Радиатор

Авторы патента:

H01L23/367 - охлаждение, обусловленное формой прибора

О П И С A Н И E „„ 436408

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистицвскиве

Рестгублин

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 23.08.71 (21) 1691748/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 15.07.74. Бюллетень № 26

Дата опубликования описания 13.12.74 (51) М. Кл. H Oll 1/12

Н Olj 19/74

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382.002 (088.8) (72) Авторы изобретения

lO. P. Войцехов и М. М, Чернякова (71) Заявитель (54) РАД И АТО P

Изобретение относится к технике охлаждения и может быть использовано для термостабилизации элементов радио- и электронной техники, а также в других отраслях народного хозяйства в аналогичных целях.

Известны металлические оребренные радиаторы, используемые, на пример, для охлаждения транзисторов и других тепловыделяющих элементов.

Однако при изменении тем пер ату ры окружающей среды соответственно изменяется тем,пература тепловыделяющего элемента (транзистора) при неизменном режиме охлаждения, т. е. тра нзисто р с радиатором работает в неста|бильном температурном режиме, определяемом температурной не стабильностью внешних условий. При этом,известно, что для надежной работы радиоаппаратуры важно, чтобы все ее элементы работали в температурном диапазоне, оговоренном в ТУ .на элементы, и обладали в эго м диапазоне стабилыными параметрами.

Одним из недостатков, полупроводниковых элементов (транзисторов, диодов и т. д.) является з начительная температурная нестабильность их основных параметров таких, как коэффициент усиления, обратное сопротивление р-и-переходов и т. д., что отрицательно оказывается на работе аппаратуры на полупроводни ковых элементах.

Недостатком известных охлаждающих радиаторов является отсутствие температурной стабилизации работы тепловьоделяю щих элементов.

Для те рмостабилизации теплового режима элемента в корпусе .предлагаемого радиатора выполнен капилляр ный канал, один, конец которопо служит для соединения с,патрубком системы охлаждения, а другой вЂ” для,выхода

10 опклоняющей основной охлаждающий поток струи.

На чертеже показан предлагаемый радиато р, установленный на транзисторе.

Здесь; 1 вЂ” пагрубок системы охлаждения, 15 2 вЂ” корпус радиатора, 3 вЂ” транзистор, 4вЂ” ка пилля рный канал, 5 вЂ” выходной конец капиллярного канала, 6 вЂ” выхсдной конец охлаждающего патрубка, 7 и 7, 8 и 8 вЂ” границы охлаждающей транзистор струи, 9 и 9 вЂ”

20 границы выходной струи капиллярного канала.

В теле радиатора, находящегося в непосредственном тепловом контакте с охла>кдаемым

25 транзистором 3, проходит,капилля рный канал 4.

Вход капиллярного канала 4 соединен с патрубком системы охлаждения 1, а выходной конец его расположении у выходного конца ох30 лаждающего,патрубка 6.

436408

Составитель Г. Корнилова

Редактор И. Шубина Техред Т. Курилко Корректоры: M. Коробова и О. Данишева

Заказ 3304/9 Изд. № 1827 Тираж 760 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 5К-35, Раушскан наб., д. 4/5 Гипография, пр. Сапунова, 2

Принцип действия предложенного устройства состоит в следующем.

Охлаждающий воздух, поступает в патрубок системы охлаждения и выходящая из него струя 7 вЂ” 7 охлаждает транзистор с радиатором, Одновременно с этим часть охлаждаю щего воздуха .поступает в управляющий ка пиллярный канал 4, проходящий,в корпусе ра диатора 2.

Температура капиллярного канала 4 определяется температурой охлаж даемого радиатора.

Известно, что аэродинамическое сопротивление;капиллярного канала 4 зависит от температуры и с увеличением температуры расход воздуха через ка пилля рный канал падает . Выходящая из капиллярного канала струя

9 вЂ” 9 отклоняет основной охлаждающий поток 7 вЂ” 7 . Когда температура радиатора велика, расход через капиллярный канал мал, и струя 7 вЂ” 7,:практически не опклоняясь, направлена непосредственно на охлаждаемый элемент. При уменьшении темлературы ipaдиатора растет мощность управляющей спруи

9 вЂ” 9 и она отклоняет основную охлаждающую струю в положение 8 вЂ” 8 .

Охлаждение транзистора становится менее инте|нсивным.

Таким образом, колеблясь, охлаждающая струя регулирует охлаждение транзистора в за висимости от его тем пературы, что обеспечи вает его |работу в неизменном те1пловом режиме. Иными словами, предложенное успройство термостабили зирует охлаждаемый элемент, что,позволяет стабилизировать его электрические параметры в требуемом темцературном интервале.

