Патент ссср 413532
, ««
«а« "
4I3 532
ОП АНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ к.овз Соемсеа
Социалистическими
Республик
К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. Н Olc 7. 02
Заявлено 23.VI.1972 (№ 1800523/26-9) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 30.1.1974. Бюллетень № 4
Дата опубликования описания 4Х1.1971
Государственный комитет
Совета Министров СССЬ ао делим ивооретений и открытий
УДК 621 396 692(088 8) Авторы изобретения
Х. С. Валеев и В. Б. Квасков
Заявитель
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ
Изобретение относится к области использования керамических полупроводниковых материалов для изготовления терморезистивных элементов с положительным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) — поз истор он.
Известны позисторы, изготовленные на основе полупроводникового титана бария с добавками различных редкоземельных элеменгов, применяемые в схемах температурного контроля, в роли ограничителей тока, для стабилизации характеристик транзисторов и для других целей. Они имеют низкие значения удельного сопротивления (при комнатной температуре о (104 ом см), высокие температуры синтеза и обжига (соответственно 1100—
1200 С и 1350 — 1400 С) и сложную технологию.
Цель изобретения — разработка материала с положительным ТКС, высоким удельным сопротивлением и низкой температурой обжига.
Цель изобретения достигается использованием легкоплавких окислов В12ОЗ („;, =817 С) и VqOq (t „., = 685 С) с противоположным типом проводимости.
Окись висмута обладает большим удельным объемным сопротивлением (при комнатной температуре о = 10" ом см) и примерно нулевым ТКС в интервале 25 — 85 С. В12ОЗ трудно поддается спеканию вследствие большой летучести, а также в связи с тем, что вблизи температур спекания происходит полиморфное превращение из моноклинной в кубическую структуру, сопровождающееся значительным
5 объемным эффектом.
Введение небольших количеств V Oq позволяет получить хорошо спеченньш материал с высоким положительным ТКС, величину которого можно регулировать режимом обжига.
10 Электронномикроскопические исследования показали, что появляющаяся с введением пятиокиси ванадия вторая фаза имеет тенденцию заполнять межзеренные промежутки и поры в структуре В1 0, способствуя более
15 полному спеканию.
Структурные исследования показали также, что положительньш ТКС в материалах Bi 0>—
VqO; не связан в отличие от BaTiO> с какимлибо кристаллогр афическим переходом.
Пример 1. Порошки В40в «V>Oq в соотношении 98 мол. % В40 и 2 мол. % 1 20; подвергают мокрому смешению и прессуют в таблетки диаметром 30 мм и высотой 4 мм.
25 После обжига при 780 С в течение 1,5 час полученные образцы шлифуют до толщины
1 мм. На поверхности дисков наносят электроды из серебряной пасты и вжигают при 600 С.
Полученные образцы имеют объемное элект30 росопротивление R 4,4.10 ом см при 20 С, 413532
Составитель В. Квасков
Техред 3. Тараненко
Редактор Е. Караулова
Корректор В. Жолудева
Заказ 1253/13 Изд. Ыю 1217 Тираж 760 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
3,2 l108 ом см при 85 С и ТКС в интервале
20 — 85 С + 10%/град.
Пример. 2. Образцы состава 95 мол. %
В1гОз + 5 мол. /o ЧзОз проготовленные так же, как и в примере 1, имеют R 4,3 10 ом см при 18 С, 3 10в ом см при 24 С, 1,05.
° 10" ом см при 93 С и ТКС в интервале
24 — 93 С + 7 /о/град.
Пример 3. Образцы состава 95 мол. %
В40а + 5 мол. /о ЧвОв обжигают при 740 С в течение 1 час с последующим подъемом температуры до 780 С и дополнительным обжигом в течение 1 час, Полученные образцы имеют Я 4,5 10 ом см при 20 С, 3,2 10" ом см при 25 С 5,7 10" ом см при 102 С и ТКС в интервале 25 — 102 С + 22%/град, Предмет изобретения
Резистивный материал преимущественно для изготовления позисторов, содержащий окислы металлов, отличающийся тем, что, с целью получения высокого удельного объем10 ного сопротивления, снижения температуры обжига и упрощения технологии, он содержит
95 — 98 мол. /о окиси висмута и 2 — 5 мол. % пятиокиси ванадия.
