3/00

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

Опубликовано 05.07.75. Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 19.11.75 (53) УДК 539.1.074 (088.8) (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

Е. А. Крамер-Агеев и А. Г. Пархомов

Московский ордена Трудового Красного Знамени инженернофизический институт (54) спОсОБ ОпРеделения скОРОсти ОБРАВОВ ая.

ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИА

ПОД ДЕЙСТВИЕМ НЕЙТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Государственный комитет (32) Приоритет

Изобретение относится к определению радиационной стойкости материалов, в частности к измерению скорости образования радиационных дефектов в полупроводниковых материалах под действием нейтронного излучения.

В настоящее время для этой цели измеряют плотность потока быстрых нейтронов. Используя расчетные или измеренные спектры нейтронов, рассчитывают часть энергии, возникающей при нейтронном облучении атомов отдачи, и диссипированную в процессах упругих столкновений с атомами среды. Выход дефектов считается пропорциональным этой части поглощенной энергии нейтронов. Этот метод характеризуется необходимостью знания энергетического спектра нейтронов в месте облучения; сложностью расчетов; значительной погрешностью определения скорости образования дефектов, связанной с низкой точностью значения спектров нейтронов, и с приближениями, принятыми в расчетах диссипированной энергии; невозможностью определения скорости образования дефектов непосредственно во время облучения.

Для проведения измерения непосредственно в эксперименте и повышения точности измерений предлагается одновременно измерять калориметром мощность полной поглощенной дозы в данном полупроводниковом материале и полупроводниковым детектором, изготовленным на основе того же материала, часть мощности поглощенной дозы, расходуемой на ионизацию и возбуждение атомов, и по их разности оценивать скорость образования дефектов.

Разность сигналов U калориметра и приведенного сигнала 1 полупроводникового детектора U вЂ” КТ характеризует долю поглощенной интенсивности излучения, преобразованную в

1о кинетическую энергию смещенных атомов, т. е. в соответствии с современными представлениями скорость генерации дефектов в исследуемом полупроводником материале. Коэффициент связи К можно определить, облучая калориметр и полупроводниковый детектор гамма-излучением. Практически вся поглощенная энергия гамма-квантов тратится на ионизацию и возбузкдение атомов. Поэтому .можно считать, что в поле гамма-излучения U вЂ” КТ=

20 =О, т. е. К= Г.//1.

Таким образом, по данным измерений калориметром и полупроводниковым детектором легко определить величину, пропорциональнню скорости образования дефектов в данном

25 полупроводниковом материале под действием нейтронного излучения.

Преимущества предлагаемого способа заключаются в возможности непосредственного без последующих расчетов определения ско30 рости образования дефектов; независимости

440104

Предмет изобретения

Составитель А. Балашов

Техред Т. Курилко

Редактор Л. Тюрина

Корректоры: E. Давыдкина и В. Дод

Заказ 3073/3 Изд. № 873 Тираж 619 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 получаемых результатов от спектра нейтронов; возможности получения результатов непосредственно во время облучения.

Способ определения скорости образования дефектов в полупроводниковых материалах под действием нейтронного излучения, о тл ич а ю шийся тем, что, с целью проведения измерения непосредственно в эксперименте и повышения точности измерений, одновременно измеряют калориметром мощность полной

5 пог. ощенной дозы излучения в полупроводниковом материале и полупроводниковым детектором вклад мощности дозы на ионизацию и возбуждение атомов и по их разности оценивают скорость образования дефектов.

Устройствоjum опр!нейтронноикомпон1луч1f1изобретение относится к устройствам, предназначенным для разделения потока нейтронов космических лучей по энергиям, регистрируемого нейтронным монитором или супермонитором станции космических лучей. данные регистраторов кратностей используются при излучении вариаций космических лучей., определение кратностей нейт-» ронной компоненты космических лучей основано на том.что первичный, нейтрон, попадая в тело датчика нейтронного монитора, вызывает ге-т нерацию некоторого числа вторичных нейтронов, имеющих общее название "звезда*, которые регистрируются счетчиками. чем больше энергия пришедшего первичного • нейтрона, тем больше вторичных нейтронов в "звезде", тем больше число их зарегистрируется счетчиками, т.е. тем больше кратность зарегистрированной "звезды" (одноч кратные, двукратные и т.д. "звезрс ды").101520подсчет количества нейтронов в "звезде", т.е. определение её кратности, производится в течени^ определенного времени сбора ''тс , которое выбирается несколько большим времени ?ивни "звездц" в датчике нейтронного монитора, отсчет времени сбора тс начина-» ется от момента регистрации счет^ чиками первого нейтрона регистри'п руемой "звезды".известно устройство для определения кратностей нейтронной компоненты космических лучей - по авт.св. № 335636, статистичес>& ки полно исключающее р выходных данных влияние эффекта двойных совпадений.такое устройство содержит фор«1ирователи основного вршени сбора, форлирователь времени задержки, формирователь контрольного времени и формирователь компенсйрущез?с) времени cso]^, соединенные последовательно, подсчитываюпше кратность регистрир!уе- // 433434

Патент 400865 // 400865

Способ потоконтроля потока быстрых нейтронов // 392774

Счетчик нейтронов // 379176

Устройство для регистрации нейтронов // 371541

Способ изготовления активационных детекторов нейтронов // 348109

Бивлпотека i // 335636

Патент 335635 // 335635

Устройство для измерения интенсивности запаздывающих нейтронов // 302974

Устройство для регистрации потоков нейтронов // 2102775

Двухсекционная газонаполненная ионизационная камера (варианты) // 2110080

Изобретение относится к технической физике, точнее - к области регистрации нейтронов

Нейтронный детектор // 2119178

Изобретение относится к детекторам быстрых нейтронов и может быть использовано, например, для реализации метода регистрации скрытых взрывчатых веществ и наркотиков

Блок детекторов для измерения потока нейтронов // 2137155

Изобретение относится к области технической физики, а точнее - к области регистрации нейтронов

Детектор нейтронов прямого заряда // 2138833

Изобретение относится к технике измерения ионизирующих излучения и может быть использовано в детекторах нейтронов прямого заряда

Сборка детекторов системы внутриреакторного контроля // 2140105

Изобретение относится к ядерной энергетике и может быть использовано в сборках детекторов системы внутриреакторного контроля, используемых для контроля за состоянием активной зоны ядерных реакторов, преимущественно в реакторах с водой под давлением и в кипящих реакторах

Способ для классификации частиц (варианты) и устройство для классификации частиц (варианты) // 2141109

Способ определения среднего заряда от нейтронов в импульсе камеры деления // 2142148

Изобретение относится к определению характеристики ионизационной камеры деления

Индивидуальный дозиметр нейтронного излучения // 2143710

Изобретение относится к области измерений ядерного излучения и предназначено для измерения и определения доз нейтронного излучения

Детектор для регистрации ионизирующих излучений // 2143711

Изобретение относится к области дозиметрии быстрых и тепловых нейтронов и гамма-излучения и предназначено для использования в комплексах и системах радиационного контроля