Полупроводниковый переключатель
Ъ
Все- -, - --:-;л
t%aTe" .ИСАНИЕ ii) 428552
Союз Советских
:Социелистических
Республин
О Л
И ЗОБ РЕТ ЕН И Я
К АВТОРСКОМУ СВИДИЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заявлено 04.01.71 (21) 1608311/24-7 с присоединением заявки №вЂ” (32) Приоритет—
Опубликовано 15.05.74. Бюллетень № 18
Дата опубликования описания 30.1.75 (51) М.Кл. Н 03k 17/60
Госурарственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.374 (088.8) (72) А вторы пзоб|ретания
Л. Б. Родин, Г. А. Подольский и В. И. Геворкян (71) Заявитель (54) ПОЛ УП РО ВОД Н И K0Bbl Й П ЕРЕКЛ ЮЧАТЕЛ Ь
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в электронных устройствах для регистрации коротких импульсов по их спектру или амплитуде.
Известны полупроводниковые переключатели, содержащие два транзистора разного типа проводимости, образующих четырехслойную структуру типа p-n-p-n.
Для обеспечения возможности выключения входным сигналом без разрыва цепи питания предлагаемый переключатель содержит настроенный на основную частоту входного сигнала колебательный LC-контур, включенный параллельно переходу база — эмиттер транзистораа гг-р-и типа, служащему входом.
На чертеже дана схема описываемого переключателя.
Переключатель содержит два высокочастотных транзистора 1 и 2 разного типа проводимости, образующих искусственную четырехслойную структуру типа р-и-р-п, общее нагрузочцое сопротивление 8, соединяющее эмиттер транзистора 1 р-и-р типа с источником питания, и колебательный контур, состоящий пз ипдуктнвности 4 и конденсатора 5, подключенных Itapаллелы|о Входныы клеммaM и переходу база — эмиттер транзистора 2 и-р-и типа.
В случае образования транзисторами искусственной четырехслойной структуры типа гг-р-n-p индуктивность и конденсатор подключают параллельно входным клеммам и переходу база — эмиттер транзистора р-и-р типа, а нагрузочное.сопротивление соединяет с источником питания транзистор и-р-и типа.
При появлении на входе переключателя высокочастотного сигнала (импульса), имеющего в спектре составляющую, бл|изкую к частоте резонанса колебательного контура, включается транзистор 2. Коллекторный ток транзистора 2 включает транзистор 1, который, в свою очередь, поддерживает режим включения транзистора 2. Переключатель остается включенным, пока на базе транзистора 2 прн1з сутствует сигнал с частотой резонанса контура. Как только сигнал на входе пропадает или исчезает его составляющая, на частоту которой настроен колебательный контур, транзистор 2 выключается, что вызывает выклю20 чение и транзистора 1.
Предмет изобретения
Полупроводниковый переключатель, содер2б жащий два транзистора разного типа проводимости, образующих четырехслойную структуру гппа р-п-р-, г, отлггчагощийся тем, что, с целью обеспечения возмохкности выключения переключателя входным сигналом без разрыва цепи питания, он содержит настроен428552
Составитсль С. Снтко
Тскред 3. Тараненко
Корректор А. Дзесова
Редактор А. Пейсоненко
Заказ 5023 Изд. М 1604 Тира>к 811 Подписное
ЦНИИП11 Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений п открытий
Москва, 7К-35, Рауьпская наб., д. 4/5
Оол. тпп. Костромского уllp38 (è!((I(издательств, полиг1)3(j)II((1(кнп)кпо((торговли ный на основную частоту входного сигнала колебательный 1 С-контур, включенный параллельно переходу база †эмитт гранзистора л-p-n типа, служащему входом.
