Электрический способ определения химической стойкости фоторезиста

424060

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Соввтскик

Социалистических

Рвслублик

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 17.10.72 (21) 1839666/26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 15.04.74. Бюллетень ¹ 14

Дата опубликования описания 20.09.74 (51) М. Кл. G 01п 27/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий (53) УДК 537.7(088.8) (72) Авторы изобретения

3. Ю. Готра, Е. И. Дмитренко, М. Д. Матвийкив и

Э. М. Мушкарден (71) Заявитель (54) ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХИМИЧЕСКОЙ

СТОЙКОСТИ ФОТОРЕЗИСТА

Изобретение относится к технологии производства деталей радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано при определении химической стойкости фоторезистивных пленок, используемых при изготовлении микросхем.

Известен электрический способ определения химической стойкости фоторези|ста, нанесенного на подложку, помещенную в агрессивную ср еду. 10

Однако известный способ не обеспечивает достаточно высокую точность определения стойкости фоторезиста.

С целью повышения точности измерения по предлагаемому .способу на подложку папы- 15 ляют образец-свидетель из токопроводящего материала, на который наносят исследуемый фоторезист и |производят измерение электрического сопротивления образца-свидетеля.

Сущность предлагаемого способа определе- 20 ния химической стойкости фоторезиста состоит в следующем.

На диэлектрическую подложку любым известным методом (например, термическим испа рением или ионным распылением) напыля- 25 ют образец-свидетель — тонкую (порядка сотен ангстрем) пленку токопроводящего материала, легко травимого в агрессивной среде, по отношению к которой определяется химическая стойкость фоторезиста. Для повы- 30 шения чувствительности метода тонкую пленку изготовляют в виде сложной линейной конфигурации, для чего используют любой метод создания конфигурации (на пример, напыление через маску, фотолитография). Затем на образец-свидетель наносят тонкую пленку исследуемого фоторезиста. К концам образца-свидетеля припаивают выводы, к которым подключают измерительный прибор (омметр), после чего подложку с расположенным на ней образцом-свидетелем и исследуемым фоторезистом погружают в агрессивную среду. По мере разрушения агрессивной средой пленки фоторезиста открывается доступ к образцу-свидетелю.

B результате воздействия агрессивной среды образец-свидетель разрушается, а его сопротивлеггие возрастает, что вызывает отклонение стрелки омметра.

Химическая стойкость фоторезистивной пленки определяется временем, измеряемым от момента погружения подложки с образцомсвидстслсм и исследуемым фоторезистом в агрессивную среду,до начала изменения электрического сопротивления образца-свидетеля.

Предлагаемый способ может быть использозован для определения химической стойкости и устойчивости к воздействию агрессивных сред не только фоторезистивных пленок, но и пленок других материалов.

424060

Предмет изобретения

Составитель E. Ковалева

Техред Е. Борисова Корректор T. Хворова

Редактор Т. Морозова

Заказ 2460/18 Изд. № 1510 Тираж 651 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Я-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Электрический способ определения химической стойкости фоторезиста, нанесенного на подложку, помещенную в агрессивную среду, отл и ч а ющи йс я тем, что, с целью повыщения точности измерения, на подложку напыляют образец-свидетель из токопроводящего материала, на который наносят исследуемый фоторезист и производят измерение электри5 ческого сопротивления образца-свидетеля.