Способ металлизации алмазовв пт бфонд з^шпгртой
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
4217l9
Союз Советских
Социалистических
Республик (61) Зависимое от авт. свидегельства— (22) Заявлено 01.12.71 (21) 1718697/25-8 с присоединением заявки ¹ 1718699/25-8 (32) Приоритет—
Опубликовано 30.03.74. Бюллетень ¹ 12
Дата опубликования описания 19.11.74
М,Кт, С 23с 11/00
Гасударственный комитет
Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий
ЪДК 621.922.079(088.8) С. А. Клевцур, И. В. Хижняк, А. В. Акиншин, Л. А. Филькин, Ю. Л. Орлов, И. P. Накостенко, И. Д. Трыханкин, А. И. Красовский, М. М. Белоусов и В, П. Кузьмин (72) Авторы изобретения
Институт физической химии АН СССР (71) Заявитель цптБ
Ф р туг «pg;3( (54) СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ АЛМАЗОВ
Изобретение касается металлизации натуральных и синтетических алмазов металлами и может быть широко использовано в промышленности для изготовления алмазного и алмазно-абразивного инструмента.
Известен способ металлизации алмазов галогенидами тугоплавких карбидообразующих металлов с использованием кшгящсго слоя.
Мсталлизация проводится в п1эис тствии водорода и инертного газа при температуре
400 — 1000 С. Недостатками известного способа являются непрочное соединение металлической пленки с алмазом, а также низкая скорость осаждения металла на поверхности зерна.
С целью повышения адгезии металлической пленки с алмазом в газовую среду вводят газообразньш углеводород и все компоненты берут в следующем соотношении, в молях на реакцию:
Галогенид металла 0,15 — 1,0 водород 0,2 — 6,0 газообразный углеводород 0,1 — 1,0 при расходе инертного газа 0,5 — 60 л/.яин.
С целью повышения эффективности и увеличения скорости осаждения металла на поверхности зерна металлизацию проводят в наложенном электрическом поле с напряженностью, равной 0,5 — 4,0 кв/сл.
Способ может быть использован для получения на поверхности алмазных зерен метало ло-карбидных и металлических покрытий пз титана, циркония, гафния, ниобия, тпнтала и вольфрама с прочной адгезией покрытий с поверхностью алмаза.
Пример. Процесс металлизации алмазного порошка марки А-16 размером зерна
160 ик нпобием проводят в аппарате кипящего слоя при температуре 930"C. Высота кипящего слоя составляет 0,3 диаметра реакцион1() ного аппарата. H2pl 1: лорида ппооия в смеси с водородом, метаном и аргоном вдувают в слой алмазных частиц. Концентрация пентаxëoðèäà нпобия, водорода и метана составляет для хлорида металла 0,3, водорода 0,85 и
«ропана О> 15 a»o. t oT расчетного I 20 При наложении электрического поля в зону реакции толщина покрытия увеличивается в 2 — 3 раза. Предмет изобретения 1. Способ металлизации алмазов в кипящем слое галогенидами тугоплавких карбидообразующих металлов в присутствии водорода и инертного газа при температуре 3Q 400 — 1000 C отлпча оtöò1ñÿ тем, что, с целью 421719 Составитель Н. Балашова Текред 3. Тараненко Редактор Т. Ларина Корректор Л. Царькова Заказ 4776 Изд. М 1434 Тираж 875 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 МОТ., Загорский цек 3 повышения адгезии металлической пленки с алмазом, в газовую среду вводят углеводороды. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что компоненты газовой среды берут в следующем соотношении, в молях на реакцию: Галогенид металла 0,15 — 1,0 водород 0,2 — 5,0 газообразный углеводород 0,1 — 1,0 при расходе инертного газа 0,5 — 60 л/мин, 3. Способ по пп. 1 н 2, отличающийся тем, что с целью интенсификации процесса, металлизацию проводят B электрическом поле с напря>кенностью, равной 0,5 — 4,0 кв/см.