Устройство для испарительного охлаждения

Авторы патента:

H01L23/367 - охлаждение, обусловленное формой прибора

О П И С А Н И Е (и) 429565

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ. СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских оциалистическиХ

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства

{22) Заявлено 31.12.71 (21) 1731830/26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано .25.05.74. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 21.10.74 (51) М. Кл. Н 011 1/12

Н 051< 7/20

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений н открытий (53) УДК 621.565.943 (088.8) (72) Авторы изобретения

И. P. Рубин и Л. И. Ройзен (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИСПАРИТЕЛЪНОГО ОХЛАЖДЕНИЯ

Изобретение относится к электронной технике.

Параметры и характеристики тиристоров, применяемых в высоковольтных тиристорных блоках, зависят от температуры р вЂ” и-структуры. В зависимости от типа тиристоров допустимая температура перехода лежит в пределах 75 вЂ” 110 С.

Известно устройство для испарительного охлаждения, содержащее индивидуальные паровые коллекторы, обеспечивающее наиболее интенсивный отвод тепла без,каких-либо динамических элементов и охладителей.

Однако для высоковольтных тиристорных блоков, набираемых из большого числа модулей, и достигающих высоты 10 м и более, выход пара из нижнего модуля в коллектор, находящийся над верхним модулем, затруднен.

Целью изобретения является повышение эффективности охлаждения.

Для этого индивидуальные паровые коллекторы соединены с секциями подпитывающей емкости, выполненными в виде вертикальных сообщающихся сосудов.

На чертеже приведена схема устройства.

Устройство для испарительного охлаждения содержит таблеточный тиристор 1, зажатый между двумя охладителями 2, снабженными каналами, в котовых кипит охлаждающая жидкость, например фреон-113. По коллектору 3 жидкость поступает из соответствующей секции подпитывающей емкости 4 к включенным параллельно охладителям тиристоров, составляющих данный модуль. По паровому коллектору 5 через отделитель капель жидкости б, из которого отсепарированная жидкость возвращается в коллектор 3, пары попадают в общую для всех модулей паровую линию 7, а затем в конденсатор 8 и стекает в верхнюю секцию емкости. Из этой секции жидкость подается к верхнему модулю, расположенному с ней на одном уровне, а избыток вЂ” по переливному устрой15 ству 9 поступает в нижележащую секцию емкости и т. д. Число секций емкости равно числу модулей.

Устройство работает следующим образом.

Переливное устройство обеспечивает оди20 наковый уровень жидкости во всех модулях и секциях. Для предотвращения поступления пара в конденсатор через подпитывающую емкость нижние концы переливных устройств опущены под слой жидкости нижележащей

25 секции емкости, в результате чего создается гидравлический затвор. Для устойчивой работы охладителей паровой коллектор 5 связан с паровым пространством соответсгву..ющей секции емкости. Конденсатор через гру30 бу 10 сообщается с атмосферой, что позволя429565 ет поддерживать постоянное давление (практически близкое к атмосферному) во всех модулях независимо от их расположения.

На чертеже условно показано три модуля, однако устройство не имеет ограничений по числу расположенных друг над другом модулей.

В некоторых случаях по технологическим соображениям целесообразно располагать конденсатор ниже уровня нижнего модуля.

При этом усложняется возврат конденсата в верхнюю секцию емкости. Необходимо установить насос, периодически возвращающий кидкость в подпитывающую емкость. Обычно гепловыделение в модулях можно предусмотреть весьма приблизительно, к тому же оно зависит от токовых характеристик. Поэтому устройство должно снабжаться системой автоматики, обеспечивающей включение насоса при недопустимом понижении уровня в нижней секции подпитывающей емкости, Более устойчиво и надежно будет работать устройство с циркуляционным контуром. Оно содержит дополнительную емкость, установленную на уровне конденсатора, и циркуляционный насос.

Охлаждающая жидкость подается насосом в верхнюю секцию подпитывающей емкости, переливается последовательно через все секции, а из нижней вЂ” в дополнительную емкость.

Таким образом осуществляется циркуляция жидкости в контуре: подпитывающая емкость вЂ” дополнительная емкость вЂ” насос.

Часть жидкости испаряется в модулях, пар поступает в конденсатор, а конденсат стекает

1р в дополнительную емкость. Для устойчивой работы устройства производительность насоса должна превышать производительность конденсатора (по жидкости).

