Мультивибратор

(»1 425323

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 01.02.72 (21) 1744323)26-9 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет

Опубликовано 25.04.74. Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 26.09.74 (51) М. Кл. Н 0% 3 282

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР аа делам изобретений и открытий (53) УДК 621.373.52 (088.8) (72) Автор изобретения

А. А, Марюшкин (71) Заявитель (54) МУЛЬТИВИБРАТОР

Изобретение относится,к импульсной технике, а именно к мульти вибрато1рам.

Известен мультивибратор, содержащий два транзистора, причем коллектор первого транзистора непосредственно связан с базой второго, порогообразующий делитель на резисторах, включенный в цепь эмиттера второго транзистора, времязадающий конденсатор, одна обкладка которого соединена с шиной источника питания, а вторая через один резистор — с базой первого транзистора и вторым резистором, и диод.

Целью изобретения является упрощение схемы.

Для этого эмиттер первого тра нзистора соединен со средней точкой порогообразующего делителя, а диод включен между вторым резистором и эмиттером второго транзистора.

На чертеже приведена принципиальная элекприческая схема мультивибратора.

Мультивибратор содержит усилитель на транзисторе 1, коллекторная нагрузка 2 которого соединена непосредственно,с базой транзистора 3, а риттер транзистора 1,присоединен к отводу между резисторами 4 и 5, образующими эмиттерную нагрузку транзистора 3, времязадающая цепь образована последовательно включенным диодом 6, резисторами 7 и 8 и конденсатором 9, подключенным между соединением резис опов 7 и 8 и источником питания, диод 6 подключен к эмиттсру транзистора 3 полярностью, обеспечивающей проводимость тока, отк рьтвающсго тра»зистор 1 со стороны его базы, подключенной

5 к резистору 8.

Мультивибратор раоотает следующим образом.

Пусть в исходном состоянии транзистор 1 закрыт, конденсатор 9 разряжен. Тогда ко»10 денсатор 9 начнет заряжаться от источника

+ Е„через открытый транзистор 3, диод 6, рези. стор 7. Когда напряжение на конденсаторе 9 превысит потенциал»а резисторс 5 (»отенциал запирания транзистора 1 по эмптте15 ру) и порог отпирания транзистора 1, тра»зистор 1»ачииает от»играться, на»ряжсние»а базе транзистора 3 падает, вследствие этого падает и запирающий потенциал»а резисторе 5, а это приводит к ускорению отпирания

20 транзистора 1. Проводимость транзистора 3 резко падает,,поэтому диод 6 оказывается запертым»апря>кением»а конденсаторе 9, который, заряжаясь через резистов 8 в базу транзистора 1, удерживает последний в откры25 том состоянии. Когда конде»сатор 9 «азрядится до по рога закрьнвания транзистора 1. проводимость последнего падает, открывающий по базе ток в транзисторе 3 увеличивается и растет напряжение на эмиттере тран30 зистора 1, ускоряющее запирание этого тран425323

Предмет изобрете ния

-Ел

Составитель H. Герасимова

Техред А. Камышникова

Корректор Н. Аук

Редактор А. Зиньковский

Заказ 2656/3 Изд. № 776 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 зистора, В дальнейшем цикл работы повторяется.

Резистор 8 должен иметь сопротивление, превосходящее не более чем в три раза .параллельное сопротивление нагрузки и резисторов 4 и 5.

Для формирования импульсов, соответствующих длительному открытому состоянию транзистора 3 и короткому закрытому его состоянию,,сопротивление резистора 8 можно выб|рать равным нулю, а отношение сопротивлений резисторов 4 и 5 уменьшить, сохраняя неизменной их сумму.

Для фо рмирова1ния импульсов, при которых открытое состояние транзистора 3 должно быть коротким, а закрытое — длительным, необходимо уменьшить сопротивление резистора 7 и увеличить сопротивление резистора

8, а также уменьшить сопротивление резистора 5, сохраняя неизменной сумму сопротивлений резисторов 4 и 5.

Если сопротивление резисторов 4 мало в сравнении с со противлением резистора 5, то выбором соотношений со противлений 1резисторо в 7 и 8 можно, почти не изменяя частоты генерации, изменять в широких irripegrелах скважность генерируемых импульсов.

На против, при фиксированном соотношении сопротивлений резисторов 7 и 8 изменением соотношений сопротивлений резисторов 4 и

5 можно в широких пределах изменять часто5 ту генерации.

Экспериментальные высокочастотные 06разцы обеспечивали частоту генерации до

25 мгц, а низкочастотные — порядка 1Π— гп.

Мультивибратор, содержащий два транзистора, причем коллектор первого транзистора

15 непосредственно связан с базой второго, порогообразующий делитель на резисторах, включенный в цепь эмиттера второго транзистора, времязадающий конденсатор, одна обкладка которого соединена с шиной источника

20 питания, а вторая через один резистор — с базой первого транзистора и вторым резистором, и диод, отличающийся тем, что, с целью упрощения схемы, эмиттер первого транзистора соединен со средней точкой поро25 гообразующего делителя, а диод включен между вторым резистором и эмиттером второго транзистора,