Распределитель на транзисторах

00 423246

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства 283292 (22) Заявлено 13.10.72 (21) 1837299/26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.04.74. Бюллетень ¹ 13

Дата опубликования описания 11.09.74 (51) М. Кл. H 03k 17 60

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР оа делам изобретений и открытий (53) УДЫ 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения

П. М. Мадяр и В. И. Романенко (71) Заявитель (54) РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬ HA ТРАНЗИСТОРАХ

Изобретение относится к "радиотехнике.

Устройство может быть использовано в качестве распределителя импульсов в радиоизмерительной технике и телемеханике.

Известен распределитель на транзисторах (авт. св. № 283292), содержащий в каждой ячейке мостовые импульсные элементы задержки. Для повышения надежности работы схемы база транзистора i-той ячейки распределителя соединена с коллектором i+1-вой ячейки цепочкой нелинейной обратной связи, состоящей из последовательно включенных конденсатора и диода, зашунтированного резистором.

При работе распределителя в наносекундном диапазоне длительность задних фронтов формируемых импульсов значительно больше длительности передних фронтов импульсов, что приводит к временному наложению выходных импульсов соседних ячеек распределителя и к сбоям в работе.

С целью повышения надежности работы схемы в наносекундном диапазоне, в предлагаемом распределителе параллельно коллекторной нагрузке р-и-р транзистора i-той ячейки включен коллекторно-эмиттерный переход второго и-р-и транзистора так, что его коллектор соединен с коллектором первого транзистора, а база через резистор †эмиттером второго транзистора и через конденсатор — с катодом диода цепочки нелинейной обратной связи, включенной между i-той и i+1-вой ячейками.

Принципиальная схема устройства изображена на чертеже.

Распределитель содержит ячейки 1Π— 1„на мостовых импульсных элементах задержки, каждый из которых включает р-и-р транзисторы 2, развязывающие 3 и переключающие 4

10 диоды, конденсаторы 5 и резисторы 6 — 8. Одна ветвь моста импульсного мостового элемента образуется из последовательно соединенных резистора 7 и конденсатора 5, включенных между отрицательной шиной источни15 ка коллекторного напряжения и базой транзистора 2. Другая ветвь — общая, в виде делителя напряжения из резисторов 9 и 10, включенного между клеммами источника коллекторного напряжения.

20 В диагонали мостов импульсных мостовых элементов включены переключающие диоды 4.

Параллельно коллекторной нагрузке 6 транзистора 2 каждой ячейки распределителя включен коллекторно-эмиттерный переход

25 и-р-и транзистора 11, база которого соединена резистором 12 с отрицательной шиной источника коллектор ого напряжения.

Между коллектором транзистора 2 каждой ячейки и базой транзистора 2 каждой преды30 дущей ячейки включены цепочки нелинейной

423246 обратной связи, содержащие последовательно включенные диод 13, шунтированный резистором 14, и конденсатор 15. База транзистора 11 каждой ячейки соединена через конденсатор 16 с ка;-одом диода 13, под люченпого анодом к коллектору транзистора 2 каждой последующей ячейки. Первый каскад распределителя состоит из тех же элементов, что и ячейки, за исключением ветви моста импульсного мостового элемента и транзистора, включенного параллельно коллекторной нагрузке основного транзистора.

При подаче на вход первого каскада распределителя стартового импульса отрицательной полярности транзистор ячейки 1р входит в режим насыщения, и конденсатор 5 начинает разряжаться через резистор 8, открытый диод 3 и переход коллектор — эмиттер транзистора 2 я чепк: lр с о1восительно малой lIo стоянной времени. Длительность стартового импульса подбирают таким образом, чтобы конденсатор успел разрядиться практически полностью. После окончания стартового импульса транзистор 2 ячейки lр выходи. цз режима насыщения, диод 3 закрывается, и конденсатор начинает заряжаться через резистор 7.

Зарядный ток конденсатора протекает по переходу база — эмиттер транзистора 2 ячейки 1>, вводит его в режим насыщения, и конденсатор второй ячейки разряжается так же, как конденсатор первой ячейки, подготавливая к работе вторую ячейку.

Транзистор 2 находится в режиме насыщения до момента, при котором напряжение на конденсаторе первой ячейки достигает уровня, равного напряжению делителя 9, 10. В этот момент диод 4 начинает открываться, переключая на себя часть зарядного тока конденсатора 5. Уменьшение зарядного тока приводит к выводу транзистора 2 ячейки 1> из режима насыщения и закрытию диода 3.

После отключения диода 3 конденсатор вто4 рой ячейки начинает заряжаться через резистор 7. Зарядный ток конденсатора вводит транзистор 2 ячейки 1> в режим насыщения.

Изменение напряжения на коллекторе транзистора 2 ячейки 1> через диод 13 и конденсаторы 15, 16 поступает на базы транзисторов ячейки 10 открывая транзистор 11 и еще более запирая транзистор 2. Лавинообразный процесс приводит к быстрому переключению

10 транзисторов 2 соседних ячеек и формированию выходных импульсов с укороченными передними и задними фронтами. Включение на время протекания лавинообразного процесса транзистора 11 приводит к временному шун15 тированию коллекторной нагрузки 6 транзистора 2 открытым переходом коллектор— эмиттер транзистора 11 и значительному уменьшению длительности задних фронтов формируемых импульсов.

20 При одинаковых частотных свойствах транзисторов 2 и i l ячеек распределителя задние фронты выходных импульсов становятся равными по длительности передним фронтам, независимо от длительности выходных импуль25 сов. Зто обеспечивает минимальное временное наложение импульсов, формируемых соседними ячейками, ограничиваемое в этом случае лишь частотными свойствами транзисторов.

Предмет изобретен ия

Распределитель на транзисторах по авт. св. № 283292, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы схемы в наносекундном диапазоне, параллельно кол35 лекторной нагрузке р-и-р транзистора -той ячейки включен коллекторно-эмиттерный переход второго и-р-п транзистора так, что его коллектор соединен с коллектором первого транзистора, а база через резистор — с эмит40 тером второго транзистора и через конденсатор — . катодом диода цепочки нелинейной связи, включенной между -той и i+1-вой ячейками, 423246

Составитель В .Брагин

Техред Л. Богданова

Редактор Б. Федотов

Корректор В. Жолудева

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 2213/!2 Изд. № 680 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5