Предмет изобретения

Устройство для испарительного охлаждения, например, элементов высоковольтного тиристорного блока, содержащее индиви20 дуальные паровые коллекторы для каждого элемента охлаждаемого блока, конденсатор и секции подпитывающей емкости, о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью повышения эффективности охлаждения, индивидуальные

25 паровые коллекторы соединены с секциями подпитывающей емкости, выполненными в виде вертикальных сообщающихся cocyz ов.

Патент 414657 // 414657

Устройство для охлаждения // 405144

Устройство для охлаждения тепловыделяющей // 389363

Полупроводникового прибора // 253931

Радиатор для охлаждения силового полупроводникового прибора // 2137254

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для охлаждения полупроводниковых приборов, в том числе приборов большой мощности, имеющих большой диаметр оснований, при естественном охлаждении, и может быть использовано в преобразовательных устройствах

Радиатор // 436408

Многоэлементный полупроводниковый свч-прибор // 1118242

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым СВЧ-приборам, таким, например, как лавинно-пролетные диоды, применяемым для генерации, усиления, преобразования и умножения сигналов сверхвысоких частот

Теплоотвод (варианты) // 2589942

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к теплоотводам полупроводниковых приборов повышенной мощности, и может быть использовано в различных теплотехнических устройствах, работающих с большими удельными тепловыми нагрузками. Теплоотвод для охлаждения по крайней мере одного локального источника тепла содержит основание в виде алмазной пластины. На указанном основании закреплена слоистая структура из теплопроводящих пластин. Пластины слоистой структуры расположены параллельно основанию. При этом часть смежных поверхностей указанных пластин имеет тепловой контакт, а в областях между остальными частями этих поверхностей расположено теплоемкое вещество. Технический результат - повышение мощности отводимой от локального источника тепла (полупроводникового прибора) при увеличении времени работы последнего. 8 з.п. ф-лы, 1 ил.

Сборный корпус микросхемы и способ его использования // 2617559

Использование: для монтажа и демонтажа, по крайней мере, одной полупроводниковой микросхемы. Сущность изобретения заключается в том, что корпус микросхемы состоит из фланца и подложки с размещением, по крайней мере, одной микросхемы и подложки на одной стороне фланца, фланец изготавливается из электро- и теплопроводного материала, при этом сборный корпус микросхемы содержит, по крайней мере, одно охлаждающее устройство, а также электрическую изоляцию между выводами, по крайней мере, одной микросхемы и, по крайней мере, одним охлаждающим устройством. Технический результат: обеспечение возможности высокоэффективного отвода тепла. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 2 ил.

Полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа // 2635338

Настоящее изобретение относится к полупроводниковому прибору для поверхностного монтажа. Устройство с одним или несколькими приборами для поверхностного монтажа, смонтированными на несущей подложке, причем полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа содержит один полупроводниковый элемент, смонтированный на подложке (1) прибора или интегрированный в подложку (1) прибора, причем подложка (1) прибора имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность и имеет одну или несколько контактных площадок (2) электрического соединения первой высоты и одну площадку (3) теплового контакта второй высоты, расположенные на нижней поверхности подложки (1) прибора, вторая высота площадки (3) теплового контакта больше, чем первая высота контактной площадки (площадок) (2) электрического соединения, площадка (3) теплового контакта отделена от площадки (площадок) (2) электрического контакта канавкой или зазором, упомянутая несущая подложка содержит металлическую пластину (7) или слой металлической основы, покрытый диэлектрическим слоем (8), на котором расположен электропроводящий слой (9), причем упомянутый электропроводящий слой (9) и упомянутый диэлектрический слой (8) не присутствуют или удалены под площадкой (3) теплового контакта упомянутого прибора и под частью упомянутой канавки или упомянутого зазора, при этом упомянутая площадка (3) теплового контакта соединена термически посредством слоя (5) межсоединений теплового контакта с металлической пластиной (7) или слоем металлической основы, а упомянутые контактные площадки (2) электрического соединения соединены электрически посредством слоя (5) межсоединений электрического контакта с электропроводящим слоем (9), при этом разница по высоте первой высоты и второй высоты равна сумме толщин электропроводящего слоя (9) и диэлектрического слоя (8). Изобретение обеспечивает возможность монтажа просто и надежно непосредственно соединить площадку теплового контакта с металлической подложкой изолированной металлической подложки. 10 з.п. ф-лы, 2 ил.