10 Изменяя изометричеакие .параметры капиллярного канала и взаимное расположение выходных концов основного и yippaaляющего .каналов, можно регулировать чувствительность термоста билизации и изменять тем ператур15 ный диапазон статиравания.

Предмет изобретения

Радиатор для .принудительного охлаждения, например, полупроводниковых приборов, 20 представляющий собой оребренное металлическое тело, находящееся,B непосредственном тепловом;контакте с корпусом охлаждаемого элемента, отл и ч а 1ощи и ся тем, что, с целью термоста билизации теплового, режима

25 элемента, в корпусе радиатора выполнен капиллярный канал, один конец которого служит для соединения с патрубом системы ovлаждения, а другой вЂ” для выхода о пклоняющей основной охлаждающий поток струи.

Вращающееся выпрямительное устройство для бесщеточных генераторов // 420056

Патент 414657 // 414657

Устройство для охлаждения // 405144

Устройство для охлаждения тепловыделяющей // 389363

Полупроводникового прибора // 253931

Радиатор для охлаждения силового полупроводникового прибора // 2137254

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для охлаждения полупроводниковых приборов, в том числе приборов большой мощности, имеющих большой диаметр оснований, при естественном охлаждении, и может быть использовано в преобразовательных устройствах

Многоэлементный полупроводниковый свч-прибор // 1118242

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым СВЧ-приборам, таким, например, как лавинно-пролетные диоды, применяемым для генерации, усиления, преобразования и умножения сигналов сверхвысоких частот

Теплоотвод (варианты) // 2589942

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к теплоотводам полупроводниковых приборов повышенной мощности, и может быть использовано в различных теплотехнических устройствах, работающих с большими удельными тепловыми нагрузками. Теплоотвод для охлаждения по крайней мере одного локального источника тепла содержит основание в виде алмазной пластины. На указанном основании закреплена слоистая структура из теплопроводящих пластин. Пластины слоистой структуры расположены параллельно основанию. При этом часть смежных поверхностей указанных пластин имеет тепловой контакт, а в областях между остальными частями этих поверхностей расположено теплоемкое вещество. Технический результат - повышение мощности отводимой от локального источника тепла (полупроводникового прибора) при увеличении времени работы последнего. 8 з.п. ф-лы, 1 ил.

Сборный корпус микросхемы и способ его использования // 2617559

Использование: для монтажа и демонтажа, по крайней мере, одной полупроводниковой микросхемы. Сущность изобретения заключается в том, что корпус микросхемы состоит из фланца и подложки с размещением, по крайней мере, одной микросхемы и подложки на одной стороне фланца, фланец изготавливается из электро- и теплопроводного материала, при этом сборный корпус микросхемы содержит, по крайней мере, одно охлаждающее устройство, а также электрическую изоляцию между выводами, по крайней мере, одной микросхемы и, по крайней мере, одним охлаждающим устройством. Технический результат: обеспечение возможности высокоэффективного отвода тепла. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 2 ил.

Полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа // 2635338

Настоящее изобретение относится к полупроводниковому прибору для поверхностного монтажа. Устройство с одним или несколькими приборами для поверхностного монтажа, смонтированными на несущей подложке, причем полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа содержит один полупроводниковый элемент, смонтированный на подложке (1) прибора или интегрированный в подложку (1) прибора, причем подложка (1) прибора имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность и имеет одну или несколько контактных площадок (2) электрического соединения первой высоты и одну площадку (3) теплового контакта второй высоты, расположенные на нижней поверхности подложки (1) прибора, вторая высота площадки (3) теплового контакта больше, чем первая высота контактной площадки (площадок) (2) электрического соединения, площадка (3) теплового контакта отделена от площадки (площадок) (2) электрического контакта канавкой или зазором, упомянутая несущая подложка содержит металлическую пластину (7) или слой металлической основы, покрытый диэлектрическим слоем (8), на котором расположен электропроводящий слой (9), причем упомянутый электропроводящий слой (9) и упомянутый диэлектрический слой (8) не присутствуют или удалены под площадкой (3) теплового контакта упомянутого прибора и под частью упомянутой канавки или упомянутого зазора, при этом упомянутая площадка (3) теплового контакта соединена термически посредством слоя (5) межсоединений теплового контакта с металлической пластиной (7) или слоем металлической основы, а упомянутые контактные площадки (2) электрического соединения соединены электрически посредством слоя (5) межсоединений электрического контакта с электропроводящим слоем (9), при этом разница по высоте первой высоты и второй высоты равна сумме толщин электропроводящего слоя (9) и диэлектрического слоя (8). Изобретение обеспечивает возможность монтажа просто и надежно непосредственно соединить площадку теплового контакта с металлической подложкой изолированной металлической подложки. 10 з.п. ф-лы, 2 ил.