Устройство для измерения напряженности магнитного поля

Авторы патента:

Л. И. Бергер, Л. Н. Веселова , Н. А. Карелина

G01R33/07 - приборов, основанных на эффекте Холла

() 428318

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетелыствавЂ” (22) Заявлено 26.10.72 (21) 1840800/18-10 с присоединением заявки №вЂ” (32) ПриорптетвЂ”

Опубликовано 15.05.74. Бюллетень ¹ 18

Дата опубликования описания 4.02.75 (51) М.Кл. б Olr 33/06

Государственный комитет

Саввта Министров СССР па делам изобретений и открытий (53) УДК 621.317А4 (088.8) (72) Авто р ы изобретения

Л. И. Бергер, Л. Н. Веселова и Н. А. Карелина (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ

МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Изобретение относится к области приборостроения и предназначено, в частности, для измерения слабых магнитных полей.

Известные устройства для измерения напряженности магнитного поля в виде полупроводникового кристалла в форме параллелепипеда, на противоположной грани которого нанесены токовые и холловские электроды, позволяют измерять суммарный вектор напряженности магнитного поля и не дают возмож- то ности одновременно и раздельно измерять две взаимно пеперпендикулярные составляющие напряженности магнитного поля.

Для расширения функциональных возможностей в предлагаемом образователе на каж- 15 дую из четырех боковых граней параллелепипеда нанесены несоприкасающиеся между собой диффузионные слои со знаком проводимости, противополоакным знаку проводимости остальной массы полупроводникового кристал- о ла, причем к каждому диффузионному слою подсоединены токовые и холловские электроды.

На чертегке показано описываемое устрой- 25 ство, состоящее из полупроводникового кристалла 1, на боковые грани которого нанесены диффузионные слои 2. Знак проводимости последних противоположен знаку проводимости полупроводникового кристалла. 30

Пары слоев 2, лежащих на противоположных гранях кристалла 1, являются парами параллельно расположенных датчиков Холла, к которым подсоединены токовые 8 и холловские 4 электроды.

При измерении напряженности магнитного поля кристалл помещают в магнитное поле и с электродов 8 каждой пары параллельно расположенных датчиков снимается сигнал э.д.с.

Холла, а токовые электроды 4 соединяют так, чтобы управляющий ток проходил последовательно через диффузионные слои 2, расположенные на противоположных гранях кристалла 1.

Поскольку пары слоев 2, лежащих на противоположных гранях, расположены взаимно перпендикулярно, то каждая пз пар измеряет одну из двух взаимно перпендикулярных составляющих напряженности магнитного поля.

При этом на границе диффузионного слоя 2 и кристалла 1 образуется р вЂ” л переход и электричесиий ток, вошедший в слой 2, может распространяться только вдоль этого слоя, не проникая в толщу кристалла 1. Прп последовательном соединении диффузионных слоев 2, расположенных на противоположных гранях кристалла 1, р вЂ” и переходы служат изоляторами, исключающими возможность утечки зарядов в толщу кристалла 1.

428318

Предмет изобретения

Составитель Н. Данилин

Телред А, Камышникова

Редактор С. Хейфиц

Корректор Е. Хмелева

Заказ 5027 Изд. № 1603 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Обл. тип. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли

Устройство для измерения напряженности магнитного поля, содержащее параллельно расположенные пары датчиков Холла, выполненные из полупроводникового кристалла в виде параллелепипеда, на боковые грани которого нанесены холловские электроды, отличаюи1ийся тем, что, с целью расширения функцион альных возможностей преобразователя, на каждую из четырех боковых граней параллелепипеда нанесены несоприкасающиеся между собой диффузионные слои со знаком проводимости, противоположным знаку проводимости остальной массы полупроводникового кристалла, причем к каждому диффузионному слою подсоединены токовые и холловские электроды.

Устройство для измерения слабых постоянныхмагнитных полей // 418817

Патент 416639 // 416639

Патент 416638 // 416638

Патент 415621 // 415621

Патент 411401 // 411401

Патент 400860 // 400860

Магнитометр для измерения малых переменных магнитных полей // 399804

Кассета для датчика холла // 399803

Устройство для измерения коэрцитивной силыпостоянных магнитов // 386353

Измерительный преобразователь магнитной индукции // 2143122

Изобретение относится к области электрических измерений, в частности к измерениям магнитной индукции

Датчик магнитного поля // 2238571

Способ уменьшения погрешностей холловского магнитометра // 2311655

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для уменьшения систематических погрешностей абсолютных измерений индукции магнитного поля магнитометром с четырехконтактным датчиком Холла

Устройство для определения расстояния, пройденного внутритрубным снарядом-дефектоскопом с одометрами // 2316782

Изобретение относится к области неразрушающего контроля нефтегазопроводов и может быть использовано для целей определения расстояния, пройденного внутритрубным снарядом-дефектоскопом

Датчик холла для локальной магнитометрии // 2321013

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к тонкопленочным датчикам на основе экстраординарного эффекта Холла, и может быть использовано в микроэлектронике при измерении и регистрации локальных магнитных полей и величин электрического тока, а также при разработке микроэлектронных устройств нового поколения

Преобразователь магнитного поля // 2324195

Изобретение относится к области неразрушающего контроля, в частности к устройствам для внутритрубной диагностики

Магниточувствительная интегральная схема // 2328014

Изобретение относится к области электронных датчиков магнитного поля, а более конкретно к магниточувствительным интегральным схемам (МЧИС)

Устройство для измерения магнитных и электрических величин // 434335

Измеритель эдс холла // 441534

Способ компенсации остаточного напряжения датчика холла // 445002