Способ измельчения полупроводниковыхматериалов

() 424600

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 06.03.72 (21) 1753754 29-33 с присоединением заявки ¹ (32) Приоритет

Опубликовано 25.04.74. Бюллетень ¹ 15

Дата опубликования описания 02.10.74 (51) М. Кл. В 02с 19 00

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР па делам изааретений и открытий (53) УД К 621.926.9 (088.8) щц рщ" пц

В. С. Мартыновский, М. Н. Томашевич и В. К. Гарачук (72) Авторы изобретения (71) Заявитель Одесский технологический институт холодильной промышленности (54) СПОСОБ ИЗМЕЛЪЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

МАТЕРИАЛОВ

Предмет изобретения

Изобретение относится к изготовлению материало|в методом порошковой металлургии.

Известен способ измельчения полупроводниковых материалов путем дробления их при низких температурах.

Цель изобретения — уменьшить пластичность материалов и предохранить их от о кисления.

Это достигается тем, что измельчсние осуществляют в инертных криогенных жидкостях, на|пример в азоте, при температуре в пределах от 4 К до 100 К.

Испаряющаяся криогенная жидкость создает инертную среду, препятствующую ок ислению.

Полупроводниковые материалы, помещен ные в отва куумированный эксикатор, вносятся в бокс, в котором находится измельчающее уст(ройство, на пример мельница, и сосуд

Дьюара с жидким азотом. Бокс гермет изируется и путем испаре ния части жидкого азота из него удаляется воздух, а также создается небольшое избыточное давле(ние азота.

Вещество из эксикатора запружается в мечьницу, рабочее про странство которой соединено патрубком с сосудом Дьюара. Через патрубок подается дозирусмое количество жидкого азота.

Та%им образом, процесс измельчения IIpoходит при низкой тсмч)ературе и в инертной

5 среде. После о кончания помола вещество помещается в эксикатор. последний герметизируется и направляется для дальнейших технологическ их операций (просепвание, уплотнение. спекание и т. д.).

10 Проведенные опыты по измельчению тройных сплавов на основе Bi, Те, Se, Sb в среде жидкого азота показали, что таким путем удается сравнительно IbpocTo получить весьма мелкие фракции и, что особенно важно, без

15 их заметного окислеНия.

Способ измельчения полупроводниковых

20 материалов путем дробления их при низких температурах, отличающийся тем, что, с целью уменьшения пластичности материалов и предохранения их от окисления, измельчение осуществляют в HHepmI Ii криогенных

25 жидкостях, например, в азоте, при температурах в пределах от 4 К до 100 